Researchers at HSE University employed a new method to model hypoxia in placental cells during pregnancies complicated by preeclampsia and identified molecular markers of tissue hypoxia. Since hypoxia is one of the key mechanisms underlying preeclampsia, these findings are important for a more accurate and timely diagnosis of the disease and for the development of effective treatment methods. The paper has been published in Placenta.
Would you like to know whether a speaker’s trembling voice or an accidental gesture can give them away? At HSE University in Nizhny Novgorod, researchers are developing an algorithm that analyses speech, facial expressions, and gestures, and determines whether information is truthful with 92% accuracy. The project has applications ranging from forensic examination and bank recruitment to fundamental research. Anna Khomenko, head of the research group and Senior Research Fellow at the Centre for Language and Brain at the HSE Faculty of Humanities in Nizhny Novgorod, explains how students and researchers are working together to create a corpus of video recordings, train a classifier, and prepare to introduce computer vision technology.
Taking part in the Student Research Paper Competition (SRPC) gives you an opportunity to present your research to experts, receive an independent assessment, and determine the future direction of your work. The competition is open to students graduating in 2026 not only from HSE University but from universities in Russia and abroad. Papers may be submitted in Russian and English, and in some fields also in French, German, and Spanish.
Kharitonov I. A., Aleksandrova A., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286–288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г.: М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239–243.
В данной работе предлагаются уточненные, но достаточно простые SPICE модели импульсных фототоков для диодов и биполярных транзисторов. Модели имеют единую структуру, учитывают электрическое смещение на p-n-переходе, особенности формы отклика конкретного полупроводникового прибора. Параметры моделей определяются из результатов испытаний на моделирующих установках. ...
Uvaysov S. U., Громов В. С., Шестимеров С. М., В кн.: Сборник статей III Международной научно-практической конференции "Инновационные технологии, научно-технической политики и деловое сотрудничество".: Тольятти: Фонд "Развитие через образование", 2010. С. 35–43.
All known semiconductor temperature gauges are based on the use as temperature sensors in the electrical signal or resistor semiconductor or semiconductor diodes and transistors. ...