• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
Расширенный поиск
«Высшая школа экономики»
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
по году
Тематика
Новости
19 января 2021
«Очистить демографию от мифологии, победных реляций и конъюнктурных рассуждений»
15 января ушел из жизни Анатолий Вишневский — директор Института демографии НИУ ВШЭ, главный демограф России, оказавший большое влияние на социологические и экономические науки. В память о нем IQ.HSE публикует подборку материалов, сделанных по следам его исследований, а также его авторских колонок для издания.
18 января 2021
Катастрофа и возможность: эксперты Вышки изучили уроки кризисов последних ста лет
Идея проекта, изучающего кризисный опыт, родилась на факультете мировой экономики и мировой политики НИУ ВШЭ весной прошлого года, когда стало ясно, что пандемия и локдаун дали старт новому системному кризису, в основе которого лежат многочисленные противоречия, накопившиеся в мире за последние десятилетия. О результатах научного проекта «Уроки кризисов прошлого» новостной службе портала рассказал руководитель Департамента мировой экономики Вышки Игорь Макаров.
18 января 2021
Самоизоляция изменила уклад жизни российских женщин
Исследовательницы из НИУ ВШЭ в Нижнем Новгороде Юлия Чилипенок, Ольга Гапонова, Надежда Гапонова и Любовь Данилова изучили, как сказалась на российских женщинах самоизоляция в условиях пандемии COVID-19. Среди исследованных аспектов: как женщины распределяли своё время, работали на дистанте, выстраивали отношения с супругом и детьми, отказывались от старых привычек и приобретали новые, связанные с питанием, здоровьем, красотой и саморазвитием.

Глава

TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies

P. 188-190.
Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A.

Представлены результаты сравнения времен задержек переключения МОП транзисторов , со структурой кремний на сапфире и кремний на изоляторе. Была использована двух этапная процедура для расчета времен задержек МОП транзисторов с длинами каналов от 3 до 0.25 мкм, изготовленных по указанным технологиям. Показано, что технология UTSI фирмы Pеregrine обеспечивает уменьшение времен задержек на 220-240% по сравнению с «объемным» кремнием и 20-25% - по с равнению с технологий кремний на изоляторе.

Язык: английский
Полный текст (PDF, 295 Кб)
Ключевые слова: silicon on sapphiresilicon on insulatorMOSFET delay timeTCAD-SPICE simulationPeregrine UTSi SOS

В книге

TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies
Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11)
Под науч. редакцией: В. Хаханов. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.
Похожие публикации
TCAD моделирование сбоеустойчивости SELBOX и DSOI КМОП КНИ ячеек памяти
Попов Д. А. В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.. М.: МАКС Пресс, 2020. С. 227-229.

Проведено смешанное TCAD-SPICE моделирование удара тяжелой заряженной частица в ячейку памяти на основе КНИ КМОП транзисторов. Исследовалась зависимость критического значения линейных потерь энергии от температуры для трех конфигураций 0,24 мкм КНИ МОП-транзисторов: традиционный КНИ, Selective BOX и Double SOI. Было показано, что отказоустойчивость ячеек на основе Double SOI МОПТ значительно повышается при отрицательном смещении на нижнем затворе.

Добавлено: 5 декабря 2020
Исследование влияние температуры на устойчивость КМОП КНИ ячеек памяти к воздействию одиночных тяжелых частиц
Попов Д. А., Харитонов И. А. В кн.: Фундоментальная наука и технология - перспективные разработки/ Fundamental science and technology - promising developments III. Т. 3. Вып. III. CreateSpace, 2014. С. 4-6.

В статьи рассмотрено смешанной TCAD-SPICE моделирование воздействия одиночной заряженной частицы на ячейку памяти, состоящей из КМОП КНИ МОПТ с длиной канала 0.25 мкм. Моделирование производилось при различных температурах окружающей среды (от -100 С до 180 С). Показана важность учета влияния температуры на устойчивость ячеек памяти к сбоям, вызываемым воздействием отдельных тяжелых частиц, т.к. стойкость при повышенной и пониженной температурах может быть хуже, чем при комнатной.

Добавлено: 5 июня 2014