Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.

М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012.

Научный редактор: Синкевич В., Филатов А., Савченко Е. М.

Ответственный редактор: Пронин А., Череменская Е., Мартынов А.

Сборник составлен по материалам докладов ХI научно-технической конференции "Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА" (г. Дубна, 17-19 октября 2012 г.).

На конференцию представлено более 70 научных докладов по следующим направлениям: СВЧ полупроводниковые приборы; силовая электроника и микроэлектроника; приборы и устройства фотоэлектроники; сложные функциональные блоки РЭА; САПР в разработках полупроводниковых ИЭТ и твердотельных блоков РЭА; надежность полупроводниковых приборов и блоков; технология, конструирование и технологическое оборудование; разработка и использование новых полупроводниковых материалов и структур, в том числе, широкозонных полупроводников.

Главы книги

Оценка эффективности теплоотвода BGA корпусов ИМС с помощью квазитрёхмерного теплового моделирования на ЭВМ

Петросянц К. О., Рябов Н. И., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 206–210.

С помощью квази-3D математической модели, реализованной в программе Overheat-BGA, произведён анализ эффективности теплоотвода стандартного BGA и XP-BGA-корпусов. Приводятся оценки зависимости перегрева кристалла от конструктивных особенностей корпусов, а также проверка модели путём сравнения данных моделирования и эксперимента. ...

Добавлено: 5 декабря 2012 г.

SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012. С. 116–121.

Разработанные spice-модели фоточувствительных элементов были использованы для моделирования характеристик фоточувствительных элементов с горизонтальной структурой: фотодиода и биполярного транзистора, – изготовленных по КМОП-технологии «кремний на сапфире» (КНС КМОП) 0,5 мкм компании Peregrine, и ФДУЗ, изготовленного по отечественной 2 мкм КНС КМОП-технологии. Показана хорошая точность совпадения измеренных и смоделированных характеристик. ...

Добавлено: 5 декабря 2012 г.