• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • A
  • A
  • A
  • A
  • A
Обычная версия сайта
  • RU
  • EN
  • Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»
  • Публикации ВШЭ
  • Статьи
  • Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots
  • RU
  • EN
Расширенный поиск
Высшая школа экономики
Национальный исследовательский университет
Приоритетные направления
  • бизнес-информатика
  • государственное и муниципальное управление
  • гуманитарные науки
  • инженерные науки
  • компьютерно-математическое
  • математика
  • менеджмент
  • право
  • социология
  • экономика
по году
  • 2028
  • 2027
  • 2026
  • 2025
  • 2024
  • 2023
  • 2022
  • 2021
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012
  • 2011
  • 2010
  • 2009
  • 2008
  • 2007
  • 2006
  • 2005
  • 2004
  • 2003
  • 2002
  • 2001
  • 2000
  • 1999
  • 1998
  • 1997
  • 1996
  • 1995
  • 1994
  • 1993
  • 1992
  • 1991
  • 1990
  • 1989
  • 1988
  • 1987
  • 1986
  • 1985
  • 1984
  • 1983
  • 1982
  • 1981
  • 1980
  • 1979
  • 1978
  • 1977
  • 1976
  • 1975
  • 1974
  • 1973
  • 1972
  • 1971
  • 1970
  • 1969
  • 1968
  • 1967
  • 1966
  • 1965
  • 1964
  • 1963
  • 1958
  • еще
Тематика
Новости
16 сентября 2026 г.
Ученые НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург разработали новые соединения для борьбы с раком
Ученые Лаборатории био- и хемоинформатики НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург совместно с коллегами из Университета Цзинань (Китай) и Санкт-Петербургского государственного технологического института разработали малые молекулы, преодолевающие химическую защиту раковых клеток. В отличие от классических ингибиторов, которые только блокируют активность белка, новые соединения удаляют его целиком. Работа ведется при поддержке Российского научного фонда.
14 сентября 2026 г.
Когда картинка мешает понять: ученые НИУ ВШЭ выяснили, что сложным идеям не всегда нужны иллюстрации
Иллюстрации помогают запоминать конкретные действия, но не всегда облегчают понимание абстрактных идей. Исследователи НИУ ВШЭ и Университета Гумбольдта сравнили, как люди усваивают тексты разного уровня абстрактности. Выяснилось, что участники лучше запоминали иллюстрации и выполняли задания после чтения мультимедийного текста об асанах йоги, чем после чтения абстрактного текста о равновесии Нэша. Результаты помогут эффективнее подбирать иллюстрации для учебных и информационных материалов. Исследование опубликовано в журнале Learning and Instruction.
11 сентября 2026 г.
Научная экспедиция на Хайнань: ученые ВШЭ организовали конференцию по статистическому ИИ в Китае
С 24 по 28 августа 2026 года в городе Санья на острове Хайнань (Китай) прошла международная конференция Statistical AI («Статистический искусственный интеллект»). Мероприятие собрало ведущих специалистов в области статистики, машинного обучения и прикладного ИИ. Среди организаторов конференции — Алексей Наумов, директор Института искусственного интеллекта и цифровых наук ФКН НИУ ВШЭ, и Сергей Самсонов, заведующий Международной лабораторией стохастических алгоритмов и анализа многомерных данных.

 

Нашли опечатку?
Выделите её, нажмите Ctrl+Enter и отправьте нам уведомление. Спасибо за участие!

Публикации
  • Книги
  • Статьи
  • Главы в книгах
  • Препринты
  • Верификация публикаций
  • Расширенный поиск
  • Правила использования материалов
  • Наука в ВШЭ

?

Time-resolved temperature-dependent photoluminescence spectroscopy of InGaAs/GaAs quantum well-dots

