• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками

С. 815-816.
Шалеев М., Новиков А., Юрасов Д., Байдакова Н., Морозова Е., Скороходов Е., Вербус В. А., Ota Y., Kurokawa Y., Usami N.

Развит оригинальный метод нанотекстурирования поверхности кристаллического кремния, основанного на использовании GeSi самофокусирующихся наноостровков в качестве маски для анизотропного травления Si. Развитый метод характеризуется малой толщиной удаляемого кремния и позволяет в широком спектральном диапазоне значительно уменьшить отражение от поверхности кремния и увеличить поглощение излучения ближнего и среднего ИК диапазона. Это делает перспективным применение этого метода нанотекстурирования поверхности для повышения эффективности солнечных элементов на основе тонких пластин кристаллического кремния

В книге

Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками
Т. 2: секция 3. Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018.