Spectral Composition of Radiation from Microlaser Coupled to Waveguide

Представлены результаты моделирования системы микродисковый резонатор-волновод, образованный дефектом в фотонном кристалле. Учтена конечность фотонного кристалла, окружающего микродиск. Исследованы системы с различным размером фотонного кристалла. Показано, что сопряжение с волноводом в фотонном кристалле позволяет повысить выводимую из микродискового лазера мощность и при этом сохранить добротность (в отличие от схемы с планарным волноводом). Отмечено влияние мод полости ...

Добавлено: 4 июня 2026 г.

Исследование излучения микродискового лазера, монолитно интегрированного с оптическим волноводом

Федосов И. С., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 7 С. 388–391

Исследованы мощностные и спектральные характеристики излучения полупроводникового микродискового лазера диаметром 40 мкм, монолитно интегрированного с оптическим волноводом. Для уменьшения поглощения в волноводе применялась токовая накачка. На ватт-амперной зависимости наблюдаются особенности, связанные с началом генерации на более длинноволновом резонансе. При попадании этого резонанса в область слабого поглощения волновода наблюдается рост мощности излучения. Приложение прямого смещения к ...

Добавлено: 27 февраля 2026 г.

Spectral composition of radiation from microlaser coupled to waveguide

Федосов И. С., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 200–204

Исследован спектральный состав и ватт-амперные характеристики излучения микродискового лазера, связанного с оптическим волноводом. Наблюдалось переключение лазерных мод с ростом тока накачки. При этом в диапазонах тока накачки между переключением мод лазерная генерация имела одномодовый характер. Такое поведение обусловлено саморазогревом лазера и приводит к множественным изломам на ватт-амперной характеристике. Диапазон токов, в котором не наблюдается скачков ...

Добавлено: 12 января 2026 г.

High temperature operation and spectral stability of InGaN/GaN ring microlasers on silicon

Natalia V. Kryzhanovskaya, Sergey D. Komarov, Eduard I. Moiseev и др., IEEE Photonics Technology Letters 2026 Vol. 38 No. 4 P. 243–246

Добавлено: 18 ноября 2025 г.

Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers

Konstantin A. Ivanov, Alexey E. Zhukov, Eduard I. Moiseev и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 138 No. 10 Article 103104

Добавлено: 11 сентября 2025 г.

Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 5 С. 41–44

Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930-950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 μW (для 3 μm-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи ...

Добавлено: 30 апреля 2025 г.

Output Characteristics of III-V Quantum Dot Injection Microdisk Lasers

Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., , in: 2024 Asia Communications and Photonics Conference (ACP) and International Conference on Information Photonics and Optical Communications (IPOC).: IEEE, 2024. P. 1–4.

Добавлено: 13 января 2025 г.

Low-threshold surface-emitting whispering-gallery mode microlasers

Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2025 Vol. 31 No. 2 Article 1502808

Добавлено: 9 января 2025 г.

Mode leakage into substrate in microdisk lasers

I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...

Добавлено: 23 декабря 2024 г.

Effect of non-uniform carrier injection on two-state lasing in quantum dot microdisks with split electrical contact

A. A. Karaborchev, I. S. Makhov, Shandyba N. A. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2024 Vol. 57 No. 28 Article 285104

Добавлено: 26 августа 2024 г.

Fast switching between the ground- and excited-state lasing in a quantum-dot microdisk triggered by sub-ps pulses

Жуков А. Е., Надточий А. М., Alexey Karaborchev и др., Optics Letters 2024 Vol. 49 No. 2 P. 330–333

Добавлено: 5 февраля 2024 г.

Temperature evolution of two-state lasing in microdisk lasers with InAs/InGaAs quantum dots

Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Nanomaterials 2023 Vol. 13 No. 5 Article 877

Добавлено: 25 апреля 2023 г.

Two-state lasing in microdisk laser diodes with quantum dot active region

Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Photonics 2023 Vol. 10 No. 3 Article 235

Добавлено: 25 апреля 2023 г.

Optical Loss in Microdisk Lasers with Dense Quantum Dot Arrays

Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108

Добавлено: 26 января 2023 г.

Radiation outcoupling from microdisk lasers via dielectric resonant nanoantennas

Pidgayko D., Ivan Melnichenko, Shkoldin V. и др., Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications 2022 Vol. 52 Article 101081

Добавлено: 18 октября 2022 г.

Performance of InGaAs/GaAs Microdisk Lasers with Improved Thermal Resistance

Крыжановская Н. В., Драгунова А. С., Фоминых Н. А. и др., , in: 2022 International Conference Laser Optics (ICLO).: IEEE, 2022. P. 1–1.

Добавлено: 27 сентября 2022 г.