?
Макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, учитывающая радиационные эффекты
С. 8–20.
Описана макромодель EKV-RAD для КНИ/КНС МОП-транзисторов, построенная на базе стандартной модели EKV. Макромодель дополнительно учитывает эффекты плавающей подложки и различных видов радиационного воздействия и легко встраивается в программу SPICE и её разновидности.
Макромодель опробована на конкретных примерах расчёта аналоговых и цифровых узлов радиационно стойких КНИ/КНС КМОП БИС и обеспечивает достаточную для практических применений точность.
Новиков К. В., В кн.: «Фундаментальные, поисковые, прикладные исследования и инновационные проекты». Сборник трудов Национальной научно-практической конференции.: М.: РТУ МИРЭА, 2022. С. 261–264.
Создание сенсора однофазных замыканий в воздушной линии электропередач с учётом жёстких ограничений по массе, габаритам, потребляемой электроэнергии и взаимному расположению сенсора и фазного провода является нетривиальной задачей. Традиционно для этих целей применяют пояс Роговского, снабжённый либо активным (с высоким энергопотреблением), либо пассивным (уступающим по массогабаритным параметрам) полосовым фильтром. В данной работе предлагается вариант реализации подобного ...
Добавлено: 21 мая 2023 г.
Петросянц К. О., Исмаил-Заде М. Р., Кожухов М. В. и др., Наноиндустрия 2022 Т. 15 № S8-1(113) С. 183–194
Для компонентов БиКМОП БИС с субмикронными и нанометровыми размерами разработаны версии TCAD- и SPICE-моделей, учитывающие воздействие различных видов радиации, температуры в сверхшироком диапазоне -260...+300°C и старения при длительной эксплуатации. ...
Добавлено: 7 июля 2022 г.
Харитонов И. А., В кн.: Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем – 2021 (МЭС-2021)Вып. 2.: ИППМ РАН, 2021. С. 73–80.
Описаны дополнения к стандартным SPICE моделям МОП элементов схем, учитывающие эф-фекты их старения, обусловленные влиянием горячих но-сителей, пробоя диэлектрика и электромиграции. Наборы таких моделей вместе со средствами определения их параметров и средствами SPICE моделирования объ-единены в подсистему SPICE моделирования КМОП схем с учетом факторов старения и оценки параметров надеж-ности и времени бессбойной работы. Приведены примеры ...
Добавлено: 8 июня 2022 г.
Петросянц К. О., В кн.: Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов МММЭК–2021.: М.: МАКС Пресс, 2021. С. 112–116.
Добавлено: 30 ноября 2021 г.
Кожухов М. В., Мухаметдинова А. Р., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2021 № 4 С. 81–85
В статье представлена SPICE-модель кремний-германиевого (SiGe) гетеропереходного биполярного транзистора (ГБТ), позволяющая проводить схемотехническое моделирование устройств с учетом влияния горячих носителей заряда на их электрические характеристики. Представленная SPICE‑модель SiGe ГБТ разработана с использованием макромодельного подхода. Ядро представленной макромодели является стандартная SPICE-модель биполярного транзистора (GP, VBIC, HICUM, MEXTRAM), к которой подключены дополнительные элементы, учитывающие влияния эффектов старения при ...
Добавлено: 15 ноября 2021 г.
Лыткарино МО: АО "НИИП", 2020.
Тематика
Внешние радиационные условия эксплуатации изделий электронной техники, электротехники и аппаратуры
Радиационные и электромагнитные эффекты в изделиях радиоэлектроники, механизмы деградации параметров, отказы, одиночные сбои
Оценка и обеспечение радиационной стойкости и надежности изделий электронной техники, электротехники, аппаратуры, радиотехнических материалов, в том числе материалов космического назначения
Расчётные методы определения радиационной стойкости изделий
Испытательные установки, дозиметрическое и метрологическое сопровождение испытаний ...
Добавлено: 14 июля 2021 г.
Добавлено: 19 декабря 2020 г.
Садовничий Д. Н., А.П. Тютнев, Мелехин Ю. М., Известия Академии наук. Серия химическая 2020 № 9 С. 1607–1613
В обзоре рассмотрено современное состояние вопросов экспериментального и теоретического изучения радиационно-индуцированной электропроводности и электризации полимерных диэлектриков при воздействии пучков электронов. Обсуждается влияние молекулярной подвижности на транспорт избыточных носителей заряда в полимерных материалах. ...
Добавлено: 15 декабря 2020 г.
Звягинцев Д. Е., Елисеева А. В., Куликов Н. А. и др., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 232–235.
На основании результатов измерений характеристик КМОП ИС в диапазоне дозы до 0.5 Мрад с интенсивностью 0,1 рад/с были рассчитаны изменения концентрации дефектов Nit, Not, идентифицированы параметры SPICE-моделей МОП-транзисторов ИС. Схемотехническое моделирование позволило оценить критическое значение дозы для деградации параметров исследуемых ИС. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Петросянц К. О., Кожухов М. В., В кн.: Международный форум «Микроэлектроника-2020». Школа молодых ученых. Сборник тезисов. Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сентября 2020 г.: М.: МАКС Пресс, 2020. С. 394–397.
