TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs

Petrosyants Konstantin O.; Orekhov Evgeny Vadimovich; Kharitonov Igor A.; Popov Dmitriy

АБB
АБB
АБB

Обычная версия сайта

Приоритетные направления

по году

Тематика

Новости

4 марта 2021

Кто следит за порядком в живой клетке – взгляд физиков

Итальянские и российские исследователи подтвердили гипотезу о том, что самоподдерживающийся порядок в ядерной (эукариотической) клетке – результат совместного действия двух спонтанных механизмов. Одинаковые молекулы собираются в «капли» на мембране, а затем отрываются от нее в форме крошечных пузырьков, обогащенных собравшимися вместе молекулами. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Physical Review Letters.

3 марта 2021

Большой адронный коллайдер – фабрика открытий новых адронов

Коллаборация одного из экспериментов Большого адронного коллайдера, LHCb, в которую входит также и группа ученых Высшей школы экономики, опубликовала сообщение об открытии новых тетракварков – экзотических адронов, состоящих из четырех кварков. Эти открытия стали возможны благодаря массивным выборкам данных, собранным экспериментом LHCb при помощи алгоритмов, разработанных в ВШЭ.

2 марта 2021

Как канцерофобия и отсутствие культуры общения врача с пациентами мешает борьбе с раком в России

Онкологические заболевания окутаны множеством мифов. Последствия заблуждений и слабой информированности плачевные — запущенные стадии заболевания, ранние смерти. Профилактика и ранняя диагностика рака должны стать рутинными практиками, считают участники круглого стола «От канцерофобии к онконастроженности», организованного в НИУ ВШЭ проектной группой «Онкология и дефициты агентности: автономные практики заботы россиян о себе в условиях кризиса биомедицины».

Публикации

Глава

TCAD analysis of self heating effects in bulk silicon and SOI n-MOSFETs

P. P1-08.

Petrosyants K. O., Orekhov E. V., Kharitonov I. A., Popov D.

В тезисах приведены результаты 3D приборно-технологического моделирования эффектов саморазогрева в n-канальных объемных и КНИ n-МОП транзисторах с проектными нормами 0.1 мкм. Был проведен расчет температурных полей в каналах МОП-транзисторов и определены их максимальные рабочие температуры. Исследован эффект саморазогрева в КНИ n-МОП-транзисторах с различной толщиной приборного слоя кремния.

Язык: английский

Полный текст (PDF, 535 Кб)

Ключевые слова: MOSFET SOI TCAD self-heating effect

В книге

International Conference “Micro- and Nanoelectronics – 2012” Book of abstracts.

M.: ФТИАН, 2012.

Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD

Петросянц К. О., Попов Д. А. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2013. № 4. С. 96-97.

Для корректного учета совместного действия радиации и температуры на характеристики МОП-транзисторов с помощью системы TCAD в модель расчета объемной плотности ловушек в оксиде введен нелинейный поправочный коэффициент, который учитывает изменение концентрации ловушек от температуры.

Добавлено: 6 октября 2013

Radiation- and Temperature-Induced Fault Modeling and Simulation in BiCMOS LSI’s Components using RAD-THERM TCAD Subsystem

Petrosyants K. O., Kozhukhov M. V., Popov D. In bk.: 2019 IEEE 22nd International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits & Systems (DDECS). Cluj: IEEE, 2019. P. 1-4.

Добавлено: 31 мая 2019

Electro-thermal Design of Smart Power Devices and Integrated Circuits

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Rjabov N. Advanced Materials Research. 2014. Vol. 918. P. 191-194.

Добавлено: 17 октября 2014

Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц

Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014