• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Глава
  • 1.55 μm range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
23 июля 2026 г.
РНФ поддержал 31 проект молодых ученых НИУ ВШЭ
Российский научный фонд подвел итоги трех конкурсов, направленных на поддержку молодых ученых. Победителями признаны более 850 проектов, в том числе 31 из Высшей школы экономики. На средства грантов будут проведены исследования, направленные на решение конкретных задач в рамках приоритетов научно-технологического развития, которые определены в Стратегии научно-технологического развития Российской Федерации.
22 июля 2026 г.
Тяга к сладкому оказалась важнее заботы о здоровье
Исследователи НИУ ВШЭ в Перми с помощью ЭЭГ изучили, как тяга к сладкому и интерес к здоровому питанию влияют на оценку газированных напитков со вкусом колы. В ходе дегустации участники оценивали вкус напитка и называли максимальную сумму, которую готовы за него заплатить. Оказалось, что чем выше интерес человека к здоровью, тем более сложным и когнитивно затратным для него является решение о готовности платить и тем меньше в итоге он будет готов заплатить за такой напиток. Исследование опубликовано в журнале British Food Journal.
21 июля 2026 г.
«Нам бы хотелось, чтоб наши корпуса использовались больше»
Созданные в Международной лаборатории языковой конвергенции и Школе лингвистики НИУ ВШЭ корпуса абхазо-адыгских языков, на которых говорят народы Западного Кавказа, позволяют изучить их особенности, показывают возможности современного использования. Создание корпусов стало возможным благодаря серии экспедиций ученых и студентов Вышки на Кавказ, современным методам лингвистической обработки и взаимодействию с коллегами из региональных университетов. О работе лингвистов новостной службе «Вышка.Главное» рассказал ведущий научный сотрудник Международной лаборатории языковой конвергенции, доцент Школы лингвистики Юрий Ландер.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

1.55 μm range edge-emitting laser diodes based on InGaAs/InGaAlAs superlattice and InGaAs quantum wells

P. 012072-1–012072-5.
Жуков А. Е.
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: Superlattice Diode lasers

В книге

7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures
Vol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation. , Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020.
Похожие публикации
A boron doped off-stoichiometric chemically complex intermetallic alloy with outstanding strength-ductility synergy
Остовари М. А., Shaburova N., Abdollahzadeh A. и др., Journal of Alloys and Compounds 2025 Vol. 1035 Article 181537
Добавлено: 30 июня 2025 г.
Two-state lasing in a quantum dot racetrack microlaser
Махов И. С., Иванов К. А., Моисеев Э. И. и др., Optics Letters 2023 Vol. 48 No. 13 P. 3515–3518
Добавлено: 27 июня 2023 г.
Saturated Layer Gain in Waveguides With InGaAs Quantum Well-Dot Heterostructures
Надточий А. М., Gordeev N., Kharchenko A. и др., Journal of Lightwave Technology 2021 Vol. 39 No. 23 P. 7479–7485
Добавлено: 28 ноября 2021 г.
Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs
Шерняков Ю. М., Гордеев Н. Ю., Паюсов А. С. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 3 С. 256–263
Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения. В ...
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm
Надточий А. М., Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 4 С. 42–45
Проведено сравнение характеристик торцевых лазеров с активной областью на основе нового типа наноструктур - квантовых яма-точек с различной длиной волны излучения. Для структур, излучающих на длинах волн 980 и 1080 nm, продемонстрированы минимальные значения пороговой плотности тока 160 и 125 A/cm2, внутренние квантовые эффективности 74 и 85% и внутренние потери 1.1 и 0.9 cm-1 соответственно. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Transverse mode competition in narrow-ridge diode lasers
Gordeev N. Y., Payusov A. S., Shernyakov Y. M. и др., Laser Physics 2019 Vol. 29 No. 2 Article 025003
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1,5 мкм на основе бесфосфорных гетероструктур
Максимов М. В., Жуков А. Е., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 11 С. 20–23
Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 μm. Показано, что легирование углеродом на уровне 1012 cm-2 в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до ~ 50oC при одновременном увеличении пороговой плотности ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Room temperature yellow InGaAlP quantum dot laser
Ledentsov N. N., Shchukin V. A., Shernyakov Y. M. и др., Solid-State Electronics 2019 Vol. 155 P. 129–138
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37–39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования
Фетисова М. В., Корнев А. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 23 С. 10–13
Показана возможность использования для биодетектирования микродисковых лазеров диаметром ~ 10 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, синтезированных на подложках GaAs. В качестве детектируемого объекта использовались химерные моноклональные антитела к белку CD20, ковалентно прикрепляемые к поверхности микродисковых лазеров, работающих при оптической накачке и комнатной температуре в водной среде. Показано, что присоединение вторичных антител ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Feasibility study for Al-free 808 nm lasers with asymmetric barriers suppressing waveguide recombination
Zubov F. I., Muretova M. E., Asryan L. V. и др., Journal of Applied Physics 2018 Vol. 124 No. 13 Article 133105
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Material gain of InGaAs/GaAs quantum well-dots
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Lateral mode behaviour in diode lasers based on coupled ridges
Жуков А. Е., Максимов М. В., , in: 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and NanostructuresVol. 1695: 7th International School and Conference "Saint Petersburg OPEN 2020": Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures April 27-30, 2020, Saint Petersburg, Russian Federation.: Bristol: Institute of Physics Publishing (IOP), 2020. P. 012095.
Добавлено: 27 января 2021 г.
Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точкам
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 16 С. 49–51
Исследованы характеристики микродискового лазера диаметром 23 μm в режиме прямой высокочастотной модуляции при стабилизированной температуре теплоотвода 18oС. Показано, что минимальное потребление электроэнергии составляет ~1.6 pJ/bit и достигается при частоте модуляции 4.2 GHz. Максимальная частота модуляции составляет 6.7 GHz, при этом энергопотребление равно 3.3 pJ/bit. Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, полупроводниковый лазер, квантовые точки, энергопотребление. ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
X-ray study of nanosized multilayer heterosturctures
Likhachev I. A., Subbotin I. A., Prutskov G. V. и др., , in: First AfLS Conference and Workshop 2015. Book of abstracts.: [б.и.], 2015. P. 23–23.
Добавлено: 17 июня 2016 г.
Усиление комбинационного рассеяния света в субволновых плазмонных наноструктурах, полученных методом ионно-лучевой литографии
Смирнов И. С., Мамичев Д. А., Андреев А. В. и др., Кристаллография 2014 Т. 59 № 1 С. 137–144
Методом ионно-лучевой литографии получены субволновые решетки с оптимизированной архитектурой, соответствующей спектральному положению резонансов на требуемых длинах волн. Проведено исследование структурных и оптических свойств полученных наноструктур. Показано, что экспериментальные спектры пропускания (отражения) хорошо описываются теоретическими, полученными в рамках модели собственных мод периодической решетки. Проведены исследования комбинационного рассеяния света молекул веществ, адсорбированных на поверхности решеток с оптимизированной ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
X-ray reflectivity prove of Langmuir-Blodgett superlattice formation of lead and yttrium stearate alternative bilayers
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Feigin L. A. и др., Materials Science and Engineering C 2002 Vol. 22 P. 129–133
Добавлено: 19 марта 2013 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору