?
Specific Features of the Photoconductivity of SemiInsulating Cadmium Telluride
Semiconductors. 2014. Vol. 48. No. 13. P. 1700–1703.
The effect of local illumination providing a high level of freecarrier injection on the conductivity of a sample of semiinsulating cadmium telluride and on the properties of ohmic contacts to the sample is studied. It is found that, irrespective of the illumination region, the contact resistance of ohmic contacts decreases and the concentration of majority carriers in the sample grows in proportion to the illumination intensity. It is shown that inherent heterogeneities in crystals of semiinsulating semiconductors can be stud ied by scanning with a light probe
Гущина В. А., / Series chemrxiv-2023-vpzhz-v2 "ChemRxiv". 2023.
Наночастицы полностью неорганических перовскитов CsPbBr3 и Cs4PbBr6 интенсивно изучаются благодаря их уникальным свойствам и широкому спектру применений; однако природа их оптических свойств до сих пор полностью не изучена из-за сложности синтеза однофазных наночастиц. В данной статье мы описываем особенности синтеза однофазных частиц и результаты их химического и фазового анализа. Используя данные о концентрациях наночастиц, мы ...
Добавлено: 14 мая 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 20 апреля 2026 г.
Добавлено: 21 ноября 2025 г.
Добавлено: 27 ноября 2024 г.
Influence of anisotropy on the study of critical behavior of spin models by machine learning methods
Суховерхова Д. Д., Щур Л. Н., / Series arXiv "math". 2024. No. 2410.14523.
...
Добавлено: 21 октября 2024 г.
Добавлено: 20 мая 2024 г.
Каган М. Ю., Аксёнов С. В., / Series Research Square "Research Suqare". 2024. No. 1.
Добавлено: 10 апреля 2024 г.
Добавлено: 29 января 2024 г.
Добавлено: 15 сентября 2023 г.
Добавлено: 16 ноября 2022 г.
Ихсанов Р. Ш., Mazur E., Каган М. Ю., / Series "Working papers by Cornell University". 2022. No. 2202.01452.
Добавлено: 4 февраля 2022 г.
Будков Ю. А., Zavarzin S., Kolesnikov A. L., Journal of Physical Chemistry C 2021 Vol. 125 No. 38 P. 21151–21159
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Sanina N., Isaeva U., Utenyshev A. и др., Inorganica Chimica Acta 2021 Vol. 527 Article 120559
Добавлено: 16 сентября 2021 г.
Sai P. O., Safryuk-Romanenko N. V., But D. B. и др., Ukrainian Journal of Physics 2019 Vol. 64 No. 1 P. 56–62
Добавлено: 25 февраля 2021 г.
Лысенко А. П., E. A. Odintsova, Белов А. Г. и др., Russian Physics Journal 2018 Vol. 60 No. 12 P. 2209–2217
Добавлено: 17 апреля 2018 г.
Лысенко А. П., Белов А. Г., Каневский В. Е. и др., Известия высших учебных заведений. Физика 2017 Т. 60 № 12 С. 142–149
Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено (см., например, [1-2]). Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что ...
Добавлено: 25 декабря 2017 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Белов А. Г. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 1 С. 5–12
Исследованы вольт-амперные и люкс-амперные характеристики образцов высокоомных полупроводниковых материалов CdTe и Cd1–yZnyTe при комнатной температуре и различных интенсивностях подсветки, а также зависимости тока короткого замыкания и напряжения холостого хода от интенсивности излучения при облучении образцов светом с длиной волны 740 нм. Показано, что люкс-амперные характеристики образца теллурида кадмия-цинка зависят от полярности приложенного напряжения, а вольт-амперные ...
Добавлено: 14 мая 2015 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Строганкова Н. И. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 2 С. 174–181
Исследовано влияние засветки центральной части образца полуизоли-рующего арсенида галлия п-типа на его проводимость. Показано, что люкс-амперная характеристика, начиная с некоторого значения интенсив-ности света, выходит на линейную зависимость, угловой коэффициент ко-торой растет с увеличением диаметра освещаемой области. Зависимость носит степенной характер и находится между квадратичной и линейной. Ток отсечки значение тока, полученное при экстраполяции линейного ...
Добавлено: 4 ноября 2014 г.
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., Instruments and Experimental Techniques 2014 Vol. 57 No. 3 P. 326–329
Добавлено: 19 мая 2014 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2014 Т. 106 № 2 С. 16–21
В работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда, на проводимость образца полуизолирующего теллурида кадмия и на свойства омических контактов к образцу. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. Показано, что с помощью сканирования световым ...
Добавлено: 3 февраля 2014 г.
Лысенко А. П., Голубятников В. А., Григорьев Ф. И. и др., Приборы и техника эксперимента 2014 № 3 С. 93–96
Показано, что подсветка омических контактов к высокоомным образцам теллурида кадмия и арсе нида галлия влияет не только на переходное сопротивление контакта, но и на объемную проводи мость образцов за счет повышения концентрации свободных носителей заряда. Приведена модель, объясняющая увеличение объемной проводимости образца при засветке приконтактной области. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления омического контакта и ...
Добавлено: 14 января 2014 г.
Фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник при освещении омических контактов
Лысенко А. П., Григорьев Ф. И., Строганкова Н. И. и др., В кн.: Вакуумная наука и техника: Материалы ХХ юбилейной научно-технической конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2013. С. 220–222.
Исследовалась фотоэмиссия свободных носителей заряда в высокоомный полупроводник, создаваемая освещением приконтактной области омических контактов к образцу теллурида кадмия. Выявлено, что засветка приконтактной области влияет как на переходное сопротивление контакта, так и на объемную проводимость кристалла за счет повышения концентрации основных носителей заряда. Предложена методика раздельного определения переходного сопротивления контакта и объема образца, пригодная для высокоомных ...
Добавлено: 11 октября 2013 г.