?
Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production. Second Edition
Elsevier, 2018.
Под общей редакцией: M. Henini
Иванов С. В., Sorokin S. V., Sedova S. V., , in : Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production. Second Edition. : Elsevier, 2018. Ch. 25. P. 571-595.
Добавлено: 19 февраля 2021 г.
Приоритетные направления:
инженерные науки
Язык:
английский
Bolshakov A., Fedorov V., Sibirev N. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2019 Vol. 13 No. 11 P. 1900350
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Болдырев К. Н., Маврин Б. Н., Шерин П. С. и др., Journal of Luminescence 2018 Vol. 193 P. 119-124
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2019
Труды содержат представленные на конференцию доклады из вузовских, академических и отраслевых организаций России и стран СНГ (Армении, Азербайджана, Белоруссии, Казахстана, Узбекистана). В опубликованных докладах содержатся новые результаты исследований процессов образования, миграции и эволюции радиационных дефектов в твердых телах, радиационно-технологических методов модифицирования и обработки материалов с целью улучшения их эксплуатационных свойств, эффектов радиационно-стимулированной диффузии, радиационно-индуцированной сегрегации ...
Добавлено: 16 августа 2019 г.
Бобров М. А., Блохин А. А., Кузьменков А. Г. и др., Оптика и спектроскопия 2019 Т. 127 № 7 С. 145-149
Представлены результаты исследования внутренних оптических потерь и эффективности токовой инжекции в вертикально-излучающих лазерах спектрального диапазона 1.55 μm, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких напряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Показано, что предложенная конструкция лазера при комнатной температуре обеспечивает рекордно низкий уровень внутренних оптических потерь (менее 6.5 cm-1) и высокую эффективность ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Вербус В. А. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 10 С. 1360-1365
Представлены результаты по формированию локально растянутых Ge микроструктур на подложках SOI (silicon-on-insulator) и исследованию их оптических свойств. Свободновисящие Ge структуры были получены с помощью оптической литографии, плазмохимического и селективного химического травления с использованием метода "концентрации напряжений". Для обеспечения теплоотвода от Ge микроструктур схема их формирования была модифицирована таким образом, чтобы обеспечить механический контакт подвешенной части ...
Добавлено: 24 октября 2019 г.
Zhukov A., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2020 Vol. 56 No. 5 P. 1-8
Добавлено: 30 июля 2020 г.
Малеев Н. А., Васильев А. П., Кузьменков А. Г. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 21 С. 29-33
Разработаны транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs/InP, обладающие улучшенными пробивными характеристиками. В приборах используется структура композитного канала InGaAs в сочетании с полностью селективным процессом формирования двойной подзатворной канавки. HEMT с длиной T-образного затвора 120 nm, состоящего из четырех пальцев шириной по 30 μm, демонстрируют максимальную измеренную удельную крутизну вольт-амперной характеристики 810 ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V. и др., Semiconductors 2019 Vol. 53 P. 1131-1137
Добавлено: 31 мая 2021 г.
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
В этой статье мы представляем измерения и сравнение длины распространения SPP на практически важной длине волны излучения, широко используемой в телекоммуникациях (1560 нм), а также в ближнем инфракрасном и видимом спектральных диапазонах. Измерения проводились для плоских плазмонных волн, возбуждаемых на поверхности пленки Ag, с помощью оптической микроскопии плазмонных волн в дальнем поле. Мы также демонстрируем возможность визуализации распространения SPP-волн ...
Добавлено: 15 января 2021 г.
Babich E. S., Scherbak, S., Asonkeng F. и др., Optical Materials Express 2019 Vol. 9 No. 10 P. 4090-4096
Добавлено: 9 ноября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Блохин С. А., Бобров М. А., Блохин А. А. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 8 С. 1128-1134
Представлены результаты исследования динамических характеристик одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, полученных методом спекания пластин высокодобротных брэгговских отражателей и активной области на основе тонких сильнонапряженных InGaAs/InAlGaAs квантовых ям. Обнаружено, что предложенные конструкции активной области и оптического микрорезонатора лазера принципиально обеспечивают возможность достижения высокого уровня дифференциального усиления лазера в диапазоне температур 20−85◦C, однако слабая локализация ...
Добавлено: 9 декабря 2020 г.
Novikov I., Надточий А. М., Potapov A. Y. и др., Journal of Luminescence 2021 Vol. 239 Article 118393
Добавлено: 30 августа 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Duarte E. C., Sardella E., Тейшейра С. Т. и др., / Cornell University. Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.
Добавлено: 7 ноября 2022 г.
Свинарев Ф. Б., Балашова Е. В., Кричевцов Б. Б. и др., Journal of Physics: Conference Series 2018 Vol. 1038 P. 012117
Добавлено: 10 ноября 2020 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2020 Т. 46 № 16 С. 3-6
Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки n + -GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков p-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и ...
Добавлено: 25 августа 2020 г.
Будков Ю. А., М. : ЛЕНАНД, 2020
В монографии впервые представлены статистические подходы, основанные на теории самосогласованного поля, к теоретическому описанию термодинамических свойств ион-молекулярных систем (растворов электролитов, ионных жидкостей, диэлектрических полимеров и металлоорганических каркасов) в объеме и на границах раздела фаз с учетом особенностей их молекулярной структуры. В книге также дан подробный анализ современного состояния теории и моделирования ион-молекулярных систем. Книга сможет послужить в качестве методического пособия для ...
Добавлено: 18 ноября 2019 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Болдырев К. Н., Романов А., Хаула Е. и др., Journal of the American Ceramic Society 2019 Vol. 102 No. 5 P. 2745-2751
Добавлено: 8 февраля 2019 г.
Gridchin V., Kotlyar K., Reznik R. и др., Nanotechnology 2021 Vol. 32 No. 33 Article 335604
Добавлено: 30 августа 2021 г.