?
Учёт влияния импульсного ионизирующего воздействия в SPICE-моделях биполярных транзисторов и диодов
С. 239–243.
In book
М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015.
Kharitonov I. A., Куликов Н. А., Zviagintsev D. V., В кн.: Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру.: Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020. Гл. 2 С. 10–16.
Приведено исследование характеристик и разработка SPICE моделей микросхем IN74AC04, содержащих в одном корпусе по четыре инвертора, для условий низкоинтенсивного гамма-излучения ...
Added: July 14, 2021
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., , in: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS).: Cluj: IEEE, 2019. P. 1–4.
A special RAD-THERM version of TCAD subsystem based on Sentaurus Synopsys platform taking into account different types of irradiation (gamma-rays, neutrons, electrons, protons, single events) and external/internal heating effects was developed and validated to forecast the results of natural experiments, and help the designer on with reliability guarantee. The radiation- and temperature-induced faults were modeled ...
Added: May 31, 2019
Konstantinov Y., Shikhov A. I., В кн.: Технологии, измерения и испытания в области электромагнитной совместимости. Труды IV Всероссийской НТК «Техно-ЭМС 2018», Москва 28-30 марта 2018 /Под ред. А.С. Кривова, Л.Н. Кечиева - М.: Грифон, 2018. − 128 с.: Грифон, 2018..
В главе описывается методика выбора TVS диода. В настоящий момент рядом производителей разработаны TVS диоды, с помощью которых защита РЭА решена полностью. ...
Added: July 14, 2018
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., В кн.: Международный форум "Микроэлектроника-2017" 3-я Международная научная конференция "Электронная компонентная база и электронные модули". Республика Крым, г. Алушта, 02-07 октября 2017 г.: М.: Техносфера, 2017. С. 344–347.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Added: October 18, 2017
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Kozhukhov M. et al., , in: 2017 International Workshop on Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment” (IWRMN-EDHE 2017).: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, 2017. P. 1–3.
An efficient approach to simulation of various types of radiation effects in bipolar and MOSFET IC’s using non-specialized SPICE simulators is realized using the developed compact SPICE models of Si BJT’s, SiGe HBT’s, SOI/SOS MOSFET’s and verified in real projects of extremal electronics R&D. ...
Added: October 16, 2017
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Измерительная техника 2016 № 10 С. 55–60
In this paper we analyze details of bipolar transistors and MOSFETs electrical characteristics measurement in the presence of neutron, electron and gamma irradiation. An automated measurement subsystem is developed with its core being a measurement kernel comprising a set of measurement instrumentation as well as methods of measurement and data processing for irradiated transistors of ...
Added: December 5, 2016
Kharitonov I. A., Aleksandrova A., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Added: December 5, 2016
Petrosyants K., I. A. Kharitonov, L. M. Sambursky et al., Advanced Materials Research 2015 Vol. 1083 P. 185–189
I-V-characteristics of an irradiated transistor in many cases should be measured inside the radiation chamber with long cables, which introduces noticeable measurement error. In this paper I-V-characteristics of an irradiated bipolar junction transistor measured with the 4-wire and the 2- wire circuits are presented and compared to direct (without cables) measurements. Significant enlargement of measurement ...
Added: February 18, 2016
Petrosyants K. O., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 215–216.
Разработаны библиотеки TCAD- и SPICE-моделей интегральных биполярных и МОП-транзисторов, предназначенные для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС и учитывающие следующие виды радиационных воздействий: гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). ...
Added: February 16, 2016
Lysenko A. P., М.: РИО МИЭМ НИУ ВШЭ, 2014.
The questions of physics of bipolar transistors. Although the list of educational and scientific literature, which dealt with questions of the theory of transistors, very large, many years of experience teaching this section, solid-state electronics shows that universal tutorial not. An attempt is made to present fairly complex physical processes in the most simplified form. ...
Added: September 25, 2014
Uvaysov S. U., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.
All known semiconductor temperature gauges are based on the use as temperature sensors in the electrical signal or resistor semiconductor or semiconductor diodes and transistors. ...
Added: December 15, 2013