Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU

P. 312–315.

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Попов Д. А.

Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки для транзисторов с длиной канала от 0,25 мкм до 65 нм.

Ключевые слова: TCAD, SPICE, МОП-транзистор, MOSFET, SOI, TCAD, КНИ, HSPICE, ion strike, parasitic bipolar transistor, single event, Паразитный биполярный транзистор, одиночный сбой

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям (2013)

В книге

Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’13)

Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2013.