?
Определение параметров SPICE и IBIS моделей ЭКБ для учета эффектов радиационных воздействий на основании результатов измерения их характеристик
С. 109–110.
Для модифицированных схемотехнических моделей электронных компонентов как в дискретном, так и в интегральном исполнении, учитывающих эффекты основных видов радиационного воздействия, отработаны методики измерений их характеристик в процессе и после радиационного воздействия и определения параметров их моделей из результатов измерений.
Язык:
русский
Ключевые слова: электронные компонентыэкстракция параметровIBIS-моделирадаиационое воздействиеSPICE_моделиИзмерение характеристик
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Разработан метод априорного анализа тепловой нагрузки электронных компонентов, вызванных тепловыми процессами, протекающими в печатных узлах электронных блоков космических аппаратов. Метод позволяет разработчику проводить исследования тепловых режимов на этапах эскизного и технического проектирования и получать значения тепловых нагрузок на электронных компонентах печатных узлов до изготовления опытного образца. В случае перегрузки конкретного электронного компонента (или компонентов) разработчик ...
Добавлено: 29 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2018)Вып. 3.: М., Зеленоград: ИППМ РАН, 2018. С. 103–110.
Описаны «электро-термо-рад» модели стойких МОП транзисторов и примеры их использования для SPICE моделирование КМОП ИС с учетом совместного влияния факторов температуры и полученной дозы излучения. ...
Добавлено: 23 октября 2018 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2018». 4-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». Сборник тезисов. Республика Крым, г. Алушта, 01–06 октября 2018 г.: М.: Техносфера, 2018. С. 308–312.
. ...
Добавлено: 21 октября 2018 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVI Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 3 - 7 июля 2017 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2017. С. 64–65.
. ...
Добавлено: 13 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2017. С. 282–283.
Предлагается модифицированный подход к экстракции параметров SPICE-моделей субмикронных КНИ МОПТ с учетом повышенной температуры (до 300°C), заключающийся в использовании "биннинга". Результатом выполнения процедуры является единый набор параметров, содержащий отдельные секции для транзисторов различных размеров. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2015. С. 262–263.
Представлена структура и состав частей программно-аппаратного комплекса для экстракции параметров SPICE‑моделей МОП‑транзисторов с учётом воздействия стационарного радиационного излучения. Приведены результаты использования разработанного комплекса при формировании SPICE-модели реального МОП-транзистора. Приведена оценка погрешности моделирования статических вольт-амперных характеристик с использованием сформированной модели. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Исмаил-Заде М. Р., Самбурский Л. М., В кн.: Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов НИУ ВШЭ им. Е.В. Арменского. Материалы конференции.: М.: МИЭМ НИУ ВШЭ, 2016. С. 280–281.
Рассмотрены особенности измерения электрических характеристик биполярных и МОП-транзисторов в присутствии тепловых и радиационных эффектов. Описаны характеристики автоматизированного аппаратно-программного комплекса, в основе которого лежит набор измерительных приборов, методик измерений и обработки их результатов для транзисторов различного типа. Приведены примеры использования комплекса для исследования БТ и МОПТ, определения параметров их SPICE-моделей. ...
Добавлено: 8 сентября 2017 г.
Кофанов Ю. Н., Линецкий Б. Л., Сотникова С. Ю., Вестник компьютерных и информационных технологий 2016 № 10 С. 24–29
Предложен метод бесконтактного контроля температурных полей печатных узлов с использованием тепловизора и специального компьютерного обеспечения. Выявлены дефектные печатные узлы при автоматизированном сравнении измеренных температур электронных компонентов с предварительно вычисленными границами допусков на них. Для нахождения границ допусков применено статистическое компьютерное моделирование по методу Монте-Карло с имитацией разбросов по нормальному закону распределения электрических параметров электронных компонентов, ...
Добавлено: 16 декабря 2016 г.
Идентификация внутренних параметров электронных компонентов электронных средств при импортозамещении
Кофанов Ю. Н., Сотникова С. Ю., В кн.: Системные проблемы высокой надежности, математического моделирования и инновационных технологий изделий ответственного назначения (ИННОВАТИКА - 2015). Материалы Международной конференции и Российской научной школы.: М.: ОАО «Концерн «Моринформистема–Агат», 2015. С. 116–117.
Предлагается метод идентификации внутренних параметров инновационных электронных компонентов, разработанных по программе импортозамещения. ...
Добавлено: 22 декабря 2015 г.
