?
Влияние температуры на инжекционную модификацию диэлектрических пленок МДП-структур
Изучено влияние повышенной температуры на процессы, характеризующие изменение зарядового состояния МДП-структур с термической пленкой SiO2, пассивированной пленкой ФСС, при сильнополевой инжекционной модификации. Установлено, что повышение температуры в процессе инжекционной модификации приводит к уменьшению плотности накапливаемого положительного заряда и, тем самым, снижает интенсивность деградационных процессов в МДП-структурах Si – SiO2 – ФСС – Al. При этом увеличение сдвига напряжения середины запрещенной зоны в процессе инжекционной модификации, в основном, обусловлено уменьшением плотности положительного заряда, накапливаемого в пленке SiO2 МДП-структур. Показано, что проведение сильнополевой инжекционной модификации МДП-структур Si – SiO2 – ФСС – Al в режиме поддержания постоянного напряжения на затворе при повышенных температурах увеличивает не только плотность захватываемого отрицательного заряда, но и его термостабильную компоненту.