Journal of Luminescence. 2023. Vol. 255. Article 119620.
Konstantin A. Ivanov, Alexey M. Nadtochiy, Natalia V. Kryzhanovskaya, Mintairov S., Kalyuzhnyy N., Ivan A. Melnichenko, Mikhail V. Maximov, Alexey E. Zhukov
Научное направление: Физика Нанотехнологии
Язык: английский
Полный текст
DOI
Текст на другом сайте
Ключевые слова: InGaAsQuantum well-dotsInGaAs-гетероструктурыквантовые яма-точкиtime-resolved photoluminescenceвремяразрешённая фотолюминесценция
ПУБЛИКАЦИЯ ПОДГОТОВЛЕНА ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ПРОЕКТА:
Исследование характеристик микро- и нанолазеров на основе полупроводниковых гетероструктур А3В5 различной квантовой размерности (2023)
Похожие публикации
The Effect of the Gate Material in MIS Structures on the High-Field Charge Degradation in the Gate Dielectric
Andreev D. V., Kornev S. A., Bondarenko G.G. и др., Inorganic Materials: Applied Research 2026 Vol. 17 No. 5 P. 1226–1230
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Vague stimulating ideas, images and metaphors in scientific thinking: researchers' work with horizons of unclear knowledge
Поддьяков А. Н., / Series Social Science Research Network "Social Science Research Network". 2026. No. 7437658.
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Water confined in heterogeneous clay–quartz pores: Structure and dynamics from atomistic simulations
Глушак А. А., Тарарушкин Е. В., Смирнов Г. С., Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 2027 Vol. 752 Article 141756
Добавлено: 15 сентября 2026 г.
Some Aspects of Remote State Restoring in State Transfer Governed by XXZ-Hamiltonian
Bochkin G., Doronin S., Fel’dman E. и др., Lobachevskii Journal of Mathematics 2024 Vol. 45 No. 3 P. 1188–1207
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Coherence restoring in communication line via controlled interaction with environment
Fel’dman E. B., Лазарев И. Д., Pechen A. N. и др., Quantum Information Processing 2026 Vol. 25 Article 121
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Macroscopic entanglement distribution with atomic ensembles
Li S., Hu J., Лазарев И. Д. и др., Annals of Physics 2026 Vol. 494 Article 170618
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Quantum Repeater Protocol for Deterministic Distribution of Macroscopic Entanglement, Advanced Quantum Technologies
Pyrkov A., Лазарев И. Д., Byrnes T., Advanced Quantum Technologies 2025 Article 2400524
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Hybrid quantum-classical unsupervised data clustering based on the self-organizing feature map
I. D. Lazarev, Narozniak M., Byrnes T. и др., Physical Review A: Atomic, Molecular, and Optical physics 2025 Vol. 111 No. 012416 Article 012416
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Mixing of real and quantum gases
Борщевский А. Я., Physical Chemistry Chemical Physics 2025 Vol. 27 No. 9 P. 4793–4803
Добавлено: 14 сентября 2026 г.
Bridging experiment and molecular dynamics: Mefenamic acid confinement in nanocrystalline cellulose aerogels under scCO2 conditions
Гурина Д. Л., Fashchevsky K. A., Oparin R. D. и др., Surfaces and Interfaces 2026 Vol. 98 Article 110545
Добавлено: 8 сентября 2026 г.
Configuration-dependent edge and corner superconductivity in 𝑠-wave kagome superconductors
Huang D., Chen Y., Luo X. и др., Chinese Journal of Physics 2026 Vol. 103 P. 1803–1814
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Interband effects in the intertype regime of dirty two-band superconductors
P. M. Marychev, A. A. Shanenko, Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2026 Vol. 114 No. 7 Article 074509
Добавлено: 7 сентября 2026 г.
Элементы теории топологических изоляторов
Хомицкий Д. В., Н. Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2025.
В учебном пособии излагаются элементы теории и описание избранных экспериментальных результатов, полученных в активно развивающейся физике топологических изоляторов. Рассмотрены наиболее простые модели поверхностных и краевых состояний в двумерных и трёхмерных топологических изоляторах, их структура в магнитном поле, а также основы топологических методов для определения их свойств. Обсуждаются модели квантовых точек, формируемых в топологических изоляторах. Приведены ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Хомицкий Д. В., Звонков Б. Н., Вихрова О. В. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 9 С. 1245–1252
Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем
Хомицкий Д. В., Вихрова О. В., Данилов Ю. А. и др., Физика твердого тела 2021 Т. 63 № 3 С. 346–355
Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn)As, расположенного на поверхности квантово-размерной InGaAs/GaAs-структуры, с сохранением ее излучательных свойств. Для проведения исследований сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения были изготовлены структуры с четырьмя квантовыми ямами InGaAs/GaAs, (содержание индия от 0.08 до 0.25), расположенными на различном расстоянии от слоя (Ga, Mn)As. В процессе исследований ...
