TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs

Petrosyants Konstantin O.; Orekhov Evgeny Vadimovich; Kharitonov Igor A.; Popov Dmitriy

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Публикации

Глава

TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs

P. P1-08.

Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D.

В тезисах приведены результаты 3D приборно-технологического моделирования эффектов саморазогрева в n-канальных объемных и КНИ n-МОП транзисторах с проектными нормами 0.1 мкм. Был проведен расчет температурных полей в каналах МОП-транзисторов и определены их максимальные рабочие температуры. Исследован эффект саморазогрева в КНИ n-МОП-транзисторах с различной толщиной приборного слоя кремния.

Язык: английский

Полный текст (PDF, 535 Кб)

Ключевые слова: MOSFET SOI TCAD self-heating effect

В книге

International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.

M.: ФТИАН, 2012.

Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD

Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013

Expanding Commercial SPICE Possibilities in the Field of Extreme Environment Electronics Design by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific-practical conference. Part 3. Prt. 3. M.: HSE, 2014. P. 244-253.

The possibilities of commercial SPICE are expanded in the new field—space environment electronics design. For this purpose, the set of BJT and MOSFET models with account for radiation influence is included into commercial SPICE device library. The characteristics of devices and circuits subjected to space radiation exposure (gamma-rays, protons, neutrons, electrons, heavy ions) are presented and examined with emphasis on application for radiation hardened electronics systems.

Добавлено: 16 мая 2014

The Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. In bk.: Book of Abstracts of the 3rd International Conference on Advanced Measurement and Test , Xiamen, China, March 13-14, 2013. Xiamen: 2013. P. 35-36.

Hardware-software subsystem designed for MOSFETs characteristic measurement and SPICE model parameter extraction taking into account radiation effects is presented. Parts of the system are described. The macromodel approach is used to account for radiation effects in MOSFET modeling. Particularities of the account for radiation effects in MOSFETs within the measurement and model parameter extraction procedures are emphasized. Application of the subsystem is illustrated on the example of radiation hardened 0.25 μm SOI MOSFET test structures.

Добавлено: 29 апреля 2013

Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194.

Добавлено: 17 октября 2014

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014