Проблемы TCAD-моделирования FinFET-структур с учетом радиационных эффектов

Параметры границы раздела поликремний — кремний при моделировании термических процессов существенно зависят от выбора модели диффузии из имеющихся в TCAD. В данной работе на основе экспериментальных данных проведено сравнение имеющихся в TCAD моделей диффузии в применении к этим материалам и даны рекомендации к выбору модели. ...

Добавлено: 5 ноября 2025 г.

Использование искусственных нейронных сетей в качестве интеллектуального метода контроля ионизирующего излучения

Каперко А. Ф., В кн.: X1V Всероссийское совещание по проблемам управления (ВСПУ - 2024), сборник научных трудов, 17 - 20 июня 2024 г.: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, 2024. С. 2464–2468.

Для контроля ионизирующего излучения в космическом пространстве используются спектрометры, построенные на алмазных детекторах, которые обладают сверхвысокой радиационной стойкостью. Рассматривается использование искусственных нейронных сетей в качестве интеллектуального метода контроля потоков ионизирующего излучения в аппаратуре обработки выходной информации со спектрометра. С помощью спектрометра анализируются 24 входных сигнала, содержащих интегральные количественные характеристики потоков ионизирующего излучения. Обрабатывается информация о ...

Добавлено: 17 сентября 2024 г.

Проблемы и перспективы зернового рынка России

Ильюхин Р. В., Инновационные технологии в пищевой промышленности и общественном питании, Россия, Екатеринбург 2023 С. 52–54

В статье рассмотрены особенности развития зернового рынка России: договорные отношения с импортерами, формирование новых транспортных коридоров и поддержка отечественных аграриев, сохранение ценного зернового сырья (в частности, путем обработки излучением). Основными странами российского экспорта зерна остаются государства Северной Африки, Ближнего Востока и Персидского залива, Турция, Египет и Азербайджан. Внедрение ФГИС «Зерно» в цифровом формате обеспечивает прозрачно ...

Добавлено: 5 апреля 2024 г.

Evaluation of the Effect of FinFET Structure Parameters on Electrical Characteristics Using TCAD Modeling Tools

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov, Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 8 P. 644–648

Добавлено: 13 мая 2023 г.

TCAD Modeling of Nanoscale FinFET Structures on Bulk Silicon, Taking into Account the Effects of Radiation

K. O. Petrosyants, D. S. Silkin, D. A. Popov и др., Russian Microelectronics 2022 Vol. 51 No. 7 P. 545–551

Добавлено: 30 января 2023 г.

Compact SPICE Models of Sub-100 nm FDSOI and FinFET Devices in the Wide Temperature Range (-269°C … + 300°C)

Konstantin O. Petrosyants, Mamed R. Ismail-zade, Самбурский Л. М., , in: 2022 28th International Workshop on Thermal Investigations of ICs and Systems (THERMINIC).: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 15 декабря 2022 г.

Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling

Петросянц К. О., Denis S. Silkin, Попов Д. А., Micromachines 2022 Vol. 13 No. 8 Article 1293

Добавлено: 30 октября 2022 г.

Analysis of SEU effects in MOSFET and FinFET based 6T SRAM Cells

K.O. Petrosyants, D.S. Silkin, D.A. Popov и др., , in: Proceedings of 2022 IEEE Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT).: M.: IEEE, 2022. P. 1–4.

Добавлено: 13 июля 2022 г.

Оценка влияния параметров структуры FinFET на электрические характеристики средствами TCAD-моделирования

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 120–123.

С помощью TCAD-моделирования исследовано влияние изменения параметров структуры FinFET, таких как размеры слоёв затворного стека, форма ребра или уровни легирования, на электрические характеристики прибора. ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.

Сравнение тепловых характеристик MOSFET и FinFET

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 4.: М.: ИППМ РАН, 2021. Гл. 86 С. 2–6.

Добавлено: 31 октября 2021 г.

TCAD-моделирование нанометровых структур FinFET на объемном кремнии с учетом воздействия радиации

Петросянц К. О., Силкин Д. С., Попов Д. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2021 Т. 26 № 5 С. 374–386

При переходе от планарных структур MOSFET к трехмерным структурам FinFET обеспечивается стойкость к разным видам облучения. Однако характеристики облученных приборов, созданных на разных предприятиях-изготовителях, существенно различаются, и объяснить зависимость радиационной стойкости структур FinFET от вариаций их физико-топологических параметров и электрических режимов достаточно сложно. В работе разработана радиационная версия TCAD-модели МОП-транзистора со структурой FinFET на объемном ...

Добавлено: 31 октября 2021 г.