• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.
15 мая 2026 г.
Стартовал совместный спецпроект бренд-медиа Вышки IQ Media и iFORA ИСИЭЗ
В мае 2026 года стартовал научно-популярный проект «Искусственный интеллект: технологии, данные и будущее», который стал результатом работы двух команд — проекта iFORA Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ и редакции бренд-медиа IQMedia. Медийно-аналитический спецпроект посвящен современному развитию искусственного интеллекта и аналитике больших данных.
14 мая 2026 г.
<a>Ученые ФКН ВШЭ представили работы в сфере ИИ и биоинформатики на ICLR 2026
Ученые Института искусственного интеллекта и цифровых наук факультета компьютерных наук ВШЭи студенты трека «ИИ360: Инженерия искусственного интеллекта» бакалаврской программы «Прикладная математика и информатика» приняли участие в международной конференции ICLR — одном из самых авторитетных мировых форумов в области машинного обучения и представления данных. В этом году конференция состоялась в Рио-де-Жанейро (Бразилия).

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe

С. 153.
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А., Кунцевич А. Ю.

Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину.

Язык: русский
Ключевые слова: topological insulatorтопологический изолятор
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Теоретические и экспериментальные исследования в области физики конденсированного состояния (2022)

В книге

XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Похожие публикации
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Current flow in topological insulator Josephson junctions due to imperfections
Piasotski K., Lesser O., Reich A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 17 Article 174527
Recent experiments on planar superconductor-topological insulator-superconductor (S-TI-S) junctions, e.g., in the Corbino geometry, have reported low-temperature nonzero Josephson currents in states with integer fluxoid (flux) induced in the junction by a perpendicular magnetic field. This effect was discussed in connection with Majorana zero modes localized in Josephson vortices of such junctions. Here, we provide an ...
Добавлено: 27 мая 2025 г.
УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
Амиров Э. Ш., Карабасов Т., Васенко А. С., В кн.: Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)».: Уфа: Издательство БГПУ, 2023. С. 20–23.
Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности ...
Добавлено: 25 декабря 2023 г.
Topological Josephson junction in transverse magnetic field
Backens S., Shnirman A., Махлин Ю. Г., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Hybrid helical state and superconducting diode effect in superconductor/ferromagnet/topological insulator heterostructures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Голубов А. А. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 22 Article 224509
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
О перколяционном режиме объемного транспорта в топологическом изоляторе Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S
Пудалов В. М., Сахин В. О., Куковицкий Е. Ф. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2022 Т. 115 № 4 С. 270–276
C помощью электронного спинового резонанса было зафиксировано формирование наноразмерных “капель” заряда в объеме трехмерного топологического изолятора Bi1.08Sn0.02Sb0.9Te2S. Поскольку электроны и дырки “заперты” в этих каплях на большом расстоянии друг от друга, их участие в проводимости путем обычного переноса заряда невозможно. Наши транспортные измерения показывают,что при относительно высоких температурах объемная проводимость носит активационный характер с энергиями активации, которые ...
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Effect of Sr Doping on Structural and Transport Properties of Bi2Te3
Кунцевич А. Ю., Materials 2022 Vol. 14 No. 24 P. 7528–7528
Добавлено: 17 июня 2022 г.
Suppression of ballistic helical transport by isotropic dynamical magnetic impurities
Yevtushenko O. M., Юдсон В. И., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 Article 195414
Добавлено: 6 декабря 2021 г.
Experimental Observation of Bound States of 2D Dirac Electrons at Surface Steps of the Topological Insulator Bi2Se3
Fedotov N., Зайцев-Зотов С. В., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2019 Vol. 13 No. 5 Article 1800617
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Noise in the Helical Edge Channel Anisotropically Coupled to a Local Spin
Нагаев К. Э., Ремизов С. В., Shapiro D.S., JETP Letters 2018 Vol. 108 P. 664–669
Добавлено: 29 октября 2021 г.
Reentrant superconductivity in proximity to a topological insulator
T. Karabassov, A.A. Golubov, Silkin V. M. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 103 P. 224508-1–224508-9
Добавлено: 4 июня 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору