?
III–V microdisk/microring resonators and injection microlasers
Journal of Physics D: Applied Physics. 2021. Vol. 54. Article 453001.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Марычев П. М., Шаненко А. А., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Запруднов Н. А., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 10 С. 973–978
Исследована динамика туннелирования и спина для дырочных состояний в двойной квантовой точке на основе GaAs при наличии сильного спин-орбитального взаимодействия и периодического электрического поля. Рассмотрены режимы туннелирования с переворотом спина в условиях "медленной" эволюции, при которой частота поля меньше остальных энергетических параметров стационарной части гамильтониана. Обнаружено, что в таких условиях туннелирование с переворотом спина может ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Kalentyeva I. L., Vikhrova O. V. и др., Journal of Magnetism and Magnetic Materials 2022 Vol. 556 Article 169360
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Konakov A. A., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Condensed Matter 2022 Vol. 34 Article 405302
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Studenikin S. A., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2022 Vol. 106 No. 19 Article 195414
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Лаврухина Е. А., Тележников А. В., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 7 С. 551–554
Разработана модель локализованных состояний в двойной квантовой точке на крае топологического изолятора на основе квантовой ямы HgTe/CdTe, сформированной тремя магнитными барьерами. Исследованы особенности энергетического спектра, плотности вероятности и спиновой плотности квантовых состояний в зависимости от ориентации векторов намагниченности магнитных барьеров. Изучена локализация волновых функций слева и справа от точки антикроссинга в спектре и сделан вывод ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Хомицкий Д. В., Bastrakova M. V., Munyaev V. O. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2023 Vol. 108 No. 20 Article 205404
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Добавлено: 27 августа 2026 г.
Касимов Р. Х., Аржанов А. И., Седых К. О. и др., Оптический журнал 2026 Т. 93 № 1 С. 80–86
Предмет исследования. Использование метода капельного нанесения для изготовления источника одиночных фотонов. Цель работы. Разработка технологического процесса изготовления источника одиночных фотонов на коллоидных квантовых точках для использования их в фотон- ных интегральных схемах. Метод. На первом этапе в программе ANSYS Lumerical рассчитыва- ются период и фактор заполнения фокусирующих элементов связи на длинах волн 545 и 600 ...
Добавлено: 31 июля 2026 г.
Babichev A., Bobrov M., Vasil'ev A. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 24 Article 241102
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Иванов К. А., Федосов И. С., Войтович В. И. и др., Письма в Журнал технической физики 2026 Т. 52 № 12 С. 53–58
Представлены результаты моделирования системы микродисковый резонатор-волновод, образованный дефектом в фотонном кристалле. Учтена конечность фотонного кристалла, окружающего микродиск. Исследованы системы с различным размером фотонного кристалла. Показано, что сопряжение с волноводом в фотонном кристалле позволяет повысить выводимую из микродискового лазера мощность и при этом сохранить добротность (в отличие от схемы с планарным волноводом). Отмечено влияние мод полости ...
Добавлено: 4 июня 2026 г.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Babichev A., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2026 Vol. 32 No. 6 Article 1700208
Добавлено: 23 марта 2026 г.
Бабичев А. В., Махов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 № 21 С. 58–62
Продемонстрирована генерация в микролазерах на основе вертикального микрорезонатора при температуре 244 K. Пороговая поглощенная оптическая мощность, длина волны генерации и добротность микролазера с диаметром 4 µm составили ∼ 2.8 mW, 989 nm и 12 000 соответственно. Минимальная пороговая поглощенная оптическая мощность (250 µW) соответствует температуре 168 K. ...
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Babichev A., Blokhin A., Zadiranov Y. и др., Applied Physics Letters 2026 Vol. 128 No. 5 Article 051105
Добавлено: 13 марта 2026 г.
Федосов И. С., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2025 Т. 59 № 7 С. 388–391
Исследованы мощностные и спектральные характеристики излучения полупроводникового микродискового лазера диаметром 40 мкм, монолитно интегрированного с оптическим волноводом. Для уменьшения поглощения в волноводе применялась токовая накачка. На ватт-амперной зависимости наблюдаются особенности, связанные с началом генерации на более длинноволновом резонансе. При попадании этого резонанса в область слабого поглощения волновода наблюдается рост мощности излучения. Приложение прямого смещения к ...
Добавлено: 27 февраля 2026 г.
Федосов И. С., Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 200–204
Исследован спектральный состав и ватт-амперные характеристики излучения микродискового лазера, связанного с оптическим волноводом. Наблюдалось переключение лазерных мод с ростом тока накачки. При этом в диапазонах тока накачки между переключением мод лазерная генерация имела одномодовый характер. Такое поведение обусловлено саморазогревом лазера и приводит к множественным изломам на ватт-амперной характеристике. Диапазон токов, в котором не наблюдается скачков ...
Добавлено: 12 января 2026 г.