?
Programmable set to monitor charge state change of MIS devices under high-fields
P. 1–3.
В книге
M.: IEEE, 2022.
Выполнено сравнительное исследование процессов сильнополевой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)
с алюминиевым и поликремниевым затвором. Зарядовые явления в МДП-структурах
изучали методом сильнополевой инжекции электронов в диэлектрик в режиме возрастания
плотности стрессового инжекционного тока с кратковременными переключениями
в измерительный режим при постоянной низкой плотности инжекционного тока.
Использование данного метода позволило получить новые данные о процессах зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур с ...
Добавлено: 21 мая 2026 г.
Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме
ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной
значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой
деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность
заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна
обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение
инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних
дефектов в диэлектрической пленке ...
Добавлено: 17 мая 2025 г.
Добавлено: 25 июня 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2020 Vol. 14 No. 2 P. 260–263
Добавлено: 26 мая 2020 г.
Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2020 № 3 С. 53–57
На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной инжекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектированных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и
сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дырками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к ...
Добавлено: 17 февраля 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Andreev V. V., Bondarenko G.G., Andreev D. V. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. Ch. 8337203 P. 1–3.
Добавлено: 14 октября 2019 г.
Разработан инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах в условиях сильнополевой инжекции электронов, учитывающий процессы заряда емкости структуры и захвата заряда в подзатворном диэлектрике МДП‑структур в инжекционном режиме. Показано, что при высоких плотностях инжекционного тока контроль характеристик накапливаемого в подзатворном диэлектрике заряда разработанным методом необходимо проводить по изменению напряжения на МДП‑структуре ...
Добавлено: 8 октября 2017 г.