?
Использование инжекционно-термической обработки для уменьшения дефектности диэлектрических пленок МДП-структур
Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме
ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной
значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность
заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна
обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение
инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних
дефектов в диэлектрической пленке МДП-структур и исключить большую часть образцов
с малым зарядом, инжектированным до пробоя. Показано, что после проведения ИТО
надежность МДП-структур и приборов на их основе в основном определяется внутренними
дефектами диэлектрической пленки, что позволяет существенно повысить показатели
надежности МДП приборов.