?
Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
Письма в Журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 20. С. 3-6.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Надточий А. М., Драгунова А. С., Блохин С. А., Жуков А. Е.
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая величина выходной оптической мощности в непрерывном режиме генерации составила 9.4 mW
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
N. V. Kryzhanovskaya, K. A. Ivanov, N. A. Fominykh и др., Journal of Applied Physics 2023 Vol. 134 No. 10 Article 103101
Добавлено: 30 октября 2023 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Light: Science and Applications 2021 Vol. 10 P. 1-11
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Fedor I. Zubov, Eduard I. Moiseev, Mikhail V. Maximov и др., IEEE Photonics Technology Letters 2022 Vol. 34 No. 24 P. 1349-1352
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 12 С. 1223-1228
С помощью скоростных уравнений проанализированы характеристики тандема лазерный диод−полупроводниковый оптический усилитель, формируемых из одной гетероструктуры с квантовыми точками.
Определено оптимальное значение коэффициента распределения тока накачки между усилителем и лазером,
а также оптимальные длины резонаторов, обеспечивающие наибольшую выходную мощность тандема.
Показано, что использование тандема позволяет при том же полном потребляемом токе существенно (более
чем в 4 раза для 1А) увеличить ...
Добавлено: 25 ноября 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 16 С. 49-51
Исследованы характеристики микродискового лазера диаметром 23 μm в режиме прямой высокочастотной модуляции при стабилизированной температуре теплоотвода 18oС. Показано, что минимальное потребление электроэнергии составляет ~1.6 pJ/bit и достигается при частоте модуляции 4.2 GHz. Максимальная частота модуляции составляет 6.7 GHz, при этом энергопотребление равно 3.3 pJ/bit. Ключевые слова: высокочастотная модуляция, микролазер, полупроводниковый лазер, квантовые точки, энергопотребление. ...
Добавлено: 8 декабря 2020 г.
Фоминых Н. А., Крыжановская Н. В., Иванов К. А. и др., Оптика и спектроскопия 2023 Т. 131 № 11 С. 1483-1485
Исследованы характеристики лазерной генерации микродисковых лазеров, сопряженных с оптическим волноводом и работающих в непрерывном режиме при повышенных температурах. Продемонстрированы лазерная генерация и волноводный эффект при температурах вплоть до 92.5 С. Измеренная характеристическая температура микролазеров составила 65 K в диапазоне 25-92.5 С. ...
Добавлено: 5 февраля 2024 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Надточий А. М., Максимов М. В., Mintairov S. и др., Physica Status Solidi (B): Basic Research 2018 Vol. 255 No. 9 Article 1800123
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Gordeev N. Y., Максимов М. В., Payusov A. S. и др., Semiconductor Science and Technology 2021 Vol. 36 No. 1 Article 015008
Добавлено: 11 марта 2021 г.
Моисеев Э. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 2 С. 212-216
Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время ...
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Zubov F. I., Shernyakov Y. M., Gordeev N. Y. и др., Quantum Electronics 2022 Vol. 52 No. 7 P. 593-596
Добавлено: 13 декабря 2022 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 9 С. 820-825
На основе анализа скоростных уравнений с помощью численного моделирования и аналитически
исследовано насыщение усиления в оптическом усилителе на основе массива квантовых точек. Показано, что
при умеренном уровне инжекции величина мощности насыщения растет пропорционально плотности тока,
а в дальнейшем достигает своего наибольшего значения, ограниченного скоростью поступления носителей
заряда на основное состояние и количеством квантовых точек, взаимодействующих с фотонами. Предложены
выражения, позволяющие ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., IEEE Journal of Quantum Electronics 2023 Vol. 59 No. 1 Article 2000108
Добавлено: 26 января 2023 г.
Крыжановская Н. В., Zubov Fedor I., Моисеев Э. И. и др., Laser Physics Letters 2022 Vol. 19 No. 1 Article 016201
Добавлено: 2 декабря 2021 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Добавлено: 25 апреля 2023 г.