• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
29 октября 2026 г.
Как прогнозировать будущее науки и технологий
Лаборатория исследований науки и технологий, действующая в структуре Института статистических исследований и экономики знаний НИУ ВШЭ, изучает текущее состояние научных исследований и разработок, анализирует тренды и их динамику, что позволяет понимать масштаб вызовов, связанных с применением новейших технологий, определять приоритеты будущих работ, формировать научную и промышленную политику. Новостная служба «Вышка.Главное» побеседовала с заведующей лабораторией Лилианой Проскуряковой и директором Форсайт-центра ИСИЭЗ Александром Соколовым.
29 октября 2026 г.
Плоская модель местности скрыла от симулятора потерю связи между машинами
Исследователи МИЭМ ВШЭ показали, что популярные симуляторы связи между автомобилями заметно переоценивают ее надежность, потому что считают рельеф местности плоским. Если учесть рельеф, мосты и туннели, доля потерянных соединений на горном серпантине вырастает с 21 до 30%, у эстакады — с 20 до 33%, а в туннеле — с нуля до 80%.Результаты опубликованы в журнале Future Transportation.
27 октября 2026 г.
НИУ ВШЭ открывает прием заявок от подразделений на участие в Программе привлечения российских постдоков
Как привлечь новые компетенции в исследовательскую команду, дать импульс перспективному проекту и наладить сотрудничество с учеными из других организаций? Один из инструментов — Программа привлечения российских постдоков в НИУ ВШЭ. C 26 октября по 18 декабря 2026 года научные подразделения университета смогут подать заявки на привлечение постдоков к своим проектам или продление контрактов с действующими участниками программы.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Прерывание нелокальной проводимости двумерного топологического изолятора на основе HgTe

С. 153.
Галиуллин А. А., Соболевский О. А., Михайлов Н. Н., Дворецкий С. А., Кунцевич А. Ю.

Демонстрируется влияние длины края двумерного топологического изолятора на основе квантовой 8 нм ямы HgTe на нелокальный транспорт. Предложена и реализована геометрия структуры типа длинного края. Показано, что вклад длинного края в кондактанс мал по сравнению с вкладом короткого края. Данная геометрия позволяет полностью поляризовать ток по спину.

Язык: русский
Ключевые слова: topological insulatorтопологический изолятор
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Теоретические и экспериментальные исследования в области физики конденсированного состояния (2022)

