Имплантация пластин кремния протонами в условиях механически напряженного поверхностного слоя

И. Г. Дьячкова; Е. Г. Новоселова; И. С. Смирнов

?

Имплантация пластин кремния протонами в условиях механически напряженного поверхностного слоя

С. 512–518.

Дьячкова И. Г., Новоселова Е. Г., Смирнов И. С.

Рассмотрено влияние механических напряжений разных знаков на процессы радиационного дефектообразования в кристаллическом кремнии, а также проведен расчет напряженно-деформированного состояния тонкой круговой пластинки, поверхностный слой которой подвергается физическому воздействию.

Язык: русский

Полный текст

Ключевые слова: кремний имплантация протонов silicon proton implantation mechanical stresses механические напряжения

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:

Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на структуру и свойства функциональных материалов (2014)

В книге

Труды XXIV Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 7 июля - 12 июля 2014г.)

М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014.

Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment

Shandyba N. A., Eremenko M. M., Dukhan D. D. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2025 Vol. 18 No. 3.1 P. 19–22

Добавлено: 11 декабря 2025 г.

Surface diffusion of phosphorus on Si(100) after PBr3 adsorption

Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 43 P. 23421–23427

Добавлено: 20 октября 2025 г.

Calculations of pathways of precise P incorporation into chlorinated Si(100) surface

T. V. Pavlova, Journal of Chemical Physics 2025 Vol. 162 No. 19 P. 194701–194701

Добавлено: 27 июня 2025 г.

Идентификация парамагнитных центров спин-зависимой рекомбинации на поверхности пластин кремния

Власенко Л. С., Федосов И. С., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 9 С. 3–5

Методами спин-зависимой рекомбинации и детектирования резонансного изменения микроволновой фотопроводимости зарегистрированы и исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса центров на поверхности пластин кремния с ориентациями (111), (110) и (100), не подвергнутых термическому окислению, после их естественного окисления на воздухе. Обсуждены оптимальные экспериментальные условия регистрации спектров с чувствительностью на порядок больше, чем в случае обычного метода электронного парамагнитного ...

Добавлено: 12 мая 2025 г.

PBr3 adsorption on a chlorinated Si(100) surface with mono- and bivacancies

Павлова Т. В., Shevlyuga V. M., Journal of Chemical Physics 2024 Vol. 160 No. 5 Article 054701

For the most precise incorporation of single impurities in silicon, which is utilized to create quantum devices, a monolayer of adatoms on the Si(100) surface and a dopant-containing molecule are used. Here we studied the interaction of a phosphorus tribromide with a chlorine monolayer with mono- and bivacancies in a scanning tunneling microscope (STM) at ...

Добавлено: 2 июля 2024 г.

Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN

Гридчин В. О., Сошников И. П., Резник Р. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2023 Т. 49 № 5 С. 32–35

Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. ...

Добавлено: 20 мая 2024 г.

On the Growth of InGaN Nanowires by Molecular-Beam Epitaxy: Influence of the III/V Flux Ratio on the Structural and Optical Properties

Gridchin V. O., Komarov S. D., Soshnikov I. P. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2024 Vol. 18 No. 2 P. 408–412

Добавлено: 20 мая 2024 г.

Influence of mechanical strains on the antiferromagnetic resonance modes of bulk a-Fe2O3

Bogdanova T. V., Meshcheryakov A. A., D. V. Kalyabin и др., Applied Physics Letters 2024 Vol. 124 No. 9 Article 092410

Добавлено: 3 марта 2024 г.

Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии

Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3–6

С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...

Добавлено: 13 февраля 2024 г.

Enhancing the reactivity of Si(100)–Cl toward PBr3 by charging Si dangling bonds

T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701

Добавлено: 29 января 2024 г.

Features of MBE growth of AlGaAs nanowires with InAs quantum dots on the silicon surface

Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153–157

Добавлено: 3 июля 2023 г.

Atomistic simulation of Si-Al nanosponge structure features produced by laser printing method

Zelenina A. I., Gordeev I. S., Колотова Л. Н., Journal of Non-Crystalline Solids 2023 Vol. 606 Article 122215

Добавлено: 28 июня 2023 г.

PBr3 Adsorption and Dissociation on the Si(100) Surface

Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978–8983

Добавлено: 29 мая 2023 г.