SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек

Петросянц Константин Орестович; Самбурский Лев Михайлович

Глава

SPICE-модели фотодиодов и фототранзисторов для расчёта КНС КМОП фоточувствительных ячеек

С. 116-121.

Разработанные spice-модели фоточувствительных элементов были использованы для моделирования характеристик фоточувствительных элементов с горизонтальной структурой: фотодиода и биполярного транзистора, – изготовленных по КМОП-технологии «кремний на сапфире» (КНС КМОП) 0,5 мкм компании Peregrine, и ФДУЗ, изготовленного по отечественной 2 мкм КНС КМОП-технологии. Показана хорошая точность совпадения измеренных и смоделированных характеристик.

Язык: русский

Полный текст (PDF, 418 Кб)

Ключевые слова: технология «кремний на сапфире»фоточувствительные элементы схемотехнические модели схемотехническое моделирование определение параметров моделей

В книге

Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XI научно-технической конференции, Дубна, 17-19 октября 2012 г.

Под науч. редакцией: В. Синкевич, А. Филатов, Е. М. Савченко М.: ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2012.

Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты

Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8-20.

Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.

Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность.

Добавлено: 21 марта 2014

Электроника интегральных схем. Лабораторные работы и упражнения. Учебное пособие

Петросянц К. О., Козынко П. А., Рябов Н. И. и др. М.: Солон-Пресс, 2017.

Рассмотрены принципы работы и электрические характеристики биполярных и МОП-транзисторов интегральных схем, базовых элементов цифровой и аналоговой схемотехники, БМК и ПЛМ, микроконтроллеров и микропроцессоров. Описаны методики выполнения лабораторных, расчетных на ЭВМ, курсовых, самостоятельных и др. работ. Пособие предназначено для бакалавров и магистров различных специальностей, изучающих электронику, микроэлектронику и схемотехнику; отдельные разделы могут быть полезными для аспирантов и инженеров-практиков.

Добавлено: 28 февраля 2017

Использование свободного ПО Qucs в целях моделирования для оценки факторов ЭМС РЭА

Кечиев Л. Н., Кузнецов В. В., Крючков Н. М. Технологии электромагнитной совместимости. 2015. № 1(52). С. 28-33.

Рассмотрены вопросы замещения в учебном и научно-исследовательском процессе проприетарного ПО для схемотехнического моделирования электронных схем на программу со свободной лицензией Qucs с открытым исходным кодом. Изложены преимущества и недостатки такого подхода. Рассмотрен симулятор электронных схем, разрабатываемый Кузнецовым В.В. с информационной и методической поддержкой соавторов.

Добавлено: 13 марта 2015

Современные информационные технологии в профессиональной деятельности: труды международной научно-практической конференции "СИТ-2014"

М.: МФЮА, 2014.

Сборник составлен по материала Межународной научно-практической коференции "Современные информациооные технологии в профессинальной деятельности (СИТ-2014)", и содержит статьи, подготовленные преподавателями, аспирантами, соискателями и студентами российских вузов, а также опытными специалитами, работающими в сфере информационных технологий.

Добавлено: 11 ноября 2014

Compact Power BJT and MOSFET models parameter extraction with account for thermal effects

Kharitonov I. A. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 271-274.

Представлены дополнения к стандартной методологии определения параметров моделей мощных Биполярных и МОП транзисторов для учета эффектов саморазогрева. Для биполярных транзисторов дополнения включены в маршрут для модели VBIC. Для МОП транзисторов добавлен специальный генератор тока для учета увеличения тока с ростом температуры транзистора.

Добавлено: 12 апреля 2012

Simulation of Total Dose Influence on Analog-Digital SOI/SOS CMOS Circuits with EKV-RAD macromodel

Petrosyants K. O., Kharitonov I. A., Sambursky L. M. et al. In bk.: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12). Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60-65.

Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при использовании EKV-RAD на моделирование аналоговой схемы затрачивается до 15-30% меньше процессорного времени, а на моделирование цифровой на 40-50% меньше в сравнении с моделью BSIMSOI-RAD.

Добавлено: 22 января 2013

BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов

Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012

Web-ориентированная система моделирования как элемент информационной поддержки жизненного цикла изделий

Макаров К. А., Тумковский С. Р., Тишкин А. М. Качество. Инновации. Образование. 2013. № 10. С. 29-32.

В работе рассматриваются общие подходы к построению распределенной системы схемотехнического моделирования как элемента информационной поддержки жизненного цикла изделия. Реализация этих подходов демонстрируется на примере создания одного из элементов системы.

Добавлено: 25 октября 2013