В книге

XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Похожие публикации
Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator
D.V. Khomitsky, Lavrukhina E. A., Krasavin D. P. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 23 октября 2026 г.
Electrically driven Rabi dynamics of magnetic field induced corner states in a two-dimensional topological insulator
Lavrukhina E. A., Krasavin D. P., Krishtopenko S. S. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 22 Article 225414
Добавлено: 19 октября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Formation of bound states from the edge states of 2D topological insulator by macroscopic magnetic barriers
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Формирование связанных состояний и управление их локализацией в двойной квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Управление локализацией зарядовой и спиновой плотности в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора как физическая основа операций с кубитами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 344–349
Исследованы методы управления пространственной локализацией и спиновой поляризацией состояний в модели двойной квантовой точки на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Обнаружены переходы в спектре под действием резонансного электрического поля, для которых начальные и конечные состояния отвечают различной пространственной локализации либо определенному знаку выбранной спиновой проекции. На их основе ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Моделирование уровней Ландау, холловского и продольного сопротивления в топологическом андерсоновском изоляторе в квантовой яме HgTe/Hg0.3Cd0.7Te
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 6 С. 337–342
Исследуются уровни Ландау, условия наблюдения квантования холловского сопротивления и поведение продольного сопротивления краевых состояний в магнитном поле для квантовой ямы HgTe/Hg0.3Cd0.7Te ориентации (013) и ширины 14.1 нм со спектром полуметалла, вблизи точки зарядовой нейтральности. Основываясь на результатах недавних экспериментов для такой структуры с беспорядком в фазе топологического андерсоновского изолятора и привлекая теорию локализации краевых состояний ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
ЛЗШМ- и ЭДСР-интерферометрии и одноэлектронная динамика в двойной квантовой точке на краю топологического изолятора с магнитными барьерами
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2026 Т. 169 № 6 С. 668–687
Представлены результаты моделирования одноэлектронной динамики в режимах интерференции Ландау-Зенера-Штюкельберга-Майораны и электрического дипольного спинового резонанса для двойной квантовой точки, образованной тремя магнитными барьерами на краю топологического изолятора, сформированного на базе квантовой ямы HgTe/CdHgTe. Выбраны параметры системы, обеспечивающие присутствие четырех дискретных уровней, для которых реализуется связанная динамика спиновой и координатной степеней свободы. Результаты численного моделирования показывают, что ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Strain-induced superconducting proximity effect in the topological insulator TaSe3
Lukmanova R.M., Cohn I.A., Minakova V. E. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 22 Article 224510
Магнитосопротивление структур сверхпроводник–топологический изолятор–сверхпроводник, где индий выступает в роли сверхпроводника, а TaSe3 – в роли топологического изолятора, демонстрирует ступенчатые особенности сопротивления под действием магнитных полей. Эти ступени сопротивления являются результатом подавления сверхпроводимости, вызванного эффектом сверхпроводящей близости как в объёмных, так и в поверхностных состояниях топологического изолятора. Положение и амплитуда ступеней, возникающих приблизительно при 0,1 Тл, ...
Добавлено: 11 марта 2026 г.
Electronic localization on the structural inhomogeneities formed due to Bi and Te deficiency in the MBE grown films of AF topological insulator MnBi2Te4: Evidence from spectroscopic ellipsometry and infrared studies
Kovaleva N. N., Chvostova D., Fursova T. N. и др., Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 163 No. 19 Article 194711
Добавлено: 18 февраля 2026 г.
Competitive helical bands and highly efficient diode effect in F/S/TI/S/F hybrid structures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Pavel M. Marychev и др., Beilstein Journal of Nanotechnology 2025 Vol. 17 P. 15–23
Добавлено: 22 декабря 2025 г.
Mastering the growth of antimonene on Bi2Se3: Strategies and insights
Flammini R., Hogan C., Colonna S. и др., Applied Physics Reviews 2025 Vol. 12 No. 1 Article 011336
Добавлено: 6 сентября 2025 г.
Current flow in topological insulator Josephson junctions due to imperfections
Piasotski K., Lesser O., Reich A. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2025 Vol. 111 No. 17 Article 174527
Recent experiments on planar superconductor-topological insulator-superconductor (S-TI-S) junctions, e.g., in the Corbino geometry, have reported low-temperature nonzero Josephson currents in states with integer fluxoid (flux) induced in the junction by a perpendicular magnetic field. This effect was discussed in connection with Majorana zero modes localized in Josephson vortices of such junctions. Here, we provide an ...
Добавлено: 27 мая 2025 г.
УРОВНИ ЛАНДАУ НА ПОВЕРХНОСТИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА С ЗАДАННЫМ БЕСПОРЯДКОМ
Амиров Э. Ш., Карабасов Т., Васенко А. С., В кн.: Избранные труды II Всероссийской молодежной школы-конференции «СОВРЕМЕННЫЕ ФИЗИКА, МАТЕМАТИКА, ЦИФРОВЫЕ И НАНОТЕХНОЛОГИИ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ (ФМЦН-23)».: Уфа: Издательство БГПУ, 2023. С. 20–23.
Феноменологически топологический изолятор – это материал, который проводит ток по поверхности, в то же время являясь изолятором изнутри [2]. Данный материал представляет интерес в области квантовых вычислений из-за сильного спин-орбитального взаимодействия; нашлось практическое применения топологического изолятора в оптоэлектронных устройствах, сверхпроводниковых диодах [1; 5; 10; 11; 12; 13]. В данной работе изучаются влияние примесей на поверхности ...
Добавлено: 25 декабря 2023 г.
Topological Josephson junction in transverse magnetic field
Backens S., Shnirman A., Махлин Ю. Г., JETP Letters 2022 Vol. 116 No. 12 P. 891–895
Добавлено: 10 декабря 2022 г.
Hybrid helical state and superconducting diode effect in superconductor/ferromagnet/topological insulator heterostructures
Карабасов Т., Бобкова И. В., Голубов А. А. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 22 Article 224509
Добавлено: 24 ноября 2022 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору