?
Lateral mode behaviour in diode lasers based on coupled ridges
P. 012095.
Жуков А. Е., Максимов М. В.
В книге
Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. , Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020.
Фоминых Н. А., Федосов И. С., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2025 Т. 51 № 19 С. 11–14
Исследован направленный вывод излучения микродисковых лазеров через сопряженный оптический волновод, выполненный из той же гетероструктуры. Использовались диски диаметром 30 и 40 µm с активной областью на основе InGaAs/GaAs квантовых точек. Для уменьшения потерь на поглощение в волноводе к нему прикладывалось прямое смещение. При величине тока в волноводе порядка 60 mA наблюдалось резкое (почти на порядок) ...
Добавлено: 27 августа 2025 г.
Han L., Wang Z., Gordeev N. и др., Micromachines 2023 Vol. 14 No. 6 Article 1271
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Gordeev N., Kulagina M., Guseva Y. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 6 Article 066201
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Муретова М. Е., Ф.И. Зубов, Асрян Л. В. и др., Физика и техника полупроводников 2022 Т. 56 № 3 С. 363–369
На основе численного моделирования выполнен поиск асимметричных барьерных слоев (АБС) для лазерного диода с волноводом GaAs, излучающего на длине волны λ=980 нм. Пара АБС, прилегающих к активной области по обе стороны, блокирует нежелательные потоки носителей заряда и снижает паразитную спонтанную рекомбинацию в волноводных слоях. Предложены оптимальные конструкции АБС на основе AlGaAsSb и GaInP для блокирования ...
Добавлено: 11 августа 2022 г.
Надточий А. М., Gordeev N., Kharchenko A. и др., Journal of Lightwave Technology 2021 Vol. 39 No. 23 P. 7479–7485
Добавлено: 28 ноября 2021 г.
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256–263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур
InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость
коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как
с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения.
В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 4 С. 42–45
Проведено сравнение характеристик торцевых лазеров с активной областью на основе нового типа наноструктур - квантовых яма-точек с различной длиной волны излучения. Для структур, излучающих на длинах волн 980 и 1080 nm, продемонстрированы минимальные значения пороговой плотности тока 160 и 125 A/cm2, внутренние квантовые эффективности 74 и 85% и внутренние потери 1.1 и 0.9 cm-1 соответственно. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Gordeev N. Y., Payusov A. S., Shernyakov Y. M. и др., Laser Physics 2019 Vol. 29 No. 2 Article 025003
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20–23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Ledentsov N. N., Shchukin V. A., Shernyakov Y. M. и др., Solid-State Electronics 2019 Vol. 155 P. 129–138
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37–39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Фетисова М. В., Корнев А. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 23 С. 10–13
Показана возможность использования для биодетектирования микродисковых лазеров диаметром ~ 10 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, синтезированных на подложках GaAs. В качестве детектируемого объекта использовались химерные моноклональные антитела к белку CD20, ковалентно прикрепляемые к поверхности микродисковых лазеров, работающих при оптической накачке и комнатной температуре в водной среде. Показано, что присоединение вторичных антител ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Zubov F. I., Muretova M. E., Asryan L. V. и др., Journal of Applied Physics 2018 Vol. 124 No. 13 Article 133105
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Scherbak S., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., , in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and NanostructuresVol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation.: Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. P. 012128-1–012128-6.
Добавлено: 27 января 2021 г.
Жуков А. Е., , in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and NanostructuresVol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation.: Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. P. 012072-1–012072-5.
Добавлено: 26 января 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 16 С. 49–51
Исследованы характеристики микродискового лазера диаметром 23 μm в режиме прямой высокочастотной модуляции при стабилизированной температуре теплоотвода 18oС. Показано, что минимальное потребление электроэнергии составляет ~1.6 pJ/bit и достигается при частоте модуляции 4.2 GHz. Максимальная частота модуляции составляет 6.7 GHz, при этом энергопотребление равно 3.3 pJ/bit. Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, полупроводниковый лазер, квантовые точки, энергопотребление. ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Zubkova E., Golikov A., An P. и др., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1410 P. 1–4
Добавлено: 7 декабря 2020 г.