• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Coupled TCAD-SPICE Simulation of Parasitic BJT Effect on SOI CMOS SRAM SEU

P. 312-315.

Было произведено моделирование одиночных сбоев (SEU) вызванных ударом тяжелых ионов в SOI CMOS SRAM ячейки. Моделирование производилось с использованием смешанного подхода, то есть двухмерная структура полупроводникового прибора моделировалась с помощью САПР TCAD в сочетании с SPICE моделированием схемы. Показано как паразитный биполярный транзистор и положение точки удара иона влияние на сбой SOI CMOS SRAM ячейки для транзисторов с длиной канала от 0,25 мкм до 65 нм.

В книге

Под науч. редакцией: V. Hahanov. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2013.