• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • HSE University
  • Publications
  • Book chapter
  • Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Priority areas
  • business informatics
  • economics
  • engineering science
  • humanitarian
  • IT and mathematics
  • law
  • management
  • mathematics
  • sociology
  • state and public administration
by year
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • More
Subject
News
October 12, 2026
Road Injuries Leading Cause of Death Among Men Aged 10 to 39
Worldwide, road injuries are the leading cause of death among males aged 10–39. An international team of researchers reached this conclusion as part of the Global Burden of Disease Study 2023, analysing data from 204 countries between 1990 and 2023. Their findings have been published in The Lancet Public Health, with HSE University Professor Vasily Vlassov listed among the collaborators.
October 8, 2026
HSE Experts Take Part in 23rd Annual Meeting of Valdai Discussion Club
The 23rd Annual Meeting of the Valdai Discussion Club was held from September 28 to October 1, 2026 under the theme ‘Responsibility for the Future: Limits of the Possible, or Limitless Possibilities?’ The forum brought together 120 experts from 40 countries, including representatives of China, the United States, India, Brazil, the United Kingdom, Germany, Egypt, Iran, and Japan.
October 7, 2026
‘Our Team Consists of True Leaders in Their Respective Academic Disciplines
The HSE International Centre of Decision Choice and Analysis studies a wide range of methods for analysing decision-making and possible scenarios for the development of natural, socio-economic, and political phenomena using various mathematical models. The application of advanced mathematical methods to forecasting helps to prevent negative outcomes and avoid erroneous decisions. The HSE News Service spoke to the centre’s director, Prof. Fuad Aleskerov, about its work.

 

Have you spotted a typo?
Highlight it, click Ctrl+Enter and send us a message. Thank you for your help!

Publications
  • Books
  • Articles
  • Chapters of books
  • Working papers
  • Report a publication
  • Research at HSE

?

Quasi – 3D Electro-Thermal Simulation of Integrated Transistor Structures, IC Chips and Packages

Ch. 7491801. P. 1–6.
Petrosyants K. O., Nikita I. Ryabov

New quasi – 3D numerical model for combined electrical and thermal analysis of integrated transistor structures,
IC chips and packages is presented. The general 3D heat transfer and electrical field problems are correctly transformed to the set of 2D equations for temperature and electrical potential distributions in different layers of the device. The complexity and CPU time of the electro-thermal analysis were many times reduced. The model details and results of electro-thermal simulation of different types of semiconductor devices and ICs are presented.

Language: English
Full text
DOI
Keywords: semiconductor devicesBGA packageэлектрическое полеполупроводниковые приборыBGA корпусаElectro-thermal simulationэлектро-тепловое моделированиеИнтегральные схемытепловое полеElectrical fieldThermal fieldQuasi – 3D approachinegrated circuitsintegrated transistorинтегральные транзисторыквазитрехмерное приближение
Publication based on the results of:
Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты (2015)

