?
TCAD analysis of self-heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs
Proceedings of SPIE (США). 2012. Vol. 8700. P. 16.1-16.6.
In this paper we performed 2D and 3D device simulations to analyze the impact of technology scaling on the lattice heating in n-channel bulk silicon and silicon-on-insulator MOS transistors with gate lengths from 0.5 to 0.1 um. Maximum lattice temperatures and transistor thermal resistances for different gate lengths and bias voltages were calculated. The increase in device temperature and thermal resistance with transistor scaling was shown.
К.О. Петросянц, М.В. Кожухов, Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 6 С. 648-651
An electro-thermal modeling of modern SiGe and Si bipolar transistor structures using TCAD Sentaurus Synopsys has been carried out. It has been shown that for SiGe heterojunction bipolar transistors, operating at high current density, the internal temperature is higher than for identical Si transistors. As a result a stronger degradation of the device parameters and ...
Added: February 18, 2016
Petrosyants K. O., Popov D., Russian Microelectronics 2019 Vol. 48 No. 7 P. 467-469
SOI MOSFETs have the worst properties of heat removal from an active region, which negatively
affects the reliability and efficiency of integrated circuits. Using TCAD modeling, we investigate the self-heating
effect in the following structures of deeply submicron MOSFETs with different configurations of buried
oxide: traditional bulk MOSFET, SOI structure, SELBOX structure, partial SOI structure, thin-BOX SOI
structure, UTBB ...
Added: March 24, 2020
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., IEEE Transactions on Nuclear Science 2016 Vol. 63 No. 4 P. 2016 -2021
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive effects of ionization and displacement effects influence on transistor base current. New equations for the physical parameters τ, S, Nit taking ...
Added: October 8, 2016
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D., В кн. : Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021). Вып. 4.: М. : ИППМ РАН, 2021. Гл. 86. С. 2-6.
Added: October 31, 2021
Semenenko A. N., Linetskiy B., Ivanov I. et al., Динамика сложных систем 2014 Т. 8 № 5 С. 3-9
In article technique of application of the system ASONIKA in modeling of thermal processes of units and printed circuit boards is presented. Also in article an example of calculation of the unit and printed circuit board for thermal effects under steady-state and no steady-state modes in according to the technique described in the system ASONIKA ...
Added: December 11, 2014
Петросянц К. О., Popov D., Самбурский Л. М. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2015 Т. 20 № 1 С. 38-43
В статье с помощью расчёта в системе приборно-технологического моделирования TCAD проанализирована зависимость токов утечки транзисторной МОП-структуры размера 45 нм от внешних факторов. ...
Added: November 20, 2014
Rotkevich A., Semenenko A. N., Динамика сложных систем 2013 Т. 7 № 1 С. 35-42
In article an example of application of the system ASONIKA at the design of radio-electronic means is considered. The formulation of the problem and steps of the solution are presented. ...
Added: November 24, 2015
Petrosyants K. O., Popov D., Известия высших учебных заведений. Электроника 2018 Т. 23 № 5 С. 521-525
КНИ МОП-транзисторы имеют худшие условия для отвода тепла из рабочей об-ласти, что негативно сказывается на надежности и производительности микро-схем. С помощью TCAD-моделирования исследован эффект саморазогрева в структурах КНИ МОП-транзистора с различной конфигурацией скрытого оксида: традиционная структура на объемном кремнии, структура кремний на изоляторе, структура с «окном» в скрытом оксиде (SELBOX), КНИ-структура с неполным скрытым оксидом ...
Added: October 22, 2018
K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov et al., Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 7 P. 545-551
The transition from planar MOSFET structures to 3D FinFET structures provides resistance to various types of radiation. However, the characteristics of irradiated devices created at different manufacturers differ significantly, and it is rather difficult to explain the dependence of the radiation resistance of FinFE-T structures on variations in their physical and topological parameters and electrical ...
Added: January 30, 2023
Volovikov V., Сарафанов А. В., Информационные технологии 2012 № 2 С. 44-48
Рассматриваются вопросы снижения погрешностей вычисления сопротивления конвективного теплообмена в каналах конструкций радиоэлектронной аппаратуры для математических моделей, формируемых на основе эквивалентных тепловых схем. Приведены аналитические зависимости для теплообмена при ламинарном, переходном и турбулентном течении теплоносителя в каналах круглого и прямоугольного сечения. Предложены способ вычисления теплового сопротивления при разбиении канала на изотермические участки и поправка на соотношение ...
