?
Optically Pumped Terahertz Radiation Sources Based on Impurity Carrier Transitions in Quantum Wells
Ch. 2. P. 21–38.
Мельников А. А., Соколик А. А., Selivanov Y. G. и др., Journal of Applied Physics 2025 Vol. 137 Article 163104
Добавлено: 27 февраля 2026 г.
Добавлено: 17 февраля 2026 г.
A. N. Lyubchak, K. V. Shein, G.N. Goltsman и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.2 P. 116–120
В данной работе представлено электромагнитное моделирование терагерцового фотодетектора на основе графена, интегрированного на кремниевый волновод. Этот детектор, рассчитанный на работу на частоте 150 ГГц, может быть использован в сетях связи шестого поколения (6G) для высокоскоростной обработки терагерцовых сигналов на чипе. Графен, благодаря своим уникальным свойствам, таким как нулевой зазор, высокая подвижность заряда и низкая электронная теплоемкость, является перспективным материалом для ...
Добавлено: 5 ноября 2024 г.
Kravtsov M., Shilov A. L., Yang Y. и др., Nature Nanotechnology 2025 Vol. 20 No. 1 P. 51–56
Добавлено: 9 октября 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Podoskin A. A. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 1.1 P. 68–76
Comprehensive studies of the luminescence of p–i–n structures with 10 compensated GaAs/AlGaAs quantum wells have been performed. The studies were carried out in the terahertz (THz) and near-infrared (NIR) spectral ranges with both optical and electrical pumping of nonequilibrium charge carriers. The THz photoluminescence spectra revealed an emission line caused by electron transitions from the first size-quantization ...
Добавлено: 27 августа 2024 г.
Святодух С. С., Селиверстов С. В., Applied Physics Letters 2023 Vol. 124 No. 12
Добавлено: 12 мая 2024 г.
Адамов Р. Б., Мелентьев Г. А., Подоскин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2023 Т. 57 № 8 С. 663–673
Исследованы фото- и электролюминесценция в p-i-n-структурах с компенсированными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs с различными профилями легирования: с пространственным разделением доноров и акцепторов (доноры локализованы в квантовых ямах, акцепторы - в барьерах) и без него (и доноры, и акцепторы локализованы в квантовых ямах). Изучались спектральные характеристики люминесценции в ближнем ИК диапазоне при гелиевых температурах. Выявлены линии излучательной ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Blank T. G., Grishunin K. A., K. A. Zvezdin и др., Physical Review Letters 2023 Vol. 131 No. 2 Article 026902
Взаимодействие одноциклового терагерцового электрического поля с топологическим изолятором MnBi2Te4 запускает сильно ангармоническую динамику решетки, способствуя полностью когерентной передаче энергии между невзаимодействующими в противном случае рамановско-активными Eg и инфракрасными (ИК) активными фононными модами Eu. Двумерная терагерцовая спектроскопия в сочетании с моделированием на основе классических уравнений движения и анализа симметрии выявляет многостадийный процесс, лежащий в основе возбуждения ...
Добавлено: 14 января 2024 г.
Adamov R. B., Melentev G. A., Sedova I. V. и др., Journal of Luminescence 2024 Vol. 266 Article 120302
Добавлено: 12 ноября 2023 г.
Адамов Р. Б., Петрук А. Д., Мелентьев Г. А. и др., Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки 2022 Т. 15 № 4 С. 32–43
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенного исследования позволяют утверждать, что с ...
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Nikolaev I., Kazakov A., Drozdov K. и др., Journal of Applied Physics 2022 Vol. 132 No. 23 Article 234301
Добавлено: 7 июня 2023 г.
Новиков И. И., Няпшаев И. А., Гладышев А. Г. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 9 С. 933–939
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к ...
Добавлено: 4 января 2023 г.