• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
30 апреля 2026 г.
«Моя цель - стать ординарным профессором»
Михаил Саматов занимается теоретическими исследованиями перовскитных солнечных батарей. В интервью проекту «Молодые ученые Вышки» он рассказал о работе на суперкомпьютере Вышки, сотрудничестве с Пекинским университетом и умении делать мебель.
29 апреля 2026 г.
Научить машину читать прошлое: на ФГН создают нейросеть для расшифровки рукописей
Дневники и письма — бесценный источник для гуманитария-исследователя. Но что делать, если текст невозможно прочитать? На факультете гуманитарных наук (ФГН) ВШЭ эту проблему решили перевести на язык математики: команда филологов, историков и специалистов по машинному обучению создала информационную систему, которая не только распознает неразборчивый почерк, но и помогает анализировать содержание архивов.
29 апреля 2026 г.
8 драйверов технологического будущего: что изменит экономику
Какие отрасли определят облик ближайших десятилетий? Премьер-министр  Михаил Мишустин назвал 8 направлений, которые будут развиваться в ближайшие годы. О том, какие образовательные программы НИУ ВШЭ готовят специалистов по этим направлениям — в материале IQ медиа.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек

С. 116–121.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М.

Разработанные spice-модели фоточувствительных элементов были использованы для моделирования характеристик фоточувствительных элементов с горизонтальной структурой: фотодиода и биполярного транзистора, – изготовленных по КМОП-технологии «кремний на сапфире» (КНС КМОП) 0,5 мкм компании Peregrine, и ФДУЗ, изготовленного по отечественной 2 мкм КНС КМОП-технологии. Показана хорошая точность совпадения измеренных и смоделированных характеристик.

Язык: русский
Полный текст
Ключевые слова: определение параметров моделейсхемотехническое моделированиетехнология «кремний на сапфире»фоточувствительные элементысхемотехнические модели

