• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Кластерный анализ процессов в полупроводниковом производстве
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
19 мая 2026 г.
Физики НИУ ВШЭ выяснили, что происходит внутри устойчивого вихря
В атмосфере и в океане часто наблюдаются крупные вихри с характерными спиральными рукавами. Физики из НИУ ВШЭ объяснили, как они формируются и почему сохраняют свою структуру. Оказалось, что скорости в точках, расположенных вдоль одной дуги вихря, остаются связанными даже на больших расстояниях. При этом в направлении от центра вихря эта связь быстро ослабевает. Такие различия помогают объяснить образование рукавов и могут улучшить модели атмосферных и океанических течений. Результаты опубликованы в Physical Review Fluids.
18 мая 2026 г.
В Вышке прошла XXX юбилейная научно-техническая конференция имени Е.В. Арменского
Организатором научного события выступает Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова ВШЭ. В этом году главный инженерный студенческий форум проходил 30-й раз и собрал рекордное число участников. Студенты, аспиранты и молодые специалисты из 50 вузов и организаций России представили научно-исследовательские доклады в ИТ-области. Отдельная секция была посвящена научно-исследовательским работам школьников.
15 мая 2026 г.
В НИУ ВШЭ разрабатывают нейросеть для сферы науки и инноваций
Исследователи НИУ ВШЭ учат большие языковые модели понимать русскоязычную научную терминологию, увеличивая при этом их энергоэффективность. Адаптированная модель работает в 2,7 раза быстрее и требует на 73% меньше памяти, чем исходная открытая модель, что позволяет запускать ее на более доступном оборудовании. Программа прошла государственную регистрацию.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Кластерный анализ процессов в полупроводниковом производстве

Динамика систем, механизмов и машин. 2016. Т. 2. № 1. С. 178–181.
Стукач О. В., Ершов И. А.

В статье обсуждается проблема моделирования процессов в электронной промышленности как целостной системы. Дается простая методика применения кластерного анализа процессов в полупроводниковом производстве. Приводятся результаты математического моделирования реальных данных с предприятия полупроводниковой индустрии Томска. В качестве независимой переменной выступает процент выхода годных изделий, остальные переменные представляют собой технологические параметры и результаты промежуточного контроля на всем протяжении технологического маршрута. Дается алгоритм выявления групп переменных, значимо влияющих на выход годных изделий, и исключения незначимых переменных для построения прогноза. Результаты имеют практическое значение для решения проблемы анализа больших объемов данных в производстве полупроводниковых приборов.

Приоритетные направления: инженерные науки
Язык: русский
Полный текст
Текст на другом сайте
Ключевые слова: контроль качестваsemiconductorsинтегральная микросхемамногофакторная производительностьcircuit design
Похожие публикации
Perovskite nanoparticles Cs4PbBr6 and CsPbBr3: synthesis, analysis and peculiar optical properties
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Ising models on the hydrogen peroxide and other lattices
Qin X., Deng Y., Щур Л. Н. и др., / Series arXiv "math". 2026. No. 2603.02962.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Algorithmic overlaps as thermodynamic variables: from local to cluster Monte Carlo dynamics in critical phenomena
Пиле Я. Э., Deng Y., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2026. No. 2604.10254.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Determining the boundary of dynamical chaos in the generalized Chirikov map via machine learning
Чернышов Д. П., Сатанин А. М., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2025.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Single-Ion Magnetism of the [DyIII(hfac)4]− Anions in the Crystalline Semiconductor {TSeT1.5}●+[DyIII(hfac)4]− Containing Weakly Dimerized Stacks of Tetraselenatetracene
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Doping dependence of low-energy charge collective excitations in high-Tc cuprates
Каган М. Ю., Silkin V. M., Efremov D. V., / Series arXiv "math". 2024. No. 2411.12836.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Влияние низких температур и термического отжига на оптические свойства квантовых точек InGaPAs
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Comparison of the microcanonical population annealing algorithm with the Wang-Landau algorithm
Мозоленко В. К., Fadeeva Marina, Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2405.10865.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Majorana modes and Fano resonances in Aharonov- Bohm ring with topologically nontrivial superconducting bridge
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
High-frequency dielectric anomalies in a highly frustrated square kagome lattice nabokoite family compounds ACu7(TeO4)(SO4)5Cl (A=Na, K, Rb, Cs)
Ребров Я. В., Глазков В. Н., Murtazoev A. F. и др., / Series cond-mat "arxiv.org". 2023.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Nondestructive KPFM-assisted Quality Control in Fabrication of GaAs High-Speed Electronics
Shurakov A., Kaurova N., Belikov I. и др., / Series Physics "arxiv.org". 2022.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Predictive Analytics Approach for Steel Billets Quality Control System
Белов А. В., Ekaterina A. Melekhova, Воронцова Т. Д., , in: 2022 International Conference on Quality Management, Transport and Information Security, Information Technologies (IT&QM&IS).: St. Petersburg: IEEE, 2022. P. 219–223.
В статье рассматривается проблема повышения качества металлопродукции. В настоящее время на металлургических предприятиях преобладают деструктивные методы контроля качества стальной заготовки. Такой подход к оценке качества является расточительным и увеличивает ее себестоимость. Одним из способов удешевления производства металлопродукции является сокращение использования методов деструктивного контроля за счет автоматической паспортизации металлов. В работе предлагается использовать алгоритм прогнозирования механических свойств конечного ...
Добавлено: 28 января 2023 г.
XXIV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Superconducting spin valves based on a single spiral magnetic layer
Пугач Н. Г., Safonchik M. O., Belotelov V. и др., / Series "cond-mat". 2022. No. 2110.00369.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
ПОИСК ПУТЕЙ СОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ЦИФРОВОГО ПРЕДСТАВЛЕНИЯ ТЕКСТИЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ С ЦЕЛЬЮ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ
Карева Т. Ю., Мирошниченко Д. А., Голубеева Г. И. и др., Известия высших учебных заведений. Технология текстильной промышленности 2022 № 2 (398) С. 104–108
В статье рассмотрена возможность использования нейросетевых технологий для автоматизированного поиска дефектов текстильных материалов. Представлен разработанный лабораторный стенд, на котором проводится фотосъемка образцов для формирования обучающей выборки. Проведен ряд исследований по влиянию различных видов освещенности материала при получении изображения с камеры. Выполнено исследование по влиянию изменения угла наклона камеры относительно образца ткани. Предложены различные варианты по ...
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
Charge transport in the spatially correlated exponential random energy landscape: effect of the non-positive correlation function
Новиков С. В., / Series cond-mat "arxiv.org". 2022. No. 2209.14955.
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
23rd Russian Youth Conference on Physics of Semiconductors and Nanostructures, Opto- and Nanoelectronics (RYCPS 2021) 22/11/2021 - 26/11/2021 Online
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
2022 International Conference Laser Optics (ICLO)
IEEE, 2022.
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Lack of Photon Antibunching Supports Supertrap Model of Photoluminescence Blinking in Perovskite Sub‐Micrometer Crystals
Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Trion Induced photoluminescence of a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Three-particle states and brightening of intervalley excitons in a doped MoS2 monolayer
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Software Complex for the Numerical Solution of the Isotropic Imaginary-Axis Eliashberg Equations
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • http://www.edu.ru
    Федеральный портал «Российское образование»
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика конфиденциальности
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору