?
Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance
P. 1-1.
Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Фоминых Н. А., M.V. Maximov, Моисеев Э. И., F.I. Zubov, Иванов К. А., Махов И. С., Mozharov A. M., Kaluzhnyy N. N., Mintairov S. A., Guseva Y. A., Gordeev N. Y., Жуков А. Е.
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.2 P. 108-113
Добавлено: 3 июля 2023 г.
В статье представлена методика применения системы АСОНИКА при моделировании тепловых процессов блоков и печатных узлов. В статье также представлен пример расчёта блока и печатного узла на тепловые воздействия при стационарном и нестационарном режимах согласно описанной методике в системе АСОНИКА. ...
Добавлено: 11 декабря 2014 г.
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Жуков А. Е., , in : SPIE PHOTONICS EUROPE 2020 Biophotonics in Point-of-Care. Vol. 11361: Biophotonics in Point-of-Care.: Bellingham : SPIE, 2020.
Добавлено: 24 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Journal of Applied Physics 2016 Vol. 120 No. 33 P. 233103
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Зубов Ф. И. и др., Photonics Research 2019 Vol. 7 No. 6 P. 664-668
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
K. Petrosyants, E. Orekhov, I. Kharitonov и др., Proceedings of SPIE (США) 2012 Vol. 8700 P. 16.1-16.6
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Raskhodchikov A. V., Scherbak S., Крыжановская Н. В. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1124 No. 5 P. 051031
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Расходчиков А. В., Щербак С. А., Крыжановская Н. В. и др., Journal of Physics: Conference Series 2020
Добавлено: 7 декабря 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
F I Zubov, E I Moiseev, A M Nadtochiy и др., Semiconductor Science and Technology 2022 Vol. 37 No. 7 Article 075010
Добавлено: 12 июля 2022 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Крыжановская Н. В., Polubavkina Y., Моисеев Э. И. и др., Journal of Applied Physics 2018 Vol. 124 No. 16 P. 163102
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Davletbaev R., Gumerova O., Зарипов И. И. и др., Journal of International Scientific Publications: Materials, Methods & Technology 2013 Vol. 7 No. 2 P. 174-183
The physical, mechanical and thermal properties of polyurethane produced by the reaction of urethane prepolymers with coordination compounds of copper were studied. The peculiarity of the used metal complexes is catalytic activity in the low-temperature dissociation of urethane groups and the ability to interact with the isocyanate groups with the subsequent formation of azoaromatic derivatives. ...
Добавлено: 9 декабря 2013 г.
Крыжановская Н. В., Zubov Fedor I., Моисеев Э. И. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 1 Article 016201
Добавлено: 2 декабря 2021 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Optics Letters 2017 Vol. 42 No. 17 P. 3319-3322
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Fetisova M., Крыжановская Н. В., Reduto I. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2020 Vol. 37 No. 6 P. 1878-1885
Добавлено: 23 сентября 2022 г.
Крыжановская Н. В., Scherbak, S., Maximov M. и др., Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics 2019 Vol. 36 No. 8 P. 2285-2291
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Петросянц К. О., Торговников Р. А., , in : 31-th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling and Management Symposium,. : San Jose : the Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 2015. P. 172-175.
Добавлено: 11 марта 2016 г.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648-651
Проведено электротепловое моделирование современных структур Si и SiGe биполярных транзисторов с помощью САПР Sentaurus Synopsys. Показано, что для SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов, работающих на высоких плотностях тока, наблюдается более высокая рабочая температура по сравнению с идентичными кремниевыми транзисторами при одинаковой рассеиваемой мощности, что приводит к сильной деградации электрофизических параметров прибора и его электрических характеристик. ...
Добавлено: 18 февраля 2016 г.