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Quasistationary states in a quantum dot formed at the edge of a topological insulator by magnetic barriers with finite transparency
Хомицкий Д. В., Lavrukhina E. A., Journal of Physics: Conference Series 2021 Vol. 2103 Article 012201
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Role of resident electrons in the manifestation of a spin polarization memory effect in Mn delta-doped GaAs heterostructures
Хомицкий Д. В., Dorokhin M. V., Ved M. V. и др., Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics 2021 Vol. 104 No. 12 Article 125309
Добавлено: 6 сентября 2026 г.
Digital InGaAs/InAlAs short-period superlattices intended for 1.3-μm InP-lasers
V.I. Voitovich, I.S. Makhov, Andryushkin V. V. и др., Journal of Luminescence 2026 Vol. 295 Article 121936
Добавлено: 8 июля 2026 г.
Study of planar microcavity structure with In0.63Ga0.37As quantum dots and non-absorbing Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As mirrors
Babichev A. V., Papylev D. S., S. D. Komarov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3.1 P. 233–237
Добавлено: 14 мая 2025 г.
Hybrid Nature of Metastable Nonradiative Recombination Centers in Perovskites: Merging Shallow and Deep Defect States
Тарасевич А. О., Li J., Князева М. А. и др., PRX Energy 2025 Vol. 4 No. 2 Article 023005
Добавлено: 30 апреля 2025 г.
Полудисковые микролазеры с полукольцевым контактом на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек с высокой выходной мощностью
Зубов Ф. И., Шерняков Ю. М., Бекман А. А. и др., Письма в Журнал технической физики 2024 Т. 50 № 6 С. 23–27
Исследованы ватт-амперные характеристики полудисковых микролазеров c активной областью на основе квантовых яма-точек InGaAs/GaAs, излучающих на длине волны 1090 nm. Приборы изготовлены путем скалывания дисковых резонаторов диаметром 200 µm с шириной кольцевого контакта 10 µm. В режиме непрерывной накачки максимальная выходная мощность при 20◦C составила 110 mW, а лазерная генерация наблюдалась до 113◦C ...
Добавлено: 25 февраля 2025 г.
Mode leakage into substrate in microdisk lasers
I.A. Melnichenko, E.I. Moiseev, K.A. Ivanov и др., St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2024 Vol. 17 No. 3_2 P. 212–216
Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al0.4Ga0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе. ...
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Far-field patterns and lasing threshold of limaçon − and quadrupole-shaped microlasers with InGaAs quantum well-dots
Моисеев Э. И., Иванов К. А., Khabibullin R. и др., Optics and Laser Technology 2025 Vol. 183 Article 112299
Добавлено: 23 декабря 2024 г.
Оптическое усиление в волноводных гетероструктурах спектрального диапазона 1010-1075 нм с активной областью на основе InGaAs квантовых яма-точек
Харченко А. А., Надточий А. М., Шерняков Ю. М. и др., Физика и техника полупроводников 2024 Т. 58 № 6 С. 313–317
В волноводных гетероструктурах с активной областью на основе квантовых яма-точек впервые исследовано оптическое усиление излучения от внешнего источника. Получена зависимость мощности усиленного излучения от тока накачки в спектральном диапазоне 990−1075 нм. С учетом спектральной зависимости тока прозрачности произведен расчет коэффициента оптического усиления в зависимости от тока и длины волны. Коэффициент оптического усиления в исследованных структурах ...
Добавлено: 24 октября 2024 г.
  • О ВЫШКЕ
  • Цифры и факты
  • Руководство и структура
  • Устойчивое развитие в НИУ ВШЭ
  • Преподаватели и сотрудники
  • Корпуса и общежития
  • Закупки
  • Обращения граждан в НИУ ВШЭ
  • Фонд целевого капитала
  • Противодействие коррупции
  • Сведения о доходах, расходах, об имуществе и обязательствах имущественного характера
  • Сведения об образовательной организации
  • Людям с ограниченными возможностями здоровья
  • Единая платежная страница
  • Работа в Вышке
  • ОБРАЗОВАНИЕ
  • Лицей
  • Довузовская подготовка
  • Олимпиады
  • Прием в бакалавриат
  • Вышка+
  • Прием в магистратуру
  • Аспирантура
  • Дополнительное образование
  • Центр развития карьеры
  • Бизнес-инкубатор ВШЭ
  • Образовательные партнерства
  • Обратная связь и взаимодействие с получателями услуг
  • НАУКА
  • Научные подразделения
  • Исследовательские проекты
  • Мониторинги
  • Диссертационные советы
  • Защиты диссертаций
  • Академическое развитие
  • Конкурсы и гранты
  • Внешние научно-информационные ресурсы
  • РЕСУРСЫ
  • Библиотека
  • Издательский дом ВШЭ
  • Книжный магазин «БукВышка»
  • Типография
  • Медиацентр
  • Журналы ВШЭ
  • Публикации
  • http://www.minobrnauki.gov.ru/
    Министерство науки и высшего образования РФ
  • https://edu.gov.ru/
    Министерство просвещения РФ
  • https://elearning.hse.ru/mooc
    Массовые открытые онлайн-курсы
  • НИУ ВШЭ1993–2026
  • Адреса и контакты
  • Условия использования материалов
  • Политика обработки персональных данных
  • Правила применения рекомендательных технологий в НИУ ВШЭ
  • Карта сайта
Редактору