Глава
Исследование монокристаллического кремния методом рентгеновской топо-томографии в лабораторных условиях
В работе приведены результаты исследования монокристаллов кремния, выполненные развиваемым авторами методом рентгеновской топо- томографии с использованием лабораторных источников. Описаны схема и условия проведения эксперимента. Получено трехмерное распределение дефектных областей в кристалле.
В выпуске представлены тезисы докладов XIII Международной конференции «Кремний – 2020» и XII Школы молодых ученых по актуальным проблемам физики и технологии кремниевой электроники и нанометровых приборов, освещающие актуальные темы разработки процессов создания перспективной элементной базы и новых путей её использования. Кроме традиционных тем исследования процессов в объёме кремния, на поверхности и на границах раздела, их влияния на элементы кремниевой электроники, представлены и новые перспективные направления, такие как создание и исследование нейроморфных сетей, как ключевого элемента систем искусственного интеллекта, а также исследования в области создания и моделирования квантовых объектов построения элементной базы фотоники и оптоэлектроники. Представлены также доклады, затрагивающие практические вопросы построения моделей и развития систем автоматизированного проектирования.
Как показывает практика, при добыче, транспортировке и переработке природного газа возникают утечки загрязняющих веществ, в частности метана. Своевременное обнаружение утечек газа из объектов газотранспортной сети позволит уменьшить риск возникновения аварийных ситуаций. В связи с этим появился комплекс научно-технических проблем по обеспечению надежности газопровода, устойчивости их работы и безопасности, оценкам остаточного ресурса и рисков.
Сегодня для предприятий легкой промышленности особую значимость приобретает процесс всеобщего управления качеством. В статье на примере конкретного предприятия описан процесс разработки интегрального показателя эффективности функционирования предприятия отрасли с учетом специфики производственного процесса и характерных для данного вида деятельности разновидностей дефектов и несоответствий продуктов и процессов, возникающих в ходе производства. В результате проведенного исследования разрабатываются рекомендации по улучшению экономических результатов деятельности предприятия и стимулированию его конкурентоспособности. Результаты исследования представляют практическую ценность для предприятий отрасли легкой промышленности.
Показана возможность использования лабораторного источника длдя проведения топо-томографических экспериментов, а также применимость томографических алгоритмов для реконструкции внутреннего строения кристаллических дефектов по дифракционным данным.
В настоящее время особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования – in-situ методы. Применение этих методов способствует получению пленок с заданными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса. В статье описываются возможности метода in-situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процессе их формирования.Приведены результаты экспериментов по магнетронному напылению наноразмерных пленок Si и других материалов на кремниевые подложки.
В докладе приведены результаты изучения процессов релаксации радиационных дефектов, возникающих при ионной имплантации Si ионами H+, в ходе термической обработки. Измерения проведены методом трехкристальной рентгеновской дифрактометрии (ТРД).
Изучено влияние протонного облучения и температуры последующего отжига на толщину, среднюю относительную деформацию кристаллической решетки, профили распределения удельного сопротивления вблизи поверхности тестовых кристаллов, а также на обратную ветвь вольт-амперной характеристики p-i-n-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Обнаружено формирование компенсированного дефектного слоя в области пробега протонов непосредственно после облучения и после отжига при температурах до 200 С.