?
Dynamic characteristics and noise modelling of directly modulated quantum well-dots microdisk lasers on silicon
Laser Physics Letters. 2022. Vol. 19. No. 2. Article 025801.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Махов И. С., Иванов К. А., Драгунова А. С., Фоминых Н. А., Shernyakov Y. M., Mintairov S. A., Kalyuzhnyy N. A., Mikushev S. V., Zubov F., Maximov M., Крыжановская Н. В.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
Крыжановская Н. В., Zubov Fedor I., Моисеев Э. И. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 1 Article 016201
Добавлено: 2 декабря 2021 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Ledentsov N. N., Shchukin V. A., Shernyakov Y. M. и др., Solid-State Electronics 2019 Vol. 155 P. 129-138
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 9 С. 820-825
На основе анализа скоростных уравнений с помощью численного моделирования и аналитически
исследовано насыщение усиления в оптическом усилителе на основе массива квантовых точек. Показано, что
при умеренном уровне инжекции величина мощности насыщения растет пропорционально плотности тока,
а в дальнейшем достигает своего наибольшего значения, ограниченного скоростью поступления носителей
заряда на основное состояние и количеством квантовых точек, взаимодействующих с фотонами. Предложены
выражения, позволяющие ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256-263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2020 Т. 46 № 16 С. 3-6
Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n + -GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и ...
Добавлено: 25 августа 2020 г.
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Quantum Electronics 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593-596
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Khrebtov A. I., Kulagina A. S., Danilov V. V. и др., Journal of Optical Technology (A Translation of Opticheskii Zhurnal) 2022 Vol. 89 No. 5 P. 298-301
Предмет исследования. В работе исследована фотолюминесценция гибкой пленочной структуры, представляющей собой массив нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP, внедренных в полимеризованный слой триоктилфосфин оксида с коллоидными квантовыми точками CdSe/ZnS, в зависимости от интенсивности возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне при комнатной температуре. Метод. Нитевидные нанокристаллы были синтезированы на подложке Si (III) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на установке Compact 21 фирмы ...
Добавлено: 26 сентября 2022 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Mintairov S. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2018 Vol. 255 No. 9 Article 1800123
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 11 С. 1483-1485
Исследованы характеристики лазерной генерации микродисковых лазеров, сопряженных с оптическим волноводом и работающих в непрерывном режиме при повышенных температурах. Продемонстрированы лазерная генерация и волноводный эффект при температурах вплоть до 92.5 С. Измеренная характеристическая температура микролазеров составила 65 K в диапазоне 25-92.5 С. ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.