В книге

Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.
М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012.
Похожие публикации
Сравнительный анализ подходов к определению разброса температурно-зависимых параметров SPICE-моделей МОП-транзисторов
Хлынов П. А., Самбурский Л. М., Наноиндустрия 2025 Т. 18 № S11-2 (135) С. 848–854
Учет разброса параметров SPICE-моделей полупроводниковых компонентов при схемотехническом моделировании электронных блоков необходим для более точной оценки пределов их работоспособности в процессе проектирования электронной аппаратуры. Это оказывается особенно важно для аппаратуры, предназначенной для работы в условиях, отличных от нормальных, или тех, к которым предъявляются строгие требования. В данной работе производятся сравнение и анализ различных подходов для ...
Добавлено: 16 сентября 2025 г.
Разработка частотного фильтра для датчика однофазного замыкания воздушной линии электропередач
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Расширение возможностей SPICE-подобных программ за счет учета эффектов старения в МОП схемах, обусловленных эффектами горячих носителей, пробоя диэлектрика и электромиграции
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
SPICE-модель для учета влияния эффекта горячих носителей в биполярных транзисторах
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Унифицированная SPICE-модель биполярного транзистора, учитывающая влияние различных видов радиации
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Modeling of the Submicron MOSFETs Characteristics for UTSi Technology
Adonin A. S., Петросянц К. О., Попов Д. А., , in: Proceedings of SPIE 11022. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018Vol. 11022G.: SPIE, 2019. P. 1–6.
Добавлено: 30 ноября 2019 г.
Метод огибающих для расчета переходного процесса и установившегося режима электронных схем
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 410–411
В работе рассмотрены проблемы построения алгоритмов моделирования переходного процесса и периодического установившегося режима интегральных схем с помощью методов огибающих. Предложены алгоритмы огибающих на базе применения одношаговых методов высокого порядка для решения обыкновенных дифференциальных уравнений (ОДУ). ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Метод моделирования нелинейных искажений для периодического режима работы радиотехнических интегральных схем
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Журнал радиоэлектроники 2018 № 5 С. 5
Обсуждается вычислительный метод расчета нелинейных искажений для радиотехнических интегральных схем в периодическом установившемся режиме в частотной области. Mетод ориентирован на применение в системах автоматизации схемотехнического проектирования. В отличие от методов, базирующихся на рядах Вольтерра, метод не требует вычисления второй и третьей производных в используемых моделях приборов. Применение приведённых вычислительных процедур обеспечивает расчет нелинейных искажений в ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Применение одношаговых методов интегрирования высокого порядка точности для анализа установившихся периодических режимов в интегральных схемах
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2018 № 1 С. 103–108
В работе предлагается вычислительный метод анализа установившегося периодического режима аналоговых интегральных схем. Решение периодической краевой задачи выполняется методом пристрелки-Ньютона, в котором для решения задачи с начальными значениями предлагается применить одношаговые методы численного интегрирования ОДУ, полученные на основе формулы Обрешкова. Приведены примеры анализа периодического установившегося режима. ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Моделирование схем с сегнетоэлектрическими емкостями
Гурарий М. М., Жаров М. М., Рассадин А. Э. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2018 № 1 С. 83–87
При использовании симуляторов типа SPICE для моделирования сегнетоэлектрических схем возникают трудности из-за отрицательных значений дифференциальной емкостей и наличия плавающих узлов между емкостями. В статье предлагаются модели нелинейных емкостей в виде эквивалентных схем с заданными прямыми или обратными вольт-кулонными характеристиками. Дополнительный “зарядовый” вывод моделей позволяет анализировать и инициализировать заряды емкостей, а также моделировать цепочки емкостей с ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Редуцирование модели электрической схемы с учетом характеристик внешних цепей
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 9 С. 563–572
Показано, что важным направлением совершенствования проекционных методов редуцирования моделей линейных электрических цепей является учет характеристик их схемного окружения. Для решения этой задачи разработан подход к построению редуцированной модели подсхемы линейной цепи на основе метода отбора векторов состояния. Обсуждаются возможности учета нелинейного окружения схемы. Численные эксперименты показали существенное повышение точности и снижение порядка редуцированной модели при ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Минимаксная оптимизация в задачах схемотехнического проектирования
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 7 С. 435–444
Рассмотрены направления совершенствования методов минимаксной оптимизации при решении задач проектирования, включающие: способ задания частных критериев в виде произвольной кусочно-линейной выпуклой функции; использование особенностей задачи и алгоритмов схемотехнического моделирования для ускорения процедур оптимизации; принципы построения алгоритма решения линейной минимаксной задачи на шаге оптимизации с учетом возможной многокритериальности. ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Учёт эффектов отжига радиационных эффектов в SPICE моделях МОП-транзисторов для расчётов радиационно стойких КМОП БИС
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ ОПТИМИЗАЦИИ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ АНАЛОГОВЫХ СХЕМ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Гурарий М. М., Жаров М. М., Прокопенко Н. Н. и др., Журнал радиоэлектроники 2018 № 4 С. 7
Обсуждается применение оптимизационных методов для решения задачи определения параметров аналоговых микросхем (АМ) в процессе их проектирования. Приводятся постановки оптимизационной задачи и методики ее решения для двух классов АМ – быстродействующих операционных усилителей и линейных компенсационных стабилизаторов напряжения с непрерывным регулированием (КСН). Выбор данных классов АМ обусловлен их широким распространением, наличием противоречивых проектных требований, которые влияют ...
Добавлено: 12 июля 2018 г.
Редуцированная поведенческая модель линейного динамического блока для задач схемотехнического моделирования
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Вестник Рязанского государственного радиотехнического университета 2018 № 64 С. 35–45
Рассматривается задача моделирования электронных схем, содержащих помимо традиционных компонентов линейные многополюсные блоки, характеризуемые рациональными и экспоненциально-рациональными передаточными функциями в частотной области. Целью работы является разработка математических методов, программных решений и методических принципов для включения произвольных линейных блоков в число компонентов типовых процедур схемотехнического моделирования. ...
Добавлено: 12 июля 2018 г.
Разработка методов схемотехнического моделирования радиотехнических интегральных схем с нанометровыми проектными нормами
Ульянов С. Л., Гурарий М. М., Жаров М. М. и др., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника-2015». Интегральные схемы и микроэлектронные модули: проектирование, производство и применение. Сборник докладов.: М.: Рекламно-издательский центр "ТЕХНОСФЕРА", 2016. С. 449–461.
В работе рассмотрены проблемы моделирования радиотехнических интегральных схем с нанометровыми проектными нормами. Обсуждается новое поколение методов моделирования, рассмотрены основные проблемы построения таких методов и алгоритмов и предложены способы повышения их вычислительной эффективности, приведен ряд полученных результатов. ...
Добавлено: 19 февраля 2018 г.
Имплементация элементов с лапласовскими передаточными функциями в программу схемотехнического моделирования
Ульянов С. Л., Gourary M. M., Rusakov S. G. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2017 No. 1 P. 39–45
Добавлено: 19 февраля 2018 г.
Аппроксимация рациональных передаточных функций на основе интегрального критерия точности
Ульянов С. Л., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2016 № 1 С. 124–130
Статья посвящена описанию нового метода построения редуцированной макромодели линейной динамической системы в виде рациональной передаточной функции. Метод основан на минимизации погрешности аппроксимации, заданной интегральным критерием. Предусмотрена модификация метода, ориентированная на минимизацию порядка модели при заданной погрешности. Рассмотрено распространение метода на случай векторной передаточной функции. Разработанный вычислительный алгоритм базируется на методе Гаусса-Ньютона. Приводятся примеры применения разработанного метода. ...
Добавлено: 19 февраля 2018 г.
Методы моделирования в частотной области периодических режимов автогенераторных схем
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Информационные технологии 2014 № 10 С. 36–43
Обсуждаются современные методы моделирования установившихся периодических режимов для анализа автогенераторных схем. Методы ориентированы на применение в программах схемотехнического моделирования, они позволяют анализировать произвольные конфигурации автогенераторных схем и обеспечивают расчет характеристик при внешнем периодическом воздействии произвольной формы. ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
Вычислительный метод расчета нелинейных искажений при мультитональных тестовых сигналах
Гурарий М. М., Жаров М. М., Ульянов С. Л. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2012 № 1 С. 157–162
В статье предлагается вычислительный метод расчета нелинейных искажений при сложных тестовых сигналах. В основе метода лежит применение гармонического баланса с переменными коэффициентами Фурье и численное вычисление интегралов Фурье с использованием интегрирующих полиномов. <img /> ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
Метод анализа режимов синхронизации и биений автогенератора при паразитном возбуждении сигналом произвольной формы и частоты
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 3 С. 73–81
Предложен метод анализа автогенераторных схем при внешнем периодическом возбуждении, ориентированный на произвольные конфигурации схем и произвольные формы внешних сигналов. Метод обеспечивает анализ характеристик при соотношении частоты внешнего воздействия и собственной частоты автогенератора, близком к рациональной дроби. ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
Метод гармонического баланса для анализа установившихся периодических режимов с учетом электротеплового взаимодействия элементов ИС
Гурарий М. М., Русаков С. Г., Ульянов С. Л., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2014 С. 71–76
В статье рассматривается вычислительный метод расчета периодического установившегося режима с учетом электротеплового взаимодействия элементов интегральных схем. Метод основан на декомпозиции системы уравнений электротеплового анализа, применении гармонического баланса и итерационных методах решения систем линейных алгебраических уравнений ...
Добавлено: 5 октября 2017 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору