• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта
home
vision user
search
Расширенный поиск
Приоритетные направления
по году
Тематика

Новости

22 февраля 2019

Список литературы: советская историческая наука

Оправдание опричнины, сталинизм и попытки сохранить себя.

21 февраля 2019

Насколько ученые привержены родному языку?

21 февраля по инициативе ЮНЕСКО с 2000 года отмечают Международный день родного языка. В контексте такой даты исследователи из Центра статистики и мониторинга науки и инноваций ИСИЭЗ и Наукометрического центра НИУ ВШЭ проанализировали соотношение публикаций исследователей из России в целом и Вышки в частности, которые выходят на русском и английском языках.

21 февраля 2019

Научные подразделения Вышки ждут новых стажеров-исследователей

В 2019 году в рамках выполнения научно-исследовательских проектов объявлен набор стажеров-исследователей из числа студентов и аспирантов НИУ ВШЭ. Для этого в научных подразделениях НИУ ВШЭ выделены дополнительные вакансии стажеров-исследователей.

Глава

Моделирование радиационно-стимулированного тиристорного эффекта в инверторе, выполненном по КМОП-технологии

С. 97-98.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Попов Д. А., Ихсанов Р. Ш.

С помощью 2D TCAD моделирования исследован тиристорный эффект, вызванный прохождением тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ) через структуру традиционного (объемного) КМОП инвертора и инвертора, выполненного по технологии с дополнительными слоями диэлектрической изоляции, окружающими области стока и истока (“quasi-SOI” with L-type isolation). Показано, что пороговое значение ЛПЭ, вызывающее защелкивание паразитной тиристорной структуры для классической объемной технологии составляет 25 МэВ·см2/мг, а для варианта “quasi-SOI” защелкивание отсутствует до значений 100 МэВ·см2/мг.

Язык: русский
 Полный текст (PDF, 4.94 Мб)
Ключевые слова: радиационная стойкостьМОП-транзистор
Публикация подготовлена по результатам проекта: Моделирование воздействия тепловых и радиационных эффектов на микроэлектронные компоненты(2016)

В книге

19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016»
ФГУП "НИИП", 2016.
Похожие публикации
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных МОП-транзисторах со структурой кремний-на-изоляторе
Петросянц К. О., Орехов Е. В., Самбурский Л. М. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 81-83.
При моделировании случайных сбоев, эффектов узкого канала, токов утечки по боковым изолирующим граням, а также при исследовании влияния топологии транзистора на радиационную стойкость необходимо использовать трехмерное моделирование, так как двумерное моделирование принципиально не может учесть вышеперечисленные эффекты. В настоящей работе представлены результаты трехмерного моделирования радиационных токов утечки в субмикронном частично обедненном n-канальном МОП-транзисторе со структурой КНИ.
Добавлено: 12 апреля 2012
Тезисы докладов 17 научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2014»: Научн. техн. сб. 2014
М.: НИЯУ МИФИ, 2014.

Рассматриваются внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры, проблемы оценки и обеспечения радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения.

Добавлено: 28 февраля 2014
Определение параметров схемотехнических моделей элементов КМОП КНИ БИС по результатам радиационных испытаний
Харитонов И. А. В кн.: Труды IX Межотраслевой конференции по радиационной стойкости, Снежинск, Челябинская область, Россия, 12-15 октября 2010 г. Россия. Т. 1. Снежинск: РФЯЦ-ВНИИТФ, 2010. С. 49-52.

В работе рассматриваются вопросы определения параметров схемотехнических моделей элементов радиационно стойких КНИ БИС с учетом суммарной поглощенной дозы для уровней схемных фрагментов и выше. Описана макромодель КНИ КМОП транзистора для моделирования схем, приведены методика и результаты определения параметров макромодели из результатов радиационных испытаний КМОП КНИ схем.

Добавлено: 12 апреля 2012
Воздействие ЭСР на полупроводниковые компоненты: моделирование схем защиты, методов средств защиты
Кечиев Л. Н., Абрамешин А. Е., Галухин И. А. и др. Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44-58.

Рассматривается моделирование одного из базовых встроенных элементов защиты на МОП-транзисторе: n-МОП транзистор с заземлённым затвором (Grounded Gate NMOS Transistor, GGNMOST). Модель этого элемента защиты, включенная в модели некоторых микросхем, позволит проводить виртуальные эксперименты по воздействию ЭСР на элементную базу и на аппаратуру, в которой она применяется. Рассматривается моделирование работы микросхем в условиях воздействия ЭСР. Даются методы измерения электростатических зарядов, потенциалов, напряжённости электростатического поля для использования в промышленности. Такие измерения важны для обеспечения защиты радиоэлектронной аппаратуры от электростатического разряда. Рассмотрены зондовый метод, метод динамического конденсатора и оптические методы. Сравниваются достоинства и недостатки данных методов.

Добавлено: 17 октября 2012
Трехмерное моделирование радиационных токов утечки в субмикронных КНИ МОП-транзисторах c различной топологией
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 84-89.

В работе представлены результаты применения cредств трехмерного приборно-технологического моделирования для анализа влияния конструктивно-топологических вариантов КНИ МОП-транзисторов на возникающие в них радиационные токи утечки.

Добавлено: 12 апреля 2012
Анализ влияния суммарной поглощенной дозы на характеристики элементной базы КНИ КМОП БИС ОЗУ
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др. В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 12-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 28 июня – 2 июля 2010 г.).. М.: НИЯУ МИФИ, 2010. С. 90-95.

С использованием характеристик облучённых тестовых n– и p–канальных 0.5 мкм КНИ МОП транзисторов разработана библиотека SPICE-моделей для CADENCE на основе модели BSIMSOI, учитывающая фактор суммарной поглощённой дозы. Методами схемотехнического моделирования проанализирована работа схемы БИС ОЗУ 512 кбит, выявлены схемные фрагменты, ограничивающие стойкость всей БИС и проведена их оптимизация для повышения стойкости всей БИС.

Добавлено: 12 апреля 2012
19-ая Всероссийская научно-техническая конференция «Радиационная стойкость электронных систем» «СТОЙКОСТЬ-2016»
ФГУП "НИИП", 2016.

Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы устных и стендовых докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Стойкость-2016", г. Лыткарино, 7-8 июня 2016 г.

Добавлено: 20 июня 2016
Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник
Под науч. редакцией: П. К. Скоробогатов Лыткарино МО: 2015.

Настоящий научно-технический сборник содержит тезисы докладов 18 Всероссийской технической научно-конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015"

Добавлено: 18 сентября 2015
BSIMSOI-RAD – макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора для схемотехнического расчета КМОП БИС с учетом радиационных эффектов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др. Известия высших учебных заведений. Электроника. 2010. № 5 (85). С. 81-83.

Макромодель BSIMSOI-RAD разработана для описания характеристик субмикронных КНИ/КНС КМОП-транзисторов, изготовленных по технологии кремний–на–изоляторе/сапфире, с учетом радиационных эффектов: суммарной поглощенной дозы, импульсного облучения и одиночных ядерных частиц (ОЯЧ). Макромодель предназначена для оценки эффективности предлагаемых конструктивно-технологических и схемотехнических решений, выявления «слабых» схемных узлов.

Добавлено: 12 апреля 2012