?
Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
С. 8-20.
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 5 (85) С. 81-83
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Kharitonov I. A., В кн. : Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1.: Снежинск : РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.
В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем. ...
Added: April 12, 2012
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures ...
Added: January 23, 2014
Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Sambursky L. M. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 2 (82) С. 81-83
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой ...
Added: April 12, 2012
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Konstantin O. Petrosyants, Kharitonov I. A., Sambursky L. M., , in : EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy. : Bologna : IEEE, 2015. P. 305-308.
Universal SPICE model for submicron SOI/SOS
MOSFETs based on BSIMSOI and EKV-SOI platforms with
account for total ionizing dose-induced effects (TID), pulsed
radiation effects, single events is presented. A special subcircuit
consisting of parasitic transistors for sidewall and backgate
leakage currents and other elements is connected to the standard
SPICE model. In addition, the radiation-dependent parameters
are described by physically based mathematical ...
Added: March 12, 2015
Петросянц К. О., В кн. : Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015). : М. : Техносфера, 2016. С. 415-431.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: April 13, 2016
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457-462
A compact BSIMSOI-RAD macromodel for SOI/SOS CMOS transistors is developed that takes into account the radiation effects. An automated procedure for determination of macromodel parameters is described and shown to be useful for analyzing radiation hardness of CMOS IC fragments depending on the total absorbed dose. The simulation time is estimated. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 1 (87) С. 20-28
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Added: April 19, 2012
Kharitonov I. A., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Added: September 13, 2017
Ismail-zade M. R., Sambursky L. M., В кн. : Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции. : М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280-281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Added: September 8, 2017
Kharitonov I. A., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 82-83.
. ...
Added: November 7, 2018
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.). : М. : НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303-309.
Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной. ...
Added: June 10, 2013
Kharitonov I. A., , in : Proceedings of XV IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS'2017). : Piscataway : IEEE, 2017. P. 1-8.
The combined Electro-Thermo-Rad models were developed for SPICE simulation of hardened SOI/SOS CMOS ICs for aero-space applications. They account for thermal (low, high temperature, selfheating) and radiation effects (total dose, particles fluence, single heavy particles, transient ionizing radiation effects) in SPICE model of MOSFET fabricated with SOI/SOS semiconductor technologies. The models were built using macromodeling ...
Added: October 29, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., Информационные технологии 2015 Т. 21 № 12 С. 916-922
Возможности коммерческих SPICE-симуляторов электронных схем расширены в новую область – расчёт схем космической электроники. С этой целью в библиотеки моделей коммерческих версий программы SPICE включён набор моделей биполярных и МОП-транзисторов, учитывающих воздействие различных видов радиации (гамма-лучей, протонов, нейтронов, электронов, одиночных заряженных частиц). Приведены примеры расчёта биполярных и МОП-интегральных схем с учётом требований радиационной стойкости. ...
Added: February 25, 2016
Polesskiy S., Artyukhova M. A., В кн. : Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы пятнадцатого научно-практического семинара. : М. : Московский государственный институт электроники и математики, 2012. С. 263-267.
Рассматриваются вопросы повышение точности расчетной оценки стойкости на ранних стадиях проектирования за счет использования полей распределения накопленной дозы для печатных узлов. ...
Added: October 26, 2012
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 274-277.
The effects of proton irradiation on SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) are investigated using Synopsys/ISE TCAD tool. To account for the impact of proton irradiation models for carrier lifetime degradation under irradiation are included in the program. The results of modeling the impact of protons of different energies are presented. For SiGe HBT increase in ...
Added: October 21, 2012
Костенников С. И., Tumkovskiy S., В кн. : Новые информационные технологии в автоматизированных системах: материалы восемнадцатого научно-технического семинара. : М. : Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН, 2015. С. 339-344.
Рассмотрено три варианта тестовых схем для верификации скорости нарастания выходного напряжения макромодели операционного усилителя (ОУ). Рассмотренные варианты проиллюстрированы на примере SPICE-макромоделей ОУ LMH6642 компании Texas Instruments и ОР37 компании Analog Devices. ...
Added: March 14, 2015
Zhadnov V. V., В кн. : Изобретения. Полезные модели: Официальный бюллетень Федеральной службы по интеллектуальной собственности (РОСПАТЕНТ). Вып. 33.: М. : Отделение подготовки и выпуска официальной информации Федерального государственного бюджетного учреждения «Федеральный институт промышленной собственности» (ФИПС), 2013.
1. Двусторонняя печатная плата, включающая диэлектрическую подложку из, по меньшей мере, двух слоев стеклоткани, с отверстиями и контактными площадками и сформированную на ней электрическую схему, отличающаяся тем, что диэлектрическая подложка дополнительно снабжена защитным экраном, размещенным между слоями стеклоткани и выполненным из материала, обеспечивающего локальное экранирование для телесных углов до 2 стерадиан.
2. Двусторонняя печатная плата по ...
Added: April 9, 2014
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 404-405
The paper considers a new TCAD Rad model for BJTs and MOSFETs for proton radiation. The equations for radiation-dependent parameters (life time, mobility, surface velocity, traps concentration) have been added in Sentaurus TCAD. The simulation results are in good agreement with experimental data. ...
Added: January 30, 2019
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. et al., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 7 С. 435-444
The directions of improvement of minimax methods for circuit design problems are considered. The choices of generalized quality criterion for the circuit design is discussed. It is concluded that the minimax criterion has advantages over other formulations of design targets. New approach to setting of individual objectives for each performance indicator is proposed. The approach ...
Added: February 12, 2019