?
SOI/SOS MOSFET Compact Macromodel Taking into Account Radiation Effects
Russian Microelectronics. 2011. Vol. 40. No. 7. P. 457-462.
A compact BSIMSOI-RAD macromodel for SOI/SOS CMOS transistors is developed that takes into account the radiation effects. An automated procedure for determination of macromodel parameters is described and shown to be useful for analyzing radiation hardness of CMOS IC fragments depending on the total absorbed dose. The simulation time is estimated.
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 1 (87) С. 20-28
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Added: April 19, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.
An EKV-RAD macromodel for SOI/SOS MOSFET with account for radiation effects is developed using a subcircuit approach. As an addition to the standard version of the EKV model 1) radiation dependencies of parameters VTO, GAMMA, KP, E0 are introduced and 2) additional circuit elements to account for floating-body effects and radiation-induced leakage currents under static ...
Added: January 22, 2013
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3-18
An overview is given of published papers on investigations of ionizing radiation influence (gamma, neutron, and proton) on characteristics of silicon-germanium heterojunction transistors -- elements of SiGe BiCMOS integrated circuits of 4 generations with design rules 0.25, 0.18, 0.13, and 0.09 um. Experimental data are explained on the basis of modern understanding of radiation effects in ...
Added: September 18, 2014
Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2010 № 5 (85) С. 81-83
Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов. ...
Added: April 12, 2012
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750-755
Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures ...
Added: January 23, 2014
ФГУП "НИИП", 2016
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г. ...
Added: June 20, 2016
Borisov N., Малина А. С., Качество. Инновации. Образование 2013 № 3 С. 44-49
The method of reduction of linear electric equivalent schemes is considered in this article. This method uses the property of the scheme which consists of subschemes with minimum connections. The macromodeling method is suggested to use for each subscheme. The macromodeling method allows excluding unimportant inner variables so the common count of equations will be ...
Added: August 28, 2013
Изменения в поверхностных слоях медных сплавов под действием импульсной пучково-плазменной обработки
Епифанов Н. А., Пименов В. Н., Боровицкая И. В. et al., В кн. : Труды ХХХ Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 22 августа – 29 августа 2020г.). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2020. С. 83-95.
Added: September 10, 2020
Bondarenko G.G., Guseva M. I., Ivanov L. I. et al., Journal of Advanced Materials 1995 Vol. 2 No. 2 P. 99-105
Experiments revealed higher surface radiation resistance of the sweating aluminium-lithium alloys under long-term ion bombardment, so that it can be recommended for use in stressed sections of thermonuclear synthesis equipment. ...
Added: November 25, 2013
М. : НИИСИ РАН, 2017
Сборник содержит программу и тезисы докладов 16-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 3 по 7 июля 2017 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», Московским научно-техническим обществом радиотехники, электроники и связи имени А.С. Попова при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант ...
Added: September 13, 2017
Artyukhova M. A., Polesskiy S., Zhadnov V. V. et al., Компоненты и технологии 2010 № 9 С. 93-98
Рассматриваются вопросы повышения достоверности и точности оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов расчетными методами и проблемы оценки стойкости, связанные с применением в аппаратуре электронных компонентов иностранного производства, а также приводятся пути решения этих проблем. ...
Added: January 25, 2013
Zhadnov V. V., Lazarev D., Надежность 2004 № 4 С. 15-23
Наметившаяся в последнее время тенденция перехода к численным методам расчета показателей надежности радиоэлектронной аппаратуры, обусловленная появлением нового поколения компьютеров на база процессоров Intel Pentium IV, вновь выдвинула задачу снижения времени моделирования. Одним из возможных путей решения этой задачи является применение математических моделей эксплуатационной интенсивности отказов составных частей (макромоделей), которые позволяют существенно снизить время моделирования на ...
