Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Письма в Журнал технической физики. 2019. Т. 45. № 19. С. 37–39.

Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В., Жуков А. Е.

Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика.

Ключевые слова: квантовые точки, quantum dots, полупроводниковый лазер, microlaser, микролазеры, Diode lasers