• A
  • A
  • A
  • АБB
  • АБB
  • АБB
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Статья

Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства

Сорокин С., Авдиенко П., Седова И., Кириленко Д., Яговкина М., Смирнов А., Давыдов В., Иванов С. В.

Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств двумерных (2D) слоев GaSe, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(001) и GaAs(112) при использовании источника Se с высокотемпературным разложителем и клапаном. Определено влияние параметров роста (температуры подложки, интенсивности потока атомов Ga, отношения падающих потоков Se/Ga) на морфологию поверхности выращенных слоев. С помощью методов просвечивающей электронной микроскопии, электронной дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано, что слои GaSe соответствуют политипу γ-GaSe. Методом рентгеновской дифрактометрии установлено наличие включений фазы alpha-Ga2Se3 в слоях GaSe, выращенных в условиях сильного обогащения поверхности роста селеном. Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, молекулярно-пучковая эпитаксия, структурные свойства.