Added: January 12, 2014
Ястребинский Р. Н., Bondarenko G., Павленко В. И., Перспективные материалы 2016 № 6 С. 23-29
Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией
0,5 – 6,2 МэВ при флюенсе 1018 электронов/см2 и γ-источников 60Со (Е = 1,25 МэВ) при поглощенной
дозе 0,1 – 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы,
используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина
проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых
электронов по толщине защитного композита. ...
Added: May 18, 2016
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : 19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016». : ФГУП "НИИП", 2016. С. 97-98.
С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, ...
Added: June 20, 2016
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of the issues of the effect of radiation creating structural defects on the main parameters of bipolar transistors,
Consider issues related to the influence of ionization factors on the operation of transistors (radiation transients),
the effect of nuclear reactions and fast annealing on the parameters of transistors is considered;
Classification ...
Added: March 16, 2018
Andreev V. V., Bondarenko G., Maslovsky V. M. et al., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2012 Vol. 41 No. 012017 P. 1-9
In this study, a new technique of multilevel current stress for investigation thin oxide layers of MOS structures is proposed. This technique allows to investigate the generation and relaxation of positive and negative charges, accumulating in, nano-thickness gate dielectric of MOS structures under many stressing situations. The parameters characterizing the change of charge state in ...
Added: January 17, 2013
Адонин А. С., Петросянц К. О., М. : Химия, 2016
Книга посвящена интегральным схемам (ИС) со структурой КМОП «кремний на сапфире», которые являются стратегическим важным направлением создания ИС для экстремальных и ответственных применений и одновременно быстро развивающимся перспективным направлением создания больших ИС (БИС) и систем на кристалле (СнК) для мобильных систем связи. В книге рассмотрены следующие вопросы: специфика интегральных схем со структурой КМОП КНС; требования ...
Added: April 5, 2016
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. et al., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263-266
The paper considers an influence of different kinds of radio-frequency plasma treatments onto modification
of MIS structures with a thermal SiO2 film which is aimed at improvement of electro-physical parameters of
the film. It was found that for the modification of MIS structures it is more preferable to utilize the oxygen
plasma radio-frequency plasma treatment performed by a ...
Added: November 5, 2019
Лыткарино МО : [б.и.], 2015
Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015" ...
Added: September 18, 2015
Borisov N., Vostrikov A. V., Kravchenko N. et al., Технологии электромагнитной совместимости 2014 № 4(51) С. 49-57
This article discusses a method of constructing macromodels of linear electrical equivalent circuits in a homogeneous coordinate basis. Here is described in details the method of inversion of a polynomial matrix of the second degree, which is the base of the construction of the macromodel. The method can significantly reduce the complexity of building macromodels ...
Added: October 21, 2014
Вологдин Э. Н., Lysenko A. P., М. : НИУ ВШЭ, 2018
The main content of the training manual is:
consideration of issues of interaction of the main types of radiation with a solid,
structures of specific point and group radiation defects in silicon, germanium and gallium arsenide are considered,
Theoretical prerequisites for the calculation of the change in the basic electro-physical parameters of semiconductors are considered;
a summary of the ...
Added: March 15, 2018
М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Белоруссии, Казахстана,Узбекистана, Украины, Киргизии, Германии, США, Польши, ЮАР, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, ...
Added: July 15, 2014
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al., В кн. : Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г. : М. : НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Added: March 21, 2014
Radiation resistance of structural radiation-protective composite material based on magnetite matrix
Yastrebinskii R. N., Bondarenko G., Pavlenko V. I., Inorganic Materials: Applied Research 2016 Vol. 7 No. 5 P. 718-723
The effect of fast electrons with energy of 0.5–6.2 MeV at a fluence of 1018 electrons/cm2 and γ sources of 60Со (Е = 1.25 МeV) at the absorbed dose of 0.1–25 MGy on the radiation-protective composites based on a magnetite matrix used for biological protection of nuclear reactors is calculated and studied experimentally. The depth ...
Added: September 21, 2016