In book

2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings
2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings
M.: HSE, 2016.
Similar publications
Программный комплекс машинного зрения для автоматического позиционирования полупроводниковых кристаллов
Остроушко М. В., Малков А. В., Amerikanov A. et al., В кн.: Новые информационные технологии в исследовании сложных структур. Материалы шестнадцатой международной конференции 21–25 Сентября 2026 г.: Томск: Издательство Томского государственного университета, 2026. С. 95–96.
В производстве полупроводниковых приборов одним из важных этапов является спайка специальных контактных площадок (кристаллов) с выводами элемента. Для передачи кристаллов на спайку формируют кассету, в которой они строго упорядочены. Кассету оператор собирает вручную. При сборке ему нужно четко позиционировать каждый кристалл и укладывать его в кассету нужной стороной. Изначально кристаллы размером около 0,3 мм лежат неупорядоченно. Этот этап можно ...
Added: October 6, 2026
Cквозное электротепловое моделирование мощных электронных схем на печатных платах с помощью программных средств Comsol, SPICE, «Асоника-ТМ»
Kharitonov I. A., Kofanov Y. N., Тегин М. С., Наноиндустрия 2023 Т. 16 № S9-1(119) С. 189–196
The paper presents a set of developed software tools to provide joint electro-thermal modeling of power electronic circuits on PCBs using Comsol, SPICE, Asonika-TM software tools. Examples of joint electro-thermal modeling of power electronic circuit on printed circuits have also been presented. ...
Added: May 21, 2023
ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ В ПОЛОЖИТЕЛЬНОМ СТРИМЕРЕ В ДЛИННЫХ ВОЗДУШНЫХ ПРОМЕЖУТКАХ
Базелян Э. М., Aleksandrov N., Физика плазмы 2022 Т. 48 № 7 С. 639–647
A numerical simulation of a positive streamer in long (up to 3 m) air gaps under normal conditions was performed within the 1.5D model taking into account the ionization expansion of the channel. It is shown that the average electric field in the channel and the field required to bridge the discharge gap are not ...
Added: October 26, 2022
Extension of the Capabilities of SPICE Analysis Tools for Electro-Thermal Simulation of Power Electronic Circuits
Igor Kharitonov, Gleb Klopotov, Valentin Kobyakov et al., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–5.
Added: July 26, 2022
Введение в TCAD и SPICE моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС
Petrosyants K. O., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 35–40.
Conventional BJT, MOSFET, JFET, DMOST, IGBT structures fabricated on bulk silicon and SOI/SOS substrates are characterized as the object of modeling. Popular TCAD simulators and SPICE device models libraries are presented. The model parameters extraction strategies for TCAD device and SPICE circuit simulation based on data proceeding of physical and electrical measurements are described. The ...
Added: December 5, 2020
Изучение сезонной изменчивости теплового поля Краснодара по космическим снимкам со спутника Landsat 8
Grishchenko M. Y., Калитка Л. С., В кн.: Материалы Международной конференции «ИнтерКарто. ИнтерГИС»: Геоинформационное обеспечение устойчивого развития территорийЧ. 2. Т. 25.: Издательство Московского университета, 2019. С. 101–111.
Среди всех крупных городов России Краснодар находится в наиболее мягких и тёплых климатических условиях. В связи с этим интересно изучить особенности сезонной изменчивости теплового поля Краснодара, а также внутреннюю структуру поверхностного острова тепла, выявляемую по тепловым космическим снимкам. Для этого использованы разносезонные тепловые космические снимки со спутника Landsat 8 (съёмочная система TIRS), характеризующиеся пространственным разрешением 100 м. Выполнена ...
Added: October 29, 2020
Экранирование радиоэлектронной аппаратуры
Kechiev L., М.: Грифон, 2019.
На основе обобщения отечественного и мирового опыта рассматривается комплекс вопросов, связанных с разработкой эффективных экранов для радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), работающей в широком частотном диапазоне. Защита РЭА от воздействия электромагнитных полей представлена комплексно: от концепции экранирования до методики расчета неоднородных экранов; от металлических материалов до перспективных композитных и наноматериалов, применяемых при экранировании. В пособии рассматривается концепция ...
Added: October 21, 2019
Extension of Standard SPICE SiGe HBT Models in the Cryogenic Temperature Range
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Dvornikov O. et al., , in: 23rd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2017. P. 1–5.
Although it has been demonstrated that the SiGe HBTs can achieve faster unloaded circuit speed at cryogenic temperature than at room temperature, modelling of the SiGe HBTs at low temperature has been limited. It is known that the standard SPICE models of bipolar transistor are effective and guarantee the valid results only up to a ...