Представлена унифицированная SPICE-модель Si БТ/SiGe ГБТ, позволяющая проводить схемотехническое моделирование интегральных схем с учетом воздействия проникающей радиации. Представлены результаты измерений и моделирования электрических характеристик биполярных транзисторов до и после воздействия различных видов радиационного излучения. ...
Добавлено: 5 декабря 2020 г.
Andreev D. V., Bondarenko G.G., Andreev V. V. и др., Acta Physica Polonica A 2019 Vol. 36 No. 2 P. 263–266
Добавлено: 5 ноября 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 410–411
В работе рассмотрены проблемы построения алгоритмов моделирования переходного процесса и периодического установившегося режима интегральных схем с помощью методов огибающих. Предложены алгоритмы огибающих на базе применения одношаговых методов высокого порядка для решения обыкновенных дифференциальных уравнений (ОДУ). ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Журнал радиоэлектроники 2018 № 5 С. 5
Обсуждается вычислительный метод расчета нелинейных искажений для радиотехнических интегральных схем в периодическом установившемся режиме в частотной области. Mетод ориентирован на применение в системах автоматизации схемотехнического проектирования. В отличие от методов, базирующихся на рядах Вольтерра, метод не требует вычисления второй и третьей производных в используемых моделях приборов. Применение приведённых вычислительных процедур обеспечивает расчет нелинейных искажений в ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2018 № 1 С. 103–108
В работе предлагается вычислительный метод анализа установившегося периодического режима аналоговых интегральных схем. Решение периодической краевой задачи выполняется методом пристрелки-Ньютона, в котором для решения задачи с начальными значениями предлагается применить одношаговые методы численного интегрирования ОДУ, полученные на основе формулы Обрешкова. Приведены примеры анализа периодического установившегося режима. ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Рассадин А. Э. и др., Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС) 2018 № 1 С. 83–87
При использовании симуляторов типа SPICE для моделирования сегнетоэлектрических схем возникают трудности из-за отрицательных значений дифференциальной емкостей и наличия плавающих узлов между емкостями. В статье предлагаются модели нелинейных емкостей в виде эквивалентных схем с заданными прямыми или обратными вольт-кулонными характеристиками. Дополнительный “зарядовый” вывод моделей позволяет анализировать и инициализировать заряды емкостей, а также моделировать цепочки емкостей с ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 9 С. 563–572
Показано, что важным направлением совершенствования проекционных методов редуцирования моделей линейных электрических цепей является учет характеристик их схемного окружения. Для решения этой задачи разработан подход к построению редуцированной модели подсхемы линейной цепи на основе метода отбора векторов состояния. Обсуждаются возможности учета нелинейного окружения схемы. Численные эксперименты показали существенное повышение точности и снижение порядка редуцированной модели при ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Гурарий М. М., Жаров М. М., Русаков С. Г. и др., Информационные технологии 2018 Т. 24 № 7 С. 435–444
Рассмотрены направления совершенствования методов минимаксной оптимизации при решении задач проектирования, включающие: способ задания частных критериев в виде произвольной кусочно-линейной выпуклой функции; использование особенностей задачи и алгоритмов схемотехнического моделирования для ускорения процедур оптимизации; принципы построения алгоритма решения линейной минимаксной задачи на шаге оптимизации с учетом возможной многокритериальности. ...
Добавлено: 12 февраля 2019 г.
Разработана новая TCAD Rad модель для биполярных и МОП транзисторов, учитывающая влияние протонов на основные радиационно-зависимые параметры, такие как время жизни, подвижность, скорость поверхностной рекомбинации и концентрация радиационно-индуцированных ловушек в оксиде. Результаты моделирования показывают хорошую сходимость с экспериментальными данными. ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Петросянц К. О., Наноиндустрия 2018 № 82 С. 42–45
Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, у- и Х-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300°С) и низких (до –200°С) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы ...
Добавлено: 30 января 2019 г.
Харитонов И. А., В кн.: XVII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника, микро- и наноэлектроника»: 14 - 18 мая 2018 года, г. Суздаль, Россия.: М.: НИИСИ РАН, 2018. С. 82–83.
. ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.
М.: НИИСИ РАН, 2018.
Сборник содержит программу и тезисы докладов 17-ой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника, микро- и наноэлектроника», проводимой в г. Суздаль с 14 по 18 мая 2018 года Федеральным государственным учреждением «Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской Академии наук», а также ООО «Галактический поток», при поддержке Российского Фонда Фундаментальных Исследований (Грант РФФИ № 18-07-20020).
Представленные тезисы отражают широкую панораму деятельности сотрудников ...
Добавлено: 7 ноября 2018 г.