?
Повышение точности прогнозирования радиационной стойкости при расчетной оценке
С. 233-244.
Polesskiy S., Artyukhova M. A.
In book
Красноярск : Сибирский федеральный университет, 2012
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263-266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Zhadnov V. V., В кн. : Надежность и качество-2013: труды Международного симпозиума: в 2-х т. Т. 1.: Пенза : Издательство ПГУ, 2013. С. 28-31.
Mathematical models of failure rate of refusals the elements applied in calculations of reliability of the onboard electronic equipment are considered. Possibility of application the models given in foreign standards, for forecasting of reliability of completing elements is shown. ...
Added: June 1, 2013
Zhadnov V. V., В кн. : Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ). Вып. 33.: М. : Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
1. Двусторонняя печатная плата, включающая диэлектрическую подложку из, по меньшей мере, двух слоев стеклоткани, с отверстиями и контактными площадками и сформированную на ней электрическую схему, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка дополнительно снабжена защитным экраном, размещенным между слоями стеклоткани и выполненным из материала, обеспечивающего локальное экранирование для телесных углов до 2 стерадиан.
2. Двусторонняя печатная плата по ...
Added: April 9, 2014
Polesskiy S., Artyukhova M. A., Лебедева Н. А., В кн. : Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014. : М. : НИЯУ МИФИ, 2014. С. 163-164.
Рассматривается метод определения вероятности безотказной работы функционального узла аппаратуры космического аппарата за срок активного существования в условиях низкоинтенсивного ионизирующего облучения при анализе надежности усилителя мощности. ...
Added: July 7, 2014
Artyukhova M. A., В кн. : VIII Международная отраслевая Научно-техническая конференция «Технологии информационного общества»: Тезисы научно-технических секций. : М. : МТУСИ, 2014. С. 56-56.
Радиоэлектронная аппаратура космических аппаратов (РАЭ КА) при эксплуатации подвергается воздействию ионизирующего излучения космического пространства (ИИ КП), что является дополнительной причиной отказов. На настоящий момент принято раздельно оценивать надежность РЭА и ее радиационную стойкость, несмотря на то, что эти явления взаимосвязаны.
Целью статьи является оценка влияния ИИ КП на показатели надежности СВЧ-устройств, а именно на вероятность безотказной ...
Added: March 6, 2014
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid,
structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered,
Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered;
a summary of the ...
Added: March 15, 2018
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Kharitonov I. A., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’10). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2010. P. 358-361.
The multi-level methodology for CMOS SOI/SOS IC element parameterization for VLSI radiation hardness prediction by CAD systems is developed. The methodology includes semiconductor technology simulation, CMOS SOI/SOS MOSFET device simulation with radiation effects, irradiated test structures investigation, radiation dependent SPICE model parameter extraction with ICCAP. The measured data of irradiated MOSFET test structures is used ...
Added: April 12, 2012
Artyukhova M. A., В кн. : Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014. : М. : НИУ ВШЭ, 2014. С. 294-296.
Consider a method evaluation of reliability indicators of the onboard equipment of spacecraft with
exposure to ionizing radiation of outer space. This study (research grant No 14-05-0038) was supported by The
National Research University - Higher School of Economics’ Academic Fund Program in 2014. ...
Added: November 30, 2014
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.
В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки. ...
Added: April 12, 2012
Artyukhova M. A., Kulygin V., В кн. : Новые информационные технологии. Тезисы докладов XIX международной студенческой конференции-школы-семинара. : М. : МИЭМ, 2011. С. 113-115.
В материалах рассмотрена разработка системы автоматизированного обеспечения радиационной стойкости бортовой радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов ...
Added: December 1, 2014
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
A compact BSIMSOI-RAD macromodel for SOI/SOS CMOS transistors is developed that takes into account the radiation effects. An automated procedure for determination of macromodel parameters is described and shown to be useful for analyzing radiation hardness of CMOS IC fragments depending on the total absorbed dose. The simulation time is estimated. ...
Added: April 12, 2012
Orekhov E. V., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-15.
Описана процедура определения параметров улучшенной электрической подсхемы, подключаемой к SPICE модели КНИ МОП транзистора для учета влияния ОЯЧ, из результатов смешанного моделирования с помощью Synopsys TCAD. По сравнению со стандартной подсхемой, содержащей простой генератор тока с двумя экспонентами, описываемая подсхема является более точной, т.к. учитывает рассасывание заряда трека за счет двух механизмов: рекомбинации избыточных носителей ...
Added: April 12, 2012
Лыткарино МО : [б.и.], 2015
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Added: September 18, 2015
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Added: March 21, 2014
Polesskiy S., Artyukhova M. A., В кн. : Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы пятнадцатого научно-практического семинара. : М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2012. С. 263-267.
Рассматриваются вопросы повышение точности расчетной оценки стойкости на ранних стадиях проектирования за счет использования полей распределения накопленной дозы для печатных узлов. ...
Added: October 26, 2012
Зелёный Л. М., Климов С. И., Назаров В. Н. et al., Космическая техника и технологии 2015 Т. 3 № 10 С. 26-37
The last few decades saw serious changes in the scientific community’s understanding of the nature of lightning discharges in the Earth atmosphere, which, in particular, had to do with the use for such studies of the new scientific equipment installed on spacecraft. The existence of a physical process previously unknown to science, which was given the name of ...
Added: December 7, 2015
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.
С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС. ...
Added: April 12, 2012
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718-723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». : ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Added: June 20, 2016