Programmable set to monitor charge state change of MIS devices under high-fields

Рассмотрена инжекционно-термическая обработка (ИТО) МДП-структур в режиме ступенчато-возрастающей плотности сильнополевого инжекционного тока, ограниченной значением Jb, при которой не происходит заметных процессов необратимой зарядовой деградации подзатворного диэлектрика и его границы раздела с полупроводником. Плотность заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик при проведении ИТО, должна обеспечивать выявление образцов с внешними дефектами. Установлено, что проведение инжекционно-термической обработки позволяет существенно снизить плотность внешних дефектов в диэлектрической пленке ...

Добавлено: 17 мая 2025 г.

Повышение зарядовой стабильности пленок подзатворного диэлектрика МДП-структур методом их легирования фосфором

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Перспективные материалы 2020 № 7 С. 68–74

Добавлено: 25 июня 2020 г.

Charge Effects in the Dielectric Films of MIS Structures under the Concurrent Influence of Radiation and High-Field Electron Injection

Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 2020 Vol. 14 No. 2 P. 260–263

Добавлено: 26 мая 2020 г.

Зарядовые явления в диэлектрических пленках МДП-структур при одновременном воздействии радиационных излучений и сильнополевой инжекции электронов

Андреев Д. В., Бондаренко Г. Г., Андреев В. В. и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2020 № 3 С. 53–57

На основе полученных экспериментальных данных разработана модель процессов изменения зарядового состояния МДП-структур при одновременном воздействии сильнополевой туннельной инжекции электронов и радиационных излучений. Модель учитывает взаимодействие инжектированных электронов с зарядами, возникающими в диэлектрической пленке вследствие радиационной и сильнополевой ионизации. Показано, что при взаимодействии инжектируемых электронов с дырками, захваченными в пленке SiO2, часть дырок может аннигилировать, приводя к ...

Добавлено: 17 февраля 2020 г.

Modification of MIS Devices by Radio-Frequency Plasma Treatment

Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266

Добавлено: 5 ноября 2019 г.

Sensors based on MIS structures for study of ionization radiations

Andreev V. V., Bondarenko G.G., Andreev D. V. и др., , in: 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Proceedings.: M.: IEEE, 2018. Ch. 8337203 P. 1–3.

Добавлено: 14 октября 2019 г.

Инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах

Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Ахмелкин Д. М. и др., Перспективные материалы 2017 № 10 С. 33–40

Разработан инжекционный метод исследования диэлектрических пленок МДП-структур при стрессовых и измерительных режимах в условиях сильнополевой инжекции электронов, учитывающий процессы заряда емкости структуры и захвата заряда в подзатворном диэлектрике МДП‑структур в инжекционном режиме. Показано, что при высоких плотностях инжекционного тока контроль характеристик накапливаемого в подзатворном диэлектрике заряда разработанным методом необходимо проводить по изменению напряжения на МДП‑структуре ...

Добавлено: 8 октября 2017 г.