Хохорин М., Чупилин А. В., Львов Б. Г. и др., В кн.: Инновации на основе информационных и коммуникационных технологий: Материалы международной научно-практической конференции, 2014.: М.: НИУ ВШЭ, 2014. С. 340–342.
Рассмотрены основные принципы конструирования приборов радиоэлектронной аппаратуры. Обозначены факторы разработки оптимального конструктива.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант No 14-07-00414) ...
Добавлено: 3 июня 2015 г.
Konstantin O. Petrosyants, Харитонов И. А., Самбурский Л. М., , in: EUROSOI-ULIS2015 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon January 26-28, 2015 - Bologna, Italy.: Bologna: IEEE, 2015. P. 305–308.
Добавлено: 12 марта 2015 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов 14-ой Российской научно-технической конференции. Суздаль 2012 г.: М.: НИЯУ МИФИ, 2012. С. 8–20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность. ...
Добавлено: 21 марта 2014 г.
К. О. Петросянц, В кн.: Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА. Материалы XII Научно-технической конференции.: М.: МНТОРЭС им. А. С. Попова, 2013. С. 229–232.
В работе рассматривается многоуровневая подсистема теплового моделирования электронных компонентов,которая является в известной степени аналогом европейской системы THERMINATOR. Рассмотренная подсистема используется в практических работах по тепловому моделированию электронных компонентов различного уровня, разрабатываемых и выпускаемых отечественной промышленностью. ...
Добавлено: 23 января 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., Advanced Materials Research 2013 Vol. 718–720 P. 750–755
Добавлено: 23 января 2014 г.
, Харитонов И. А., Козынко П. А. и др., , in: Proceedings of the 12-the International Workshop on Advanced Infrared Technology and Applications.: Turin: Politecnico di Torino, 2013. P. 185–189.
Добавлено: 9 января 2014 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М., В кн.: Электроника, микро- и наноэлектроника: Сборник научных трудов 15-ой Российской научно-технической конференции (г. Суздаль, 25 – 28 июня 2013 г.).: М.: НИЯУ МИФИ, 2013. С. 303–309.
Проведено сравнение SPICE-моделей BSIMSOI‑RAD и EKV‑RAD, предназначенных для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов, по существенным критериям: набору учитываемых эффектов, количеству параметров, способу учёта эффектов плавающей подложки, процедуре экстракции параметров, времени моделирования. Показано, что при совпадающем наборе учитываемых эффектов макромодель EKV‑RAD является предпочтительной. ...
Добавлено: 10 июня 2013 г.
Рассматриваются вопросы повышения достоверности и точности оценки радиационной стойкости радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов расчетными методами и проблемы оценки стойкости, связанные с применением в аппаратуре электронных компонентов иностранного производства, а также приводятся пути решения этих проблем. ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
В статье рассмотрены вопросы создания и внедрения информационной технологии обеспечения надежности сложных электронных средств (ЭС) военного и специального назначения. Основу технологии составляют процессы расчетной оценки характеристик и показателей надежности составных частей (СЧ) для всех уровней разукрупнения, начиная от электрорадио изделий (ЭРИ) и компонентов компьютерной техники (ККТ), электронных модулей первого уровня (ЭМ1) и заканчивая ЭС в ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
Жаднов В. В., Полесский С. Н., Кулыгин В. Н. и др., В кн.: Надёжность и качество - 2011: Труды международного симпозиума: в 2-х т.Т. 1.: Пенза: Издательство ПГУ, 2011. С. 31–37.
Рассмотрены вопросы создания и внедрения информационной технологии обеспечения надежности сложных электронных средств (ЭС) военного и специального назначения. Основу технологии составляют процессы расчетной оценки характеристик и показателей надежности составных частей (СЧ) для всех уровней разукрупнения, начиная от электрорадио изделий (ЭРИ) и компонентов компьютерной техники (ККТ), электронных модулей первого уровня (ЭМ1) и заканчивая ЭС в целом, включая ...
Добавлено: 25 января 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60–65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Адонин А. С. и др., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2012. Сборник трудов.: М.: ИППМ РАН, 2012. С. 187–192.
Отработана методика построения IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия факторов температуры и радиации по результатам моделирования их характеристик с использованием SPICE моделей, учитывающих указанные факторы.
Модели включены в пакет HyperLynx компании Mentor Graphics для анализа помех и наводок в устройствах на печатных платах. ...
Добавлено: 5 декабря 2012 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 1 (87) С. 20–28
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.