?
Принципы разработки библиотек SPICE-моделей электронных компонентов для ответственных применений отечественного производства
С. 308-312.
.
Исмаил-Заде М. Р., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2019». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, 23-25 сентября 2019 г. : М. : ООО "Спектр", 2019. С. 284-292.
Доработаны компактные SPICE-модели полевых транзисторов со структурой MOSFET и JFET, предназначенные для расчета электронных схем в диапазоне температуры от сверхнизких до сверхвысоких (–200…+300°С). Разработана процедура экстракции параметров SPICE-моделей на основе результатов измерений или приборно-технологического моделирования стандартного набора ВАХ и ВФХ в широком диапазоне температуры. ...
Добавлено: 30 сентября 2019 г.
Исмаил-Заде М. Р., Известия высших учебных заведений. Электроника 2020 Т. 25 № 1 С. 40-47
Схемотехническое проектирование электронных устройств для жестких условий эксплуатации требует наличия SPICE-моделей электронных компонентов, учитывающих влияние сверхнизкой и сверхвысокой температуры окружающей среды. Однако стандартные SPICE-модели компонентов в коммерческих версиях SPICE-подобных симуляторов обеспечивают достаточную точность в ограниченном температурном диапазоне (-60…+150 °С) и не могут применяться для расчета электронных схем в диапазоне температур от сверхнизких до сверхвысоких. В ...
Добавлено: 30 октября 2019 г.
Учебное пособие содержит тестовые задания по современным СВЧ приборам: детекторным диодам, варикапам, p-i-n диодам, диодам с барьером Шотки, диодам Ганна, лавинно-пролетным диодам, биполярным транзисторам, полевым транзисторам, в т.ч. на гетеропереходах.
Пособие предназначено для промежуточного контроля знаний студентов 3 курса, для проведения контроля остаточных знаний на старших курсах, а также для самоконтроля при самостоятельном (внеаудиторном) изучении дисциплины ...
Добавлено: 1 ноября 2012 г.
Рассмотрены и проанализированы SPICE-модели различной сложности для анализа влияния отдельных тяжелых (ядерных) частиц (ОЯЧ) на КМОП-схемы. Для варианта модели, учитывающей влияние электрического смещения в узле на параметры импульса тока, приведены выражения для оценки основных параметров такой модели в зависимости от параметров частицы и структуры транзисторов. Приведено сравнение параметров всплесков тока для используемой модели и из ...
Добавлено: 16 апреля 2021 г.
Петросянц К. О., , in : 24th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (2018). : IEEE, 2018. P. 1-6.
Добавлено: 22 ноября 2018 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 281-283.
Для проектирования радиационно-стойких Би-КМОП БИС разработаны универсальные компактные SPICE-макромодели биполярных и МОП-транзисторов, учитывающие радиационные воздействия гамма-лучей, нейтронов, электронов, протонов, импульсного излучения и отдельных ядерных частиц. ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Проблемы создания специализированных радиационно-стойких СБИС на основе гетероструктур. XVII научно-практический семинар с международным участием: сборник трудов. : Н. Новгород : ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова», 2017. С. 76-79.
С помощью разработанного автоматизированного аппаратно-программного комплекса в диапазоне температуры от комнатной до 300°С исследованы характеристики КНИ МОП-транзисторов с размерами 0.6, 0.35, 0.18 мкм, изготовленные ОАО ПИИМЭ и Микрон. Показана работоспособность транзисторов в диапазоне температуры до 300°С. Разработана методика определения параметров SPICE моделей КНИ МОП-транзисторов с учетом их размеров и расширенного диапазона температуры. С использованием методики определены ...
Добавлено: 20 ноября 2018 г.
Петросянц К. О., В кн. : Международной форум "Микроэлектроника-2016". 2-я научная конференция "Интегральные схемы и микроэлектронные модули". : М. : Техносфера, 2016. С. 18-19.
В настоящей работе рассмотрены две группы моделей (2D/3D приборно-технологические и компактные схемотехнические) для Si, SiGe, GaAs п/п приборов и элементов Би, КМОП, КМОП КНИ/КНС, Би-КМОП-ДМОП БИС, которые учитывают различные виды радиационных и температурных воздействий и встраиваются в известные коммерческие версии TCAD- и SPICE-подобных пакетов программ, что позволяет разработчикам схем распространить их возможности на проектирование БИС ...
Добавлено: 10 октября 2016 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81-85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Харитонов И. А., Четвериков И. А., Кузин Е. Ю. и др., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 66-67.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Вологдин Э. Н., Лысенко А. П., М. : МИЭМ НИУ ВШЭ, 2018
Основным содержанием учебного пособия является:
рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов,
рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы),
рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов;
дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах. ...
Добавлено: 16 марта 2018 г.
Петросянц К. О., Рябов Н. И., Харитонов И. А. и др., В кн. : Международная конференция «Микроэлектроника 2015». Сборник тезисов. г.Алушта, Крым, 28 сентября - 3 октября 2015 г. : М. : Техносфера, 2015. С. 231-232.
