23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online. Val. 2227.

?

23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online

Vol. 2227. IOP Publishing, 2022.

Под общей редакцией: R. A. Suris, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, H. A. Sarkisyan

Photoluminescence study of InP and In(As, P) inclusions into Si (100) substrate

I. A. Melnichenko, A. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya и др., , in: 23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 OnlineVol. 2227.: IOP Publishing, 2022.

Добавлено: 19 октября 2022 г.

Научное направление: Физика

Язык: английский

Ключевые слова: semiconductors nanostructures

23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Корнилов В. В., Batienkov R., Lecture Notes in Civil Engineering 2026 Vol. 886 P. 249–255

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Sandpile Cellular Automata with Manna Rule on the Chung-Lu Graph: Application to X Social Network

Дмитриев А. В., Shulman I., Лебедев А. А., Studies in Computational Intelligence 2026 Vol. 1265 P. 266–273

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Неравновесное состояние в квазиодномерных сверхпроводящих каналах

Арутюнов К. Ю., Харитонов И. А., Петросянц К. О., JETP Letters 2026 Vol. 124 No. 6 P. 1–16

Добавлено: 13 октября 2026 г.

When universal machine learning models fail in capacitance prediction for carbon-based supercapacitors: Leakage-aware validation and electrolyte screening

Makarov D. M., Каликин Н. Н., Fashchevsky K. A. и др., Electrochimica Acta 2026 Vol. 579 Article 150159

Добавлено: 13 октября 2026 г.

Ranging Precision Comparison of Direct and Non-Line-of-Sight LiDAR Systems Based on SNSPD

Махлуф М., Ожегов Р. В., Елезов М. С. и др., Фотоника 2026 Vol. 20 No. 6 P. 414–423

В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Proceedings of the 34th IUPAP Conference on Computational Physics: CCP2023, August 4-8, Kobe, Japan

Singapore: Springer, 2026.

Добавлено: 12 октября 2026 г.

Effect of External Pressure and Quantum State on the Local Magnetization of Germanium Layers: Ab Initio Calculation.

Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816

Добавлено: 11 октября 2026 г.

BOOK of ABSTRACTS 12-th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures

-, 2025.

Добавлено: 29 октября 2025 г.

Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene

Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068

Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces

Solodovnik M., Balakirev S., Ivan S. Makhov и др., Applied Surface Science 2025 Vol. 700 Article 163211

Добавлено: 17 апреля 2025 г.

On the impact of using alumina nanoparticles and initial aging on the microstructure and mechanical properties of the AA1050/AA2024 nanostructure composite, created by accumulative roll bonding (ARB) method

Roghani H., Borhani E., Jafarian H. R. и др., Wear 2023 Vol. 526-527 Article 204895

Добавлено: 18 февраля 2025 г.

Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs

Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928

Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...

Добавлено: 3 июня 2024 г.

Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6

С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...

Добавлено: 13 февраля 2024 г.

Expansion of nanotube cap due to migration of sp atoms from lateral surface

Polynskaya Y., Sinitsa A., Vyrko S. и др., Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2023 Vol. 148 P. 1–7

Добавлено: 23 августа 2023 г.

Optical studies of InP nanostructures monolithically integrated in Si (100)

Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260–264

We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...

Добавлено: 14 марта 2023 г.

XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.

Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...

Добавлено: 7 декабря 2022 г.

Proceedings of the 9th International Symposium OPTICS-2022

Springer, 2022.

Добавлено: 7 ноября 2022 г.

8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021

Жуков А. Е., Institute of Physics Publishing (IOP), 2021.

Добавлено: 26 октября 2022 г.

2022 International Conference Laser Optics (ICLO)

IEEE, 2022.

Добавлено: 27 сентября 2022 г.

Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Минтаиров С. А., С.А. Блохин, Калюжный Н. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 4 С. 32–35

Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямыточки. Продемонстрирована полоса пропускания 8.2GHz по уровню −3 dB на длине волны 905 nm. Показано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы с полосой пропускания до 12.5GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ямточек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5V. ...

Добавлено: 11 августа 2022 г.

Lack of Photon Antibunching Supports Supertrap Model of Photoluminescence Blinking in Perovskite Sub‐Micrometer Crystals

Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3

Добавлено: 20 мая 2022 г.

Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer

Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132

Добавлено: 24 февраля 2022 г.

Three-particle states and brightening of intervalley excitons in a doped MoS2 monolayer

Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433

Добавлено: 24 февраля 2022 г.

Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future

S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.

Добавлено: 31 октября 2021 г.