Глава
Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU
P. 312-315.
Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки для транзисторов с длиной канала от 0,25 мкм до 65 нм.
Язык:
английский
Полный текст (PDF, 869 Кб)
Публикация подготовлена по результатам проекта:
Разработка методов многоуровневого исследования и моделирования элементов перспективных изделий микроэлектроники от уровня материала до уровня схем с повышенной стойкостью к температурным и радиационным воздействиям(2013)