Описаны разработанные автоматизированные подсистемы, встроенные в коммерческую САПР Mentor Graphics: электротеплового моделирования аналоговых ИС, логико-теплового анализа цифровых ИС и БИС, электротеплового расчета систем на печатных платах. За счет автоматизации процесса электро-теплового и логико-теплового моделирования существенно расширены возможности системы Mentor Graphics. Описаны разработанные электро-тепловые модели компонентов ИС, БИС, проводников печатных плат, используемые в разработанных подсистемах. Приведены ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Экспериментально установлено, что выращенные в лаборатории более крупные колонии Dynamena pumila (Hydrozoa, Cnidaria), включающие 10–11 молодых побегов, менее устойчивы к повышению температуры воды до верхнего температурного предела данного вида (25 °С), чем такие же колонии меньшего размера с одним-двумя побегами. При повышении температуры часть гидрантов временно деградирует, а дефицит пищи в большей степени испытывают колонии ...
Добавлено: 6 декабря 2023 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2018. С. 82-83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Lebedev S. и др., Microelectronics and Reliability 2017 Vol. 79 P. 416-425
Добавлено: 28 февраля 2018 г.
В статье рассмотрены вопросы создания и внедрения информационной технологии обеспечения надежности сложных электронных средств (ЭС) военного и специального назначения. Основу технологии составляют процессы расчетной оценки характеристик и показателей надежности составных частей (СЧ) для всех уровней разукрупнения, начиная от электрорадио изделий (ЭРИ) и компонентов компьютерной техники (ККТ), электронных модулей первого уровня (ЭМ1) и заканчивая ЭС в ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., В кн. : Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XIV научно-технической конференции Москва, 7-9 октября 2015 г. : М. : ОАО НПП «ПУЛЬСАР», 2015. С. 239-243.
В данной работе описаны особенности процедуры измерения электрических характеристик и определения параметров SPICE-моделей биполярных транзисторов различного типа в диапазоне изменения температуры от минус 60 °C до +125 °C, что проиллюстрировано на примере отечественного дискретного биполярного транзистора из состава транзисторной матрицы 1НТ251А. Подробная пошаговая полуавтоматизированная процедура экстракции параметров была реализована с использованием автоматизированного комплекса IC‑CAP. ...
Добавлено: 16 февраля 2016 г.
Попов Д. А., В кн. : Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г. : М. : МАКС Пресс, 2020. С. 227-229.
Проведено смешанное TCAD-SPICE моделирование удара тяжелой заряженной частица в ячейку памяти на основе КНИ КМОП транзисторов. Исследовалась зависимость критического значения линейных потерь энергии от температуры для трех конфигураций 0,24 мкм КНИ МОП-транзисторов: традиционный КНИ, Selective BOX и Double SOI. Было показано, что отказоустойчивость ячеек на основе Double SOI МОПТ значительно повышается при отрицательном смещении на ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн. : Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник. : Лыткарино МО : [б.и.], 2015. С. 109-110.
Для модифицированных схемотехнических моделей электронных компонентов как в дискретном, так и в интегральном исполнении, учитывающих эффекты основных видов радиационного воздействия, отработаны методики измерений их характеристик в процессе и после радиационного воздействия и определения параметров их моделей из результатов измерений. ...
Добавлено: 18 сентября 2015 г.
Харитонов И. А., В кн. : XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия. : М. : НИИСИ РАН, 2017. С. 64-65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
50584562, Торговников Р. А., Вологдин Э. Н. и др., , in : Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’11). : Kharkov : Kharkov national university of radioelectronics, 2011. P. 267-270.
С помощью Synopsys TCAD промоделированы эффекты воздействия нейтронного излучения на кремниевые и SiGe биполярные транзисторы. В модель включена деградация времени жизни от облучения. Результаты моделирования согласуются с результатами экспериментальных исследований. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
И. Р. Муллахметов, В. С. Саенко, А. П. Тютнев и др., Журнал технической физики, Российская Федерация 2023 Т. 93 № 1 С. 130-134
Разработана методика и впервые получены достаточно полные данные по радиационной электропроводности полистирола при температуре 79K при импульсном и непрерывном воздействии электронов с энергией
50 keV. Показано, что радиационная электропроводность полистирола при температуре 79K, как и при
комнатной температуре определяется суммой двух компонент: мгновенной и задержанной. Обе компоненты
при 79K имеют значительно меньшие величины, чем при 298K. Полный сигнал ...
Добавлено: 2 января 2023 г.
Fishchuk I. I., Kadasnchuk A., Новиков С. В. и др., Molecular Crystals and Liquid Crystals 2014 Vol. 589 P. 18-28
We report on the influence of the lateral electric field on the charge mobility in organic field-effect transistors (OFET) based on C 60 films with multigrain morphology. The experimental data were quantitatively described using a recent analytical model by accounting for the strong local electric fields in a multigrain transistor channel and for the energy ...
Добавлено: 4 марта 2015 г.