?
Кластерный анализ процессов в полупроводниковом производстве
Динамика систем, механизмов и машин. 2016. Т. 2. № 1. С. 178–181.
Стукач О. В., Ершов И. А.
В статье обсуждается проблема моделирования процессов в электронной промышленности как целостной системы. Дается простая методика применения кластерного анализа процессов в полупроводниковом производстве. Приводятся результаты математического моделирования реальных данных с предприятия полупроводниковой индустрии Томска. В качестве независимой переменной выступает процент выхода годных изделий, остальные переменные представляют собой технологические параметры и результаты промежуточного контроля на всем протяжении технологического маршрута. Дается алгоритм выявления групп переменных, значимо влияющих на выход годных изделий, и исключения незначимых переменных для построения прогноза. Результаты имеют практическое значение для решения проблемы анализа больших объемов данных в производстве полупроводниковых приборов.
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Flakina A., Nazarov D., Faraonov M. и др., International Journal of Molecular Sciences 2024 Т. 25 № 25 С. 8068
Окисление тетраселенатетрацена (TSeT) тетрацианохинодиметаном в присутствии трис(гексафторацетилацетоната) диспрозия(III), DyIII(hfac)3, приводит к образованию черных кристаллов соли {TSeT1.5}.+[DyIII(hfac)4]− (1), которая сочетает в себе проводящие и магнитные подрешетки. Она содержит одномерные стопки, состоящие из частично окисленных молекул TSeT (формальный усредненный заряд равен +2/3). Димеры и мономеры могут быть выделены внутри этих стопок с перераспределением заряда и спиновой плотности. ...
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Андрюшкин В. В., Драгунова А. С., Комаров С. Д. и др., Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики 2022 Т. 22 № 5 С. 921–928
Предмет исследования. Представлены результаты исследования оптических свойств низкоплотных квантовых точек InGaPAs. Показано влияние на оптические и структурные свойства квантовых точек низких температур и параметров термического отжига. Метод. Квантовые точки InGaPAs получены методом молекулярно- пучковой эпитаксии за счет замещения фосфора на мышьяк в тонком слое InGaP непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Оптические свойства квантовых точек InGaPAs ...
Добавлено: 3 июня 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Белов А. В., Ekaterina A. Melekhova, Воронцова Т. Д., , in: 2022 International Conference on Quality Management, Transport and Information Security, Information Technologies (IT&QM&IS).: St. Petersburg: IEEE, 2022. P. 219–223.
В статье рассматривается проблема повышения качества металлопродукции. В настоящее время на металлургических предприятиях преобладают деструктивные методы контроля качества стальной заготовки. Такой подход к оценке качества является расточительным и увеличивает ее себестоимость. Одним из способов удешевления производства металлопродукции является сокращение использования методов деструктивного контроля за счет автоматической паспортизации металлов. В работе предлагается использовать алгоритм прогнозирования механических свойств конечного ...
Добавлено: 28 января 2023 г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 2022.
Электронные свойства низкоразмерных систем ; Структура и свойства полупроводников с примесями переходных элементов ; Новые электронные явления и материалы ...
Добавлено: 7 декабря 2022 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Карева Т. Ю., Мирошниченко Д. А., Голубеева Г. И. и др., Известия высших учебных заведений. Технология текстильной промышленности 2022 № 2 (398) С. 104–108
В статье рассмотрена возможность использования нейросетевых технологий для автоматизированного поиска дефектов текстильных материалов. Представлен разработанный лабораторный стенд, на котором проводится фотосъемка образцов для формирования обучающей выборки. Проведен ряд исследований по влиянию различных видов освещенности материала при получении изображения с камеры. Выполнено исследование по влиянию изменения угла наклона камеры относительно образца ткани. Предложены различные варианты по ...
Добавлено: 1 ноября 2022 г.
IOP Publishing, 2022.
Добавлено: 19 октября 2022 г.
Eremchev I., Li J., Naumov A. и др., Advanced Optical Materials 2020 Vol. 9 No. 3
Добавлено: 20 мая 2022 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Gulevich D. и др., Journal of Chemical Physics 2020 Vol. 153 No. 4 Article 044132
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Zhumagulov Y., Вагов А. В., Senkevich N. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 24 Article 245433
Добавлено: 24 февраля 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
S.V. Ivanov, , in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020.: St. Petersburg: IEEE, 2020. Ch. 1.
Добавлено: 31 октября 2021 г.
Stolyarov V., Ремизов С. В., Shapiro D. S. и др., Applied Physics Letters 2017 Vol. 111 No. 25 Article 251601
Добавлено: 29 октября 2021 г.