TCAD-SPICE simulation of MOSFET switch delay time for different CMOS technologies

P. 188-190.

Petrosyants K., Orekhov E. V., Popov D., Kharitonov I. A., Sambursky L. M., Yatmanov A., Voevodin A., Mansurov A.

Представлены результаты сравнения времен задержек переключения МОП транзисторов , со структурой кремний на сапфире и кремний на изоляторе. Была использована двух этапная процедура для расчета времен задержек МОП транзисторов с длинами каналов от 3 до 0.25 мкм, изготовленных по указанным технологиям. Показано, что технология UTSI фирмы Pеregrine обеспечивает уменьшение времен задержек на 220-240% по сравнению с «объемным» кремнием и 20-25% - по с равнению с технологий кремний на изоляторе.

Ключевые слова: silicon on sapphire, silicon on insulator, MOSFET delay time, TCAD-SPICE simulation, Peregrine UTSi SOS

В книге

Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11)

Под науч. редакцией: В. Хаханов. Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2011.