?
Применение метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок кремния
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 34-37.
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов по магнетронному напылению наноразмерных пленок Si и других материалов на кремниевые подложки.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587-589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
Monakhov I.S., Bondarenko G.G., Inorganic Materials: Applied Research 2019 Vol. 10 No. 5 P. 1058-1064
Добавлено: 21 сентября 2019 г.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
М. : МАКС Пресс, 2020
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V.M., Andryushechkin B. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 23 P. 235410-235410
Добавлено: 16 ноября 2020 г.
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
Смирнов И. С., Kondrashov P. E., Baranov A. M., Solid state Technology 1999 Vol. 42 No. 5 P. 53-58
Добавлено: 22 марта 2013 г.
Skorokhodov E., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 32 P. 19806-19811
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Монахов И. С., Бондаренко Г. Г., Перспективные материалы 2019 № 2 С. 14-22
Исследована кинетика роста наноразмерной пленки германия, осажденной магнетронным
распылением на поверхности Si(001), с помощью разработанной экспериментальной
рентгенорефлектометрической методики, отличающейся совместной регистрацией
зеркально-отраженного и диффузно-рассеянного излучения. С помощью данной методики
можно осуществлять in situ как анализ морфологии растущей пленки, так и контроль
ее толщины с точностью до 1 нм. Получены зависимости интенсивности зеркального
отражения, диффузного рассеяния, скорости роста, среднеквадратичной шероховатости
пленки и ее ...
Добавлено: 31 января 2019 г.
Дровосеков А. Б., Крейнес Н. М., Савицкий А. О. и др., Журнал экспериментальной и теоретической физики 2015 Т. 147 № 6 С. 1204-1219
Изучено влияние толщины прослойки хрома на магнитное состояние многослойной структуры [Fe/Cr/Gd/Cr]n. Методами СКВИД-магнитометрии и ферромагнитного резонанса в интервале температур 4.2 - 300К исследована серия структур Fe/Cr/Gd с толщинами прослойки Cr в диапазоне 4 - 30Å. Для описания экспериментальных результатов используется модель эффективного поля, учитывающая биквадратичный вклад в энергию межслойного обмена, а также неоднородное распределение намагниченности ...
Добавлено: 9 июня 2015 г.
Муслимов А. Э., Буташин А. В., Коновко А. А. и др., Crystallography reports 2012 Vol. 57 No. 3 P. 415-420
В статье показаны возможности использования упорядоченных наноразмерных массивов островков золота на сапфировых подложках с нанорельефом определенной ориентации. Описание морфологии структур выполнено на основе данных атомно-силовой микроскопии. Изучение угловой зависимости коэффициента отражения в видимом диапазоне длин волн электромагнитного излучения выявило некоторые особенности, которые, вероятно, вызваны поверхностным плазмонно-поляритонным возбуждением на границе раздела вакуум-золото под воздействием p-поляризованного излучения. ...
Добавлено: 13 декабря 2012 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Пруцков Г. В., Пашаев Э. М., Субботин И. А. и др., В кн. : Первый российский кристаллографический конгресс. Сборник тезисов. : М. : НП-Принт, 2016. С. 134-134.
В работе показано использование комплементарного подхода к анализу серии разнородных экспериментов на примере рентгеновских методов исследований. ...
Добавлено: 14 февраля 2017 г.
Likhachev I. A., Subbotin I. A., Prutskov G. V. и др., , in : First AfLS Conference and Workshop 2015. Book of abstracts. : [б.и.], 2015. P. 23-23.
Добавлено: 17 июня 2016 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260-264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Вербус В. А., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е. и др., Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51 № 12 С. 1599-1604
В работе для растворов КОН и HF : H2O2 : CH3COOH исследована селективность травления SiGe-структур в зависимости от их состава. Полученные результаты предложено использовать для создания на кремнии субмикронного рельефа поверхности за счет селективного травления структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si). В предлагаемом подходе наноостровки Ge(Si) служат маской для селективного травления Si в водном растворе KOH ...
Добавлено: 15 февраля 2018 г.
Золотов Ф. И., Divochiy A., Vakhtomin Y. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 No. 1124 P. 1-6
Добавлено: 27 декабря 2018 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Feigin L. A. и др., Materials Science and Engineering C 2002 Vol. 22 P. 129-133
Добавлено: 19 марта 2013 г.
Пруцков Г. В., Ковальчук М. В., Пашаев Э. М. и др., В кн. : Нанотехнологии функциональных материалов (НФМ’14): Труды международной научно-технической конференции. : СПб. : Издательство Санкт-Петербургского политехнического университета, 2014. С. 423-423.
В статье приводится исследование структур различных новых функциональных материалов, таких как эпитаксиальные слои оксида европия на кремнии или гетероструктуры на основе твердых растворов вида InP/AlGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs при помощи методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции и рентгеновской рефлектометрии. Полученные этими методиками результаты показали хорошее согласование как друг с другом, так и с другими методами изучения структурного совершенства материалов, такими как ...
Добавлено: 25 декабря 2014 г.
Геранин А. С., Волков Ю. О., Рощин Б. С. и др., Заводская лаборатория. Диагностика материалов 2010 Т. 76 № 4 С. 34-39
В статье рассмотрена связь совершенства кристаллов-монохроматоров с параметрами фокусируемого с их помощью рентгеновского пучка. Обоснована возможность практического применения кристаллов-монохроматоров из фторидов лития и кремния в задачах рентгеновской рефлектометрии. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Тихонов А. М., Асадчиков В. Е., Волков Ю. О. и др., Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 2016 Т. 104 № 12 С. 880-887
Применив модельно-независимый подход к восстановлению профилей электронной концентрации по данным рентгеновской рефлектометрии, нами прослежен процесс упорядочения мультислоя из бислоев DSPC на кремнезольной подложке. По нашему мнению, электропорация бислоев в поле анионных наночастиц кремнезема значительно ускоряет процесс насыщения их Na+ и Н2О, что объясняет как относительно небольшое время формирования структуры мультислоя, так и избыток концентрации электронов ...
Добавлено: 15 декабря 2016 г.