Added: February 3, 2013
Petrosyants K. O., Popov D., Bykov D., Journal of Physics: Conference Series 2019 Vol. 1163 P. 1-6
Quasi-3D model for calculation of radiation leakage currents in modern submicron SOI MOSFET structures is proposed. Instead of the fully 3D modeling is proposed to solve two tasks: 2D modeling of the traditional MOSFET cross-section and 3D modeling of the side parasitic transistor. The radiation-induced leakage current simulation in the 0.35 μm SOI MOSFET structure with ...
Added: October 22, 2018
Petrosyants K. O., Kozhukhov M., Popov D., Sensors and Transducers 2018 Vol. 227 No. 11 P. 42-50
The special library of radiation damage models for physical parameters and electrical characteristics of bipolar and MOS transistor and sensor structures taking into account neutron, gamma and proton irradiation is developed and built-into Sentaurus Synopsys software tool. For different BJTs/HBTs, MOSFETs and radiation sensors the good agreement to simulated and experimental electrical characteristics is achieved. ...
Added: October 22, 2018
Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Lebedev S. et al., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
I-V characteristics and reliability parameters for the set of hardened SOIMOSFET'swith special layouts and tungsten metallization to provide additional thermal tolerance for high-temperature SOI CMOS IC's are investigated in the temperature range up to 300 °C. The reliability aspects under test for MOSFET's are threshold voltage shift, subthreshold slope and mobility degradation, gate leakage current ...
Added: February 28, 2018
Petrosyants K. O., Силкин Д. С., Popov D. et al., Известия высших учебных заведений. Электроника 2021 Т. 26 № 5 С. 374-386
При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном ...
Added: October 31, 2021
Kharitonov I. A., Aleksandrova A., Известия высших учебных заведений. Электроника 2016 Т. 21 № 3 С. 286-288
Работы посвящена исследованию влияния электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение величины амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. ...
Added: December 5, 2016
K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 8 P. 644-648
Using TCAD modeling, the effect of changing the FinFET structure parameters, such as gate stack layer sizes, fin shape, or doping levels, on the electrical characteristics of the device is studied. ...
Added: May 13, 2023
50584562, Popov D., Bykov D., Russian Microelectronics 2018 Vol. 47 No. 7 P. 487-493
The sub-100-nm CMOS process with a high-κ gate dielectric is one of the key technologies for the
fabrication of digital, analog, and RF VLSI circuits and on-chip systems. The influence of ionizing radiation
on 45-nm MOS transistors with a high-κ dielectric fabricated using the bulk-silicon and SOI technologies is
simulated. Effects induced by the substitution of SiO2 with ...
Added: January 30, 2018
Petrosyants K. O., Popov D., , in : 2020 36th Semiconductor Thermal Measurement, Modeling & Management Symposium (SEMI-THERM). : IEEE, 2020. P. 56-60.
Added: February 14, 2021
Kanavets V. I., Mozgovoi Y. D., Khritkin S. A., Известия РАН. Серия физическая 1999 Т. 63 № 12 С. 2333-2339
Added: January 31, 2013
М. : Физический факультет МГУ, 2001
Added: June 15, 2013
Kozhevnikov A., Надежность 2008 № 1 С. 64-71
Рассматривается методология автоматизированного проектирования бортовых радиоэлектронных средств на основе иерархического комплексного системного моделирования. Методология позволяет принимать минимальные по стоимости проектные решения по синтезу допусков и номинальных значений параметров, электрических и тепловых нагрузочных режимов электронных элементов и параметров элементов обеспечения их температурного режима, синтезу систем вибрационной и ударной защиты. Основой методологии являются методы анализа и синтеза ...
Added: October 15, 2013
Petrov V., M. Komarov, D. Moltchanov et al., IEEE Transactions on Wireless Communications 2017 Vol. 16 No. 3 P. 1791-1808
The fifth generation wireless systems are expected to rely on a large number of small cells to massively offload traffic from the cellular and even from the wireless local area networks. To enable this functionality, mm-wave (EHF) and Terahertz (THF) bands are being actively explored. These bands are characterized by unique propagation properties compared with ...
Added: March 12, 2018
Ivashov E., Kravchenko N., Yagovtsev V. et al., Вестник машиностроения, СТИН 2015 № 9 С. 39-42
The method of multipurpose decision making as a problem of fuzzy programming is considered. For expression of desire levels the method of preferences determination of criteria and achievability assessment is used. ...
Added: October 17, 2015
Barcelona : IEEE, 2017
International Conference on Control, Decision and Information Technologies. ...
Added: January 17, 2018