?
Создание IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия внешних факторов
С. 187–192.
Отработана методика построения IBIS моделей цифровых микросхем с учетом воздействия факторов температуры и радиации по результатам моделирования их характеристик с использованием SPICE моделей, учитывающих указанные факторы.
Модели включены в пакет HyperLynx компании Mentor Graphics для анализа помех и наводок в устройствах на печатных платах.
В книге
М.: ИППМ РАН, 2012.
Изменения в поверхностных слоях медных сплавов под действием импульсной пучково-плазменной обработки
Епифанов Н. А., Пименов В. Н., Боровицкая И. В. и др., В кн.: Труды ХХХ Международной конференции «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 22 августа – 29 августа 2020г.).: М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2020. С. 83–95.
Добавлено: 10 сентября 2020 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., В кн.: Тезисы докладов 18 Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость 2015". Научно-технический сборник.: Лыткарино МО: [б.и.], 2015. С. 109–110.
Для модифицированных схемотехнических моделей электронных компонентов как в дискретном, так и в интегральном исполнении, учитывающих эффекты основных видов радиационного воздействия, отработаны методики измерений их характеристик в процессе и после радиационного воздействия и определения параметров их моделей из результатов измерений. ...
Добавлено: 18 сентября 2015 г.
Иванов Р. В., Михальский А.И., Иванов В. К. и др., В кн.: XII Всероссийское совещание по проблемам управления. ВСПУ-2014. Москва, 16-19 июня 2014 г.: Труды [Электронный ресурс].: М.: Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН, 2014. С. 6463–6471.
В работе предложена методология идентификации моделей радиационных рисков заболеваемости человека и оценки их параметров гетерогенности по данным ко-гортного исследования. Гетерогенный фактор моделируется с помощью гамма распре-деления. Рассмотрены модели с пропорциональным риском и избыточным относитель-ным риском. Оценивание параметров осуществлено с помощью метода наибольшего правдоподобия. Получены точные аналитические формулы для функций правдоподобия в случаях полной и неполной ...
Добавлено: 19 декабря 2014 г.
Влияние различных видов радиации на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А., Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы 2014 № 1 (232) С. 3–18
Приведён обзор работ по исследованию воздействия ионизирующих излучений (гамма, нейтроны и протоны) на характеристики кремний-германиевых гетеропереходных транзисторов, входящих в состав SiGe БиКМОП БИС четырёх поколений с проектной нормой 0,25; 0,18; 0,13 и 0,09 мкм. Экспериментальные данные объясняются на основе существующих представлений о радиационных эффектах в биполярных транзисторах с учётом особенностей кремний-германиевой гетероструктуры. Показано, что основные ...
Добавлено: 18 сентября 2014 г.
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2014.
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Белоруссии, Казахстана,Узбекистана, Украины, Киргизии, Германии, США, Польши, ЮАР, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, ...
Добавлено: 15 июля 2014 г.
К. О. Петросянц, М. В. Кожухов, Смирнов Д. С., Известия высших учебных заведений. Электроника 2013 № 6 С. 85–87
В настоящей работе приводятся экспериментальные результаты влияния изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления статического коэффициента усиления h21E биполярного транзистора гигагерцового диапазона, подвергнутого облучению гамма-квантами. Определяются оптимальные значения температуры и времени отжига, обеспечивающие восстановление коэффициента усиления до значений, наблюдаемых у необлученных транзисторов. ...
Добавлено: 29 января 2014 г.
М.: ФГБНУ "НИИ ПМТ", 2013.
Труды содержат доклады, представленные учеными из России, Украины, Белоруссии, Казахстана,Эстонии, Узбекистана, Германии, Польши, посвященные актуальным проблемам радиационной физики твердого тела (влияние радиации на физико-химические свойства и структуру металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов, влияние факторов космического пространства на свойства конструкционных и функциональных материалов и покрытий космических аппаратов, радиационно-технологические методы получения материалов, в частности наноматериалов, модифицирования и ...
Добавлено: 27 сентября 2013 г.
Петросянц К. О., Харитонов И. А., Самбурский Л. М. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 60–65.
Разработана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов с учётом радиационных эффектов. К стандартной модели EKV 1) добавлены зависимости параметров VTO, GAMMA, KP, E0; 2) подключены стандартные схемные компоненты для учёта эффектов плавающей подложки и токов утечки, вызванных статическим и динамическим радиационным воздействием. Максимальная ошибка моделирования составляет 5-7% в диапазоне дозы до 1 Мрад. Показано, что при ...
Добавлено: 22 января 2013 г.
Андреев В. В., Бондаренко Г. Г., Масловский В. М. и др., IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (MSE) 2012 Vol. 41 No. 012017 P. 1–9
В работе предложен новый метод многоуровневой токовой нагрузки для исследования тонких оксидных слоев МОП (металл-окисел-полупроводник) структур. Метод позволяет изучать генерацию и релаксацию положительных и отрицательных зарядов в нанотолщинном подзатворном диэлектрике МОП-структуры в различных стрессовых ситуациях. Параметры, характеризующие изменение зарядового состояния тонких оксидных слоев МОП - структур в процессе инжекции контролировались с помощью измерения временной зависимости ...
Добавлено: 17 января 2013 г.
, Козынко П. А., Харитонов И. А. и др., , in: Proceedings of IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS’12).: Kharkov: Kharkov national university of radioelectronics, 2012. P. 289–292.
Автоматический электро-тепловой анализ резализован в последней версии маршрута проектирования печатных плат фирмы Mentor Graphics. Специальная программа AETA разработана и встроена в маршрут проектирования ПП Expedition Enterprise для автоматизации процесса передачи мощности/температуры между подсистемами электрического и теплового моделирования. Кроме того AETA предоставляет пользователю графический интерфейс и возможность использовать разные версии ПО фирмы Mentor Graphics. ...
Добавлено: 23 декабря 2012 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Известия высших учебных заведений. Электроника 2011 № 1 (87) С. 20–28
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 19 апреля 2012 г.
Петросянц К. О., Самбурский Л. М., Харитонов И. А. и др., Russian Microelectronics 2011 Vol. 40 No. 7 P. 457–462
Разработана компактная макромодель BSIMSOI-RAD для КНИ/КНС КМОП-транзисторов, учитывающая факторы радиационного воздействия. Описана автоматизированная процедура определения параметров макромодели, показаны возможности ее использования для анализа радиационной стойкости схемных фрагментов КМОП БИС в зависимости от суммарной поглощенной дозы. Приведены оценки затрат времени на моделирование. ...
Добавлено: 12 апреля 2012 г.