• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Глава

TCAD-SPICE Two Level Simulation of Si BJTs and SiGe HBTs Taking into Account Radiation Effects

P. 2-10.

Представлены новые приборно-технологические и схемотехнические модели кремниевых и кремний германиевых биполярных транзисторов, учитывающие влияние облучения нейтронами, протонами и гамма-квантами. Рассмотрена возможность скозного TCAD и SPICE моделирования в рамках проектирования радиационно-стойких интегральных схем. Моделировался полный набор I-V, C-V, fT, fmax характеристик БТ / ГБТ до и после облучения. Результаты TCAD моделирования использовались в качестве входных данных для экстракции параметров модели для последующего SPICE моделирования.Расхождение результатов моделирования с экспериментальными данными для биполярных транзисторов Si и SiGe транзисторов до и после облучения показали ошибку 10-20% в широком диапазоне потоков и доз.