İdil Malgil, a researcher at HSE University, conducted a UAV-based LiDAR survey of the ancient Roman city of Parion in present-day Turkey. The high density of the scans allowed the team to detect subtle terrain features concealed beneath the ground and vegetation. The survey revealed traces of entire neighbourhoods, terraced structures, and walls that had remained invisible during routine excavations and could not be identified through aerial photography. The findings have been published in Ancient Civilizations from Scythia to Siberia.
Mathematicians at HSE University–Nizhny Novgorod, in collaboration with colleagues from Tongji University in Shanghai, are investigating the fundamental causes of structural stability in systems and the mechanisms underlying its disruption. In this interview with the HSE News Service, Prof. Olga Pochinka, Head of the International Laboratory of Dynamical Systems and Applications at HSE University–Nizhny Novgorod and leader of the project ‘Qualitative Theory of Systems of Ordinary and Partial Differential Equations,’ discusses the project, which is being implemented as part of HSE University's International Academic Cooperation programme.
Researchers at the HSE Centre for Language and Brain took part in a rare awake neurosurgical procedure performed on an 11-year-old patient with drug-resistant epilepsy. Working alongside surgeons at the Voyno-Yasenetsky Centre of Specialised Medical Care for Children in Solntsevo, they monitored the resection of a portion of the left temporal lobe, where the epileptic focus had been identified.
Kharitonov I. A., Aleksandrova A., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.
В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...
Uvaysov S. U., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.
All known semiconductor temperature gauges are based on the use as temperature sensors in the electrical signal or resistor semiconductor or semiconductor diodes and transistors. ...