?
Оценка характеристик ионизирующих излучений сенсорами на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник
С. 248–255.
Показано, что ионизационные процессы, протекающие в диэлектрических пленках МДП-структур, находящихся в режиме сильнополевой туннельной инжекции электронов, можно использовать для оценки характеристик радиационных излучений. Наиболее эффективно эти процессы проявляются при воздействии заряженных частиц (α-частицы). Сенсоры заряженных частиц на основе МДП-структур могут найти применение для регистрации низкоэнергетических частиц, которые не регистрируются полупроводниковыми детекторами.
В книге
Т. 1-2. , М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2010.
Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме
ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной
значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность
заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна
обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение
инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних
дефектов в диэлектрической пленке ...
Добавлено: 17 мая 2025 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 1740 Article 012034
Добавлено: 26 января 2021 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2020 № 3 С. 53–57
На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной инжекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектированных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и
сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дырками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к ...
Добавлено: 17 февраля 2020 г.
Разработан инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах в условиях сильнополевой инжекции электронов, учитывающий процессы заряда емкости структуры и захвата заряда в подзатворном диэлектрике МДП‑структур в инжекционном режиме. Показано, что при высоких плотностях инжекционного тока контроль характеристик накапливаемого в подзатворном диэлектрике заряда разработанным методом необходимо проводить по изменению напряжения на МДП‑структуре ...
Добавлено: 8 октября 2017 г.
Каперко А. Ф., Кулагин В. П., ИТНОУ: Информационные технологии в науке, образовании и управлении (Российская Федерация) 2017 № 3 С. 45–50
Рассматривается использование в качестве интеллектуального метода контроля потока ионизирующего излучения нейросетевой подход обработки выходной информации со спектрометра, построенного на алмазных детекторах. С помощью спектрометра анализируются 24 выходных сигнала, содержащих интегральные количественные характеристики потоков ионизирующего излучения. Предложен математический аппарат, позволяющий получать информацию о дифференцированных значениях плотностей потоков ионизирующего излучения в 21 энергетическом диапазоне. Модель преобразования информации в ...
Добавлено: 6 октября 2017 г.
Проблема защиты человечества от действия электромагнитных и ионизирующих излучений (ЭМИ и ИИ) в настоящее время приобретает все более важное значение, т.к. растет число источников ЭМИ и ИИ и возрастают их мощности. В частности, растет использование электронных средств (компьютеров, телевизоров, радиотелефонов, оргтехники, бытовых приборов и т.п.), пропорционально растет и число тех людей, у которых появились проблемы ...
Добавлено: 7 июня 2017 г.
Ibragimov R. F., Tyurin E. M., Kadilin V. V. и др., Journal of Physics: Conference Series 2016 Vol. 675 P. 042013–042013
Добавлено: 18 октября 2016 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2016 Vol. 10 No. 2 P. 450–454
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Andreev D. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 2 P. 187–191
Добавлено: 28 мая 2016 г.
Процессы радиационной ионизации в диэлектрических пленках МДП-структур в сильных электрических полях
Проведено исследование воздействия a-частиц и протонов на МДП-структуры, находящихся в условиях сильнополевой туннельной по Фаулеру-Нордгейму инжекцией электронов в диэлектрик. Инжекция электронов осуществлялась в режиме протекания постоянного тока через подзатворный диэлектрик при положительной полярности напряжения на затворе. Установлено, что ионизационный ток, возникающий в процессе облучения МДП-структуры при поддержании режима протекания постоянного тока, может существенно уменьшать электрическое ...
Добавлено: 23 декабря 2015 г.
Andreev V. V., Бондаренко Г. Г., Stolyarov A. A. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2015 Vol. 6 No. 2 P. 128–132
Добавлено: 9 апреля 2015 г.
Красивская М. И., Невская Е. Е., В кн.: Инженерные и научные приложения на базе технологий NI NIDays – 2014: Сборник трудов ХIII международной научно-практической конференции, Москва 19-20 ноября 2014 г.: ДМК-пресс, 2014. С. 338–343.
Рассмотрен метод автоматизации построения контурных оценок характеристик основной погрешности средств измерений ионизирующих излучений с использованием среды графического программирования National Instruments LabVIEW. Обозначены области применения полученного программного обеспечения. ...
Добавлено: 17 марта 2015 г.
Andreev V. V., Baryshev V. G., Bondarenko G.G. и др., Journal of Advanced Materials 2000 Vol. 5 No. 2 P. 27–33
Добавлено: 2 декабря 2013 г.
Изучено влияние повышенной температуры на процессы, характеризующие изменение зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной пленкой ФСС, при сильнополевой инжекционной модификации. Установлено, что повышение температуры в процессе инжекционной модификации приводит к уменьшению плотности накапливаемого положительного заряда и, тем самым, снижает интенсивность деградационных процессов в МДП-структурах Si – SiO2 – ФСС – Al. При этом ...
Добавлено: 4 января 2013 г.