?
Моделирование биполярно-полевого технологического процесса с полной диэлектрической изоляцией
Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника. 2026. Т. 201. № 1. С. 28–34.
В работе представлены результаты приборно-технологического моделирования биполярных транзисторов на структуре «кремний - оксид кремния - кремний». Сравнение выходных характеристик моделей и образцов транзисторов показало высокую точность разработанной модели. Для улучшения характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом рассмотрены варианты коррекции конструкции. На основе рассчитанного технологического маршрута проведено моделирование топологии двухзатворного полевого транзистора.
Дубленский Д. С., КАНУННИКОВ Т. Н., Махмудов Т. Н. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2026 Т. 31 № S4.1 С. 137–148
Ключевым принципом функционирования беспилотного летательного аппарата является непрерывный сбор и обработка данных с бортовых датчиков, осуществляемая под управлением операционной системы реального времени (RTOS). Для мультикоптеров, где критически важна минимальная задержка реакции системы на изменения в полете, основным фактором становится производительность вычислительного ядра полетного контроллера. Исторически сложилось, что для этих целей доминирующим выбором стали микроконтроллеры на ...
Добавлено: 7 ноября 2026 г.
IEEE Circuits and Systems Society, 2026.
Добавлено: 4 ноября 2026 г.
Учебное пособие содержит описания восьми лабораторных работ по дисциплине «Функциональные узлы и компоненты систем контроля и управления»: исследование транзисторных усилительных каскадов, источников тока и токовых зеркал, каскодного и дифференциального каскадов и комплементарного повторителя, основных схем включения операционного усилителя, измерительных выпрямителей и пиковых детекторов, релаксационных генераторов и одновибраторов, линейных стабилизаторов напряжения, измерительного канала с мостовым датчиком, ...
Добавлено: 3 ноября 2026 г.
IEEE, 2026.
Добавлено: 31 октября 2026 г.
Припутин В. С., Комков А. А., Сподобаев Ю. М. и др., Антенны 2026 № 4(302) С. 22–28
Постановка проблемы. В современной практике получили распространение двухполяризационные четырехплечевые синусные антенны, которые способны сохранять и поддерживать свои эксплуатационные свойства в широкой полосе частот. Важное место в конструкции таких антенн занимают согласующие устройства, которые не только обеспечивают качество согласования сопротивлений между излучателями синусоидальной антенны и разъемами антенно-фидерного тракта, но и определяют эксплуатационные возможности антенны по направленности ...
Добавлено: 31 октября 2026 г.
Добавлено: 13 октября 2026 г.
В данной работе проведено сравнение точности дальнометрии лидарных архитектур прямого времени пролёта (dToF) и вне прямой видимости (NLOS), обе из которых используют сверхпроводящий нанопроволочный детектор одиночных фотонов (SNSPD). Обе системы работают на длине волны 1550 нм с импульсным лазером длительностью 50 пс и методом коррелированного во времени счёта одиночных фотонов (TCSPC). Конфигурация dToF обеспечила точность около 100 мкм ...
Добавлено: 12 октября 2026 г.
Goncharov A., Чибисов А. Н., Advanced Theory and Simulations 2023 Vol. 12 No. 13 Article 2200816
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Prokhorenko A., Чибисов А. Н., Gnidenko A. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 Vol. 15 No. 41 P. 10295–10300
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Andrey N. Chibisov, Chibisova M., Modern Electronic Materials 2025 Vol. 11 No. 2 P. 99–103
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Tyagi V., Srivastava A., Mangal A. и др., Surfaces and Interfaces 2025 Vol. 73 Article 107591
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Добавлено: 11 октября 2026 г.
Vangapandu E., Agrawal S., Kumar S. и др., Materials Science in Semiconductor Processing 2026 Vol. 211 Article 110752
Добавлено: 10 октября 2026 г.
Степанянц В. Г., Andrey V. Fizulin, Chibirov A. и др., FUTURE TRANSPORTATION 2026 Vol. 6 No. 5 Article 225
Добавлено: 8 октября 2026 г.
В данной работе исследуются теоретические пределы обнаружения объектов в изотропных рассеивающих средах с использованием однофотонного лидара. В рамках упрощенной модели мы выводим фундаментальную зависимость между максимальной достижимой дальностью обнаружения и необходимым количеством фотонов в импульсе. Анализируются два различных предельных режима: режим баллистических фотонов, который сохраняет высокое пространственное разрешение, но требует экспоненциального увеличения мощности источника с ...
Добавлено: 8 октября 2026 г.
Merzlinkin V., Khmelev A. V., D.O. Sevryukov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.2 P. 205–209
Добавлено: 5 октября 2026 г.
A.V. Duplinsky, Khmelev A. V., R.M. Bakhshaliev и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 88–92
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Miller A., Pismeniuk L., Alexey V. Duplinsky и др., EPJ QUANTUM TECHNOLOGY 2023 Vol. 10 No. 1 Article 52
Добавлено: 5 октября 2026 г.
Рассмотрены варианты конструктивного исполнения n-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, интегрируемого в высоковольтный комплементарный биполярный технологический процесс с изоляцией обратносмещенным p-n-переходом. Сформулированы критерии отбора моделей транзисторов по электрическим параметрам. С учетом критериев проведено приборно-технологическое моделирование на подложках объемного кремния. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ n-канального и ранее разработанного р-канального полевых транзисторов. Для оценки ...
Добавлено: 12 сентября 2024 г.
В работе приведены результаты приборно-технологического моделирования электрофизических параметров р-канального полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Рассмотрены три варианта конструкции выполнения, возможных при интеграции в составе высоковольтного комплементарного биполярного технологического процесса. На основе полученных данных выбран оптимальный вариант исполнения полевого транзистора по соотношению статических и динамических параметров. ...
Добавлено: 3 сентября 2024 г.
Y E Matyushkin, I A Gayduchenko, M V M. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1124 No. 5 Article 051054
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Shabanov A., Moskotin M., Belosevich V. и др., Applied Physics Letters 2021 Vol. 119 No. 16 Article 163505
Добавлено: 20 мая 2022 г.