?
Создание «черного кремния» для солнечных элементов на основе структур с Ge(Si) cсамоформирующимися островками
С. 815-816.
Шалеев М. В., Новиков А. В., Юрасов Д. В., Байдакова Н. А., Морозова Е. Е., Скороходов Е. Е., Вербус В. А., Ota Y., Kurokawa Y., Usami N.
Развит оригинальный метод нанотекстурирования поверхности кристаллического кремния, основанного на использовании GeSi самофокусирующихся наноостровков в качестве маски для анизотропного травления Si. Развитый метод характеризуется малой толщиной удаляемого кремния и позволяет в широком спектральном диапазоне значительно уменьшить отражение от поверхности кремния и увеличить поглощение излучения ближнего и среднего ИК диапазона. Это делает перспективным применение этого метода нанотекстурирования поверхности для повышения эффективности солнечных элементов на основе тонких пластин кристаллического кремния
В книге
Т. 2: секция 3. , Н. Новгород : Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2018
Vladimir M. Shevlyuga, Vorontsova Y., Tatiana V. Pavlova, Journal of Physical Chemistry C 2023 Vol. 127 No. 19 P. 8978-8983
Добавлено: 29 мая 2023 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 31-35
Добавлено: 14 марта 2023 г.
T. V. Pavlova, V. M. Shevlyuga, Journal of Chemical Physics 2023 Vol. 159 No. 21 Article 214701
Добавлено: 29 января 2024 г.
Павлова Т. В., Physical Chemistry Chemical Physics 2020 Vol. 22 P. 21851-21857
Добавлено: 2 ноября 2020 г.
Reznik R., Ilkiv I., Kotlyar K. и др., Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2022 Vol. 16 No. 7 Article 2200056
Комбинации нитевыдных нанокристаллов (ННК) AIIIBV с квантовыми точками (КТ) являются многообещающими материалами для квантовых источников света. В настоящей работе впервые показаны результаты выращивания ННК AlGaAs с КТ InGaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке. Определена оптимальная температура роста и исследованы физические свойства выращенных наноструктур. Показано, что выращенные наноструктуры проявляют сигнал фотолюминесценции (ФЛ) вплоть до комнатной температуры в широком ...
Добавлено: 27 сентября 2022 г.
Selective Etching of Si, SiGe, Ge and Its Usage for Increasing the Efficiency of Silicon Solar Cells
Baidakova N. A., Вербус В. А., Morozova E. E. и др., Semiconductors 2017 Vol. 51 No. 12 P. 1542-1546
Добавлено: 16 февраля 2018 г.
Martynov Y., Nazmitdinov R., Moia-Pol A. и др., Physical Chemistry Chemical Physics 2017 Vol. 19 No. 30 P. 19916-19921
Добавлено: 29 сентября 2017 г.
Starikov S., Gordeev I., Lysogorskiy Y. и др., Computational Materials Science 2020 Vol. 184 Article 109891
Добавлено: 28 января 2022 г.
Cтруктурные особенности кристаллов кремния, подвергнутых облучению протонами и термической обработке
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., В кн. : Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 211-215.
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии исследована структура кристаллов кремния, имплантированных протонами. Проанализировано распределение деформации в нарушенных слоях. ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
Павлова Т. В., Shevlyuga V.M., Andryushechkin B. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2020 Vol. 101 No. 23 P. 235410-235410
Добавлено: 16 ноября 2020 г.
Мельниченко И. А., Комаров С. Д., Драгунова А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 5 С. 3-6
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 ...
Добавлено: 13 февраля 2024 г.
Якобсон О., Грибкова О., Тамеев А. Р. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 16 С. 3-5
Впервые разработаны перовскитные солнечные элементы с фотоактивным слоем из иодида метиламмония свинца и дырочно-транспортным слоем на основе комплекса полианилина с поли-2-акриламидо-2-метил-1-пропансульфоновой кислотой. Эффективность фотопреобразования полученных устройств соответствует известным мировым аналогам. По результатам моделирования оптических параметров ячейки в рамках модели Максвелла-Гарнета установлено, что наблюдаемая экспериментально слабая зависимость КПД фотопреобразования устройства от толщины слоя перовскита в диапазоне ...
Добавлено: 28 ноября 2019 г.
Reznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2023 Vol. 16 No. 1.1 P. 153-157
Добавлено: 3 июля 2023 г.
Лю Д., Perez C. M., Васенко А. С. и др., The Journal of Physical Chemistry Letters 2022 Vol. 13 No. 16 P. 3645-3651
Добавлено: 5 мая 2022 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Монахов И. С. и др., Russian Microelectronics 2014 Vol. 43 No. 8 P. 587-589
The monitoring methods for measuring the film structure parameters in formation process, namely, the in situ methods, are currently of special significance. Their application provides obtaining the films with the given characteristics, which results in a fast correction of the technological modes. The possibilities of the in situ method of the X-ray reflectometry for defining ...
Добавлено: 11 марта 2015 г.
Смирнов И. С., Монахов И. С., Егоров А. А. и др., Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 2013 № 1 С. 34-37
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов ...
Добавлено: 19 марта 2013 г.
Добавлено: 26 декабря 2018 г.
Смирнов И. С., Новоселова Е. Г., Дьячкова И. Г., В кн. : Материалы V международного научного семинара "Современные методы анализа дифракционных данных". : Великий Новгород : Новгородский филиал Санкт-Петербургского государственного университета сервиса и экономики, 2011. С. 70-72.
В докладе приведены результаты изучения процессов релаксации радиационных дефектов, возникающих при ионной имплантации Si ионами H+, в ходе термической обработки. Измерения проведены методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД). ...
Добавлено: 28 марта 2013 г.
М. : МАКС Пресс, 2020
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, ...
Добавлено: 29 ноября 2020 г.
T.V. Pavlova, Шевлюга В. М., B.V. Andryushechkin и др., Applied Surface Science 2020 Vol. 509 P. 145235
Добавлено: 18 мая 2020 г.
Осадчая А. С., Асадчиков В. Е., Бузмаков А. В. и др., В кн. : Труды XXIII Международной конференции "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 8 июля - 13 июля 2013). : М. : ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013. С. 188-195.
В работе приведены результаты исследования монокристаллов кремния, выполненные развиваемым авторами методом рентгеновской топо- томографии с использованием лабораторных источников. Описаны схема и условия проведения эксперимента. Получено трехмерное распределение дефектных областей в кристалле. ...
Добавлено: 20 февраля 2014 г.
Skorokhodov E., Zhidomirov G.M., Eltsov K.N. и др., Journal of Physical Chemistry C 2019 Vol. 123 No. 32 P. 19806-19811
Добавлено: 25 октября 2019 г.
Melnichenko I., Крыжановская Н. В., Бердников Ю. С. и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2022 Vol. 15 No. 3.3 P. 260-264
We present a photoluminescence study of InP nanostructures monolithically integrated to Si (100) substrate. The InP nanostructures were grown in pre-formed pits in the silicon substrate using an original approach by metal–organic vapor phase epitaxy via selective area growth driven by molten alloy. The obtained InP/Si nanostructures have submicron size above and below substrate surface. ...
Добавлено: 14 марта 2023 г.
Zelenina A. I., Gordeev I. S., Колотова Л. Н., Journal of Non-Crystalline Solids 2023 Vol. 606 Article 122215
Добавлено: 28 июня 2023 г.