Исследование активных областей на основе многопериодных сверхрешеток GaAsN/InAs

Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 10. С. 1002–1010.

Бабичев А. В., Пирогов Е. В., Соболев М. С., Денисов Д. В., Фоминых Н. А., Баранов А. И., Гудовских А. С., Мельниченко И. А., Юнин П. А., Неведомский В. Н., Токарев М. В., Бер Б. Я., Гладышев А. Г., Карачинский Л. Я., Новиков И. И., Егоров А. Ю.

Представлены результаты исследования азотсодержащих активных областей на основе сверхрешеток, выращенных на подложках GaAs. Активные области на основе чередующихся слоев InAs и GaAsN сформированы методом молекулярно-пучковой эпитаксии c плазменным источником азота. На основе анализа рентгенодифракционных кривых качания проведены оценки толщин и среднего состава слоев сверхрешеток. Исследование темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показало наличие интердиффузии слоев InAs в слои GaAsN. Представлены результаты исследования спектров фотолюминесценции, а также электролюминесценции при различных уровнях накачки. Продемонстрирована эффективная электролюминесценция вблизи 1150 нм с характерной полной шириной линии, измеренной на полувысоте ~90 мэВ.

Ключевые слова: сверхрешетки, молекулярно-пучковая эпитаксия, molecular beam epitaxy, gallium arsenide, InAs, InAs, dilute nitride, GaAsN, Superlattices, арсенид галлия, разбавленный нитрид, GaAsN

ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА: Исследование оптических свойств и динамических процессов в новых полупроводниковых наногетероструктурах A3B5, перспективных для использования в качестве активной области светоизлучающих и фоточувствительных приборов оптоэлектроники (2022)