Added: July 16, 2018
Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие
Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. et al., М.: Солон-Пресс, 2017.
Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов ...
Added: February 28, 2017
Hardware-Software Subsystem for Multilevel Thermal Fault Detection and Analysis of Electronic Components
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Nikita I. Ryabov et al., , in: 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON). Proceedings.: M.: HSE, 2016. P. 1–6.
A hardware-software subsystem for multilevel investigation and analysis of thermal behavior and thermal faults in electronic components and systems is presented. IR thermography and thermal simulation software tools were interconnected and used together to detect and analyze hot spots, overheated elements, to optimize component constructions and cooling conditions to prevent radio-electronic components faults, improve thermal ...
Added: December 27, 2016
Temperature Characterization of Small-Scale SOI MOSFETs in the Extended Range (to 300°C)
Konstantin O. Petrosyants, Sergey V. Lebedev, Sambursky L. M. et al., , in: Proceedings of the 22nd International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (Therminic 2016).: IEEE, 2016. P. 250–254.
In this work, results of electrical measurements and their analysis are demonstrated for a small-scale 180-nm SOI CMOS technology in the extended temperature range (up to 300°C). Comparison with high temperature electrical characteristics of 0.5 um technology is drawn. Modified model for SOI MOSFETs, based on BSIMSOI model is developed and model parameters are extracted for SPICE simulation ...
Added: November 1, 2016
Модели полупроводниковых приборов для проектирования БИС космического назначения
Petrosyants K. O., В кн.: Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули".: М.: Техносфера, 2016. С. 18–19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Added: October 10, 2016
Сб. трудов Международной конференции "Интегральные схемы и микроэлектронные модули -- проектирование, производство и применение" (Микроэлектроника -- 2015)
М.: Техносфера, 2016.
В сборник включены  тезисы докладов конференции, освещающие актуалные вопросы разаработки, производства и применения отечественных интегральных схем и высокоинтегрированных микроэлектронных модулей. ...
Added: April 13, 2016
Quasi –3D Electrical and Thermal Modeling of Microelectronic Semiconductor Devices
Petrosyants K. O., Rjabov N., , in: International Conference on Simulation, Modeling and Mathematical Statistics (SMMS-2015).: Lancaster: DEStech Publications,Inc., 2015. P. 252–257.
New quasi – 3D numerical model for electrical and thermal analysis of microelectronic semiconductor devices is presented. The general 3D heat transfer and electrical field problems are correctly transformed to the set of 2D equations for temperature and electrical potential distributions in different layers of the device. The complexity and CPU time of the electro-thermal ...
Added: April 12, 2016
Подсистемы электротеплового моделирования СБИС и печатных плат, расширяющие возможности коммерческих САПР
Petrosyants K. O., Rjabov N., Kharitonov I. A. et al., В кн.: Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г.: М.: Техносфера, 2015. С. 231–232.
Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС,  электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов  ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены ...
Added: February 16, 2016
Модель оценки долговечности СВЧ-транзисторов большой мощности
Artyukhova M. A., В кн.: Тезисы докладов IX международной отраслевой научной конференции “Технологии информационного общества”.: М.: ИД Медиа Паблишер, 2015. С. 76–76.
A study evaluating the durability of the model of microwave power transistors ...
Added: December 10, 2015
  • About
  • About
  • Key Figures & Facts
  • Sustainability at HSE University
  • Faculties & Departments
  • International Partnerships
  • Faculty & Staff
  • HSE Buildings
  • HSE University for Persons with Disabilities
  • Public Enquiries
  • Studies
  • Admissions
  • Programme Catalogue
  • Undergraduate
  • Graduate
  • Exchange Programmes
  • Summer University
  • Summer Schools
  • Semester in Moscow
  • Business Internship
  • Research
  • International Laboratories
  • Research Centres
  • Research Projects
  • Monitoring Studies
  • Conferences & Seminars
  • Academic Jobs
  • Yasin (April) International Academic Conference on Economic and Social Development
  • Media & Resources
  • Publications by staff
  • HSE Journals
  • Publishing House
  • iq.hse.ru: commentary by HSE experts
  • Library
  • Economic & Social Data Archive
  • Video
  • HSE Repository of Socio-Economic Information
  • HSE1993–2026
  • Contacts
  • Copyright
  • Privacy Policy
  • Site Map
Edit