• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
17 июня 2026 г.
Биоинформатики НИУ ВШЭ обнаружили 20 опасных мутаций в гене, связанном с легочной артериальной гипертензией
Ученые НИУ ВШЭ совместно с коллегами из российских университетов выяснили, какие мутации в гене ACVRL1 опасны для пациентов с легочной артериальной гипертензией. Они смоделировали, как изменения в гене влияют на связывание АТФ с белком — процесс, от которого зависит передача сигналов, необходимых для работы сосудов. Оказалось, что 20 из 32 вариантов могут нарушать передачу сигнала и провоцировать болезнь. Результаты опубликованы в Journal of Structural Biology.
17 июня 2026 г.
Интеллектуальная робототехника: кадровый голод и масса возможностей
Пока на рынке мало кадров, способных заниматься разработкой интеллектуальных робототехнических систем. Между тем именно к этому идет робототехника. Как учат ее проектированию и каково будущее отрасли, в интервью IQ Media рассказал заведующий Проектно-учебной лабораторией робототехники НИУ ВШЭ Вадим Моргачев.
17 июня 2026 г.
Каким должно быть образование, чтобы готовить кадры для экономики будущего
Эти вопросы обсудят на форуме HR EXPO PRO ЛЮДЕЙ, который состоится 18-19 июня в Москве. В его работе примет участие ректор НИУ ВШЭ Никита Анисимов, федеральные министры, HR-директора компаний, ректоры вузов, эксперты. На форуме будет представлен стенд, посвященный программам ДПО НИУ ВШЭ.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future

Ch. 1.
S.V. Ivanov
Язык: английский
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: semiconductorsoptoelectronicsheterostructures Diode lasersquantum photonics

В книге

PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020
St. Petersburg: IEEE, 2020.
Похожие публикации
Обнаружение спинового тока в обменно-смещенных структурах Co/Fe/Mn/Pt
Калябин Д. В., Демидов В. В., Никитов С. А., Физика металлов и металловедение 2025 Т. 126 № 11 С. 1220–1225
Исследован спиновый транспорт в антиферромагнитных проводниках. Спиновый ток инжектировали из ферромагнитной пленки Co в антиферромагнитный проводник FeMn, после чего было исследовано постоянное напряжение, возникающее в слое Pt в условиях ферромагнитного резонанса при различных углах поворота ориентации постоянного магнитного поля в плоскости пленки. Был рассчитан вклад, вызванный чистым спиновым током (спиновой накачкой), зарегистрированный с помощью обратного ...
Добавлено: 27 марта 2026 г.
Exciton diamagnetic shifts and spin dynamics in lead halide perovskites under high magnetic fields
Do T. T., Xing J., Liu S. и др., APL Materials 2025 Vol. 13 No. 9 Article 091111
Добавлено: 26 января 2026 г.
Two-Dimensional CP3 Monolayer and Its Fluorinated Derivative with Promising Electronic and Optical Properties: A Theoretical Study
Kar M., Саркар Р., Pal S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 19 P. 195305
Добавлено: 19 ноября 2025 г.
Tunable Electronic Structure of Two-Dimensional MoX2 (X=S,Se)/SnS2 van der Waals Heterostructures
Kar M., Саркар Р., Pal S. и др., Journal of Physical Chemistry C 2020 Vol. 124 No. 39 P. 21357–21365
Добавлено: 19 ноября 2025 г.
Band Gap Engineering of Cu2ZnGeS4xSe4(1−x) Solid Solutions
Khoroshko V., Пугач Н. Г., Stanchik A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2025 Vol. 16 No. 28 P. 7212–7216
Добавлено: 17 ноября 2025 г.
BOOK of ABSTRACTS 12-th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
-, 2025.
Добавлено: 29 октября 2025 г.
Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Структурные свойства сверхрешеток Nb/Dy и Nb/Ho
Жакетов В. Д., Девятериков Д. И., Авдеев М. М. и др., Физика твердого тела 2023 Т. 65 № 7 С. 1123–1128
Рассмотрены эффекты близости в структурах с гелимагнитным упорядочением. Методом магнетронного напыления изготовлены структуры с резкими границами. С помощью рефлектометрии поляризованных нейтронов получены результаты, указывающие на изменение магнитного состояния гелимагнетика под влиянием сверхпроводимости. Предложен новый тип структур с чередующимися слоями сверхпроводника и редкоземельного гелимагнетика для исследования магнитных эффектов близости. Результаты исследований с помощью рентгеновских методов и атомно-силовой микроскопии демонстрирует высокое качество полученных ...
Добавлено: 9 декабря 2023 г.
Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser
Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Optics Letters 2023 Vol. 48 No. 13 P. 3515–3518
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Journal of Physics: Conference Series, Vol. 1851
IOP Publishing, 2021.
Добавлено: 4 марта 2023 г.
Observation of ferromagnetism in a thin SrIrO3 film contacting with a La0.7Sr0.3MnO3 film
Демидов В. В., Andreev N. V., Shaikhulov T. A. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2020 Vol. 497 Article 165979
Добавлено: 16 декабря 2022 г.
Elastic single-walled carbon nanotubes pixel matrix electrodes for flexible optoelectronics
Mukhangali S., Neplokh V., Kochetkov F. и др., Applied Physics Letters 2022 No. 121 Article 243504
Добавлено: 14 декабря 2022 г.
XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
8th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2021" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, SPbOPEN 2021
Жуков А. Е., Institute of Physics Publishing (IOP), 2021.
Добавлено: 26 октября 2022 г.
23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
2022 International Conference Laser Optics (ICLO)
IEEE, 2022.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Lack of Photon Antibunching Supports Supertrap Model of Photoluminescence Blinking in Perovskite Sub‐Micrometer Crystals
Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Глобальные рынки передового производства — новая возможность для технологического обновления России
Симачев Ю. В., Федюнина А. А., Городный Н. А., Журнал Новой экономической ассоциации 2022 Т. 53 № 1 С. 202–212
Новые технологии, в том числе технологии Индустрии 4.0, кардинально меняют традиционные и высокотехнологичные отрасли, формируют внутри промышленного комплекса сектор передо- вых производств (ПП). Россия до сих пор характеризовалась скромным присутствием на мировых рынках ПП — менее 0,6% по отдельным рынкам и не более 0,4% по совокупности. Отчасти это связано, в целом, со скудностью товарного разнообразия ...
Добавлено: 22 марта 2022 г.
Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору