Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения

И. А. Харитонов; Куликов Н. А.

?

Исследование характеристик и разработка моделей цифровых микросхем серии IN74AC04 с учетом низкоинтенсивного облучения

Гл. 2. С. 10–16.

Харитонов И. А., Куликов Н. А., Звягинцев Д. В.

Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: SPICE модель КМОП и БиКМОП интегральные схемы низкоинтенсивное излучение

В книге

Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру

Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.

Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС

Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.

На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...

Добавлено: 5 декабря 2020 г.

Компактные SPICE-модели элементов КМОП и БиКМОП СБИС, работающих в экстремальных условиях

Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 402–403

Приведена библиотека радиационных и электротепловых SPICE-моделей биполярных и МОП транзисторов СБИС различных типов. Библиотека содержит SPICE-модели МОПТ, МОПТ КНИ/КНС, Si БТ, SiGe ГБТ, учитывающие влияние эффекта саморазогрева, высоких (до +300°C) и низких (до –200°C) температур, радиационных эффектов (нейтронов, электронов, гамма- и рентгеновских лучей, протонов, импульсного излучения, одиночных ядерных частиц). ...

Добавлено: 30 января 2019 г.

An Efficient Approach to Simulation of Radiation Effects in bipolar and MOSFET IC’s using Non-Specialized SPICE Simulators

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Кожухов М. В. и др., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.

Добавлено: 16 октября 2017 г.

Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.

В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...

Добавлено: 16 февраля 2016 г.