• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Измерение и моделирование влияния низкоинтенсивного излучения на цифровые КМОП ИС

С. 232-235.
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А., Харитонов И. А., Самбурский Л. М.

На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС.