?
Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 2. С. 212-216.
Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время последние характеризуются заметно меньшей долей излучаемой мощности, приходящейся на лазерные моды. Также для них характерен перескок к генерации через возбужденный оптический переход. Этих недостатков лишены микродисковые лазеры на основе InGaAsN.
Язык:
русский
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Максимов М. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2019 Т. 45 № 19 С. 37-39
Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 μm вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика. ...
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Light: Science and Applications 2021 Vol. 10 P. 1-11
Добавлено: 19 апреля 2021 г.
Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В., Жуков А. Е. и др., Optics Letters 2018 Vol. 43 No. 19 P. 4554-4557
Добавлено: 27 сентября 2020 г.
Maximov M., Надточий А. М., Крыжановская Н. В. и др., Applied Sciences (Switzerland) 2020 Vol. 10 No. 3 Article 1038
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2021 Т. 55 № 12 С. 1223-1228
С помощью скоростных уравнений проанализированы характеристики тандема лазерный диод−полупроводниковый оптический усилитель, формируемых из одной гетероструктуры с квантовыми точками.
Определено оптимальное значение коэффициента распределения тока накачки между усилителем и лазером,
а также оптимальные длины резонаторов, обеспечивающие наибольшую выходную мощность тандема.
Показано, что использование тандема позволяет при том же полном потребляемом токе существенно (более
чем в 4 раза для 1А) увеличить ...
Добавлено: 25 ноября 2021 г.
Switzerland : Springer, 2020
Добавлено: 15 марта 2020 г.
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Laser Physics Letters 2018 Vol. 15 No. 1 P. 015802
Добавлено: 29 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Polubavkina Y., Моисеев Э. И. и др., Journal of Applied Physics 2017 Vol. 121 No. 4 P. 043104
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Мельниченко И. А., Букатин А. С. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 19 С. 30-33
Исследована зависимость спектрального положения линии генерации микродискового лазера с квантовыми
точками InAs/InGaAs/GaAs от показателя преломления водного раствора, в который погружен микролазер.
Для микролазеров диаметром 10 μm, помещенных в водный раствор глюкозы, получена максимальная
величина сдвига резонанса 9.4 nm/RIU. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Надточий А. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 13 С. 28-31
Исследовано потребление энергии микродисковым лазером с квантовыми ямами-точками InGaAs/GaAs
при высокочастотной модуляции без принудительного охлаждения. Для микролазера диаметром 20 μm
оценено наименьшее энергопотребление 1.6 pJ в расчете на один бит данных, переданных с помощью
оптического сигнала. ...
Добавлено: 11 октября 2021 г.
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Жуков А. Е., Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И. и др., Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54 № 6 С. 570-574
Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, ...
Добавлено: 15 сентября 2020 г.
Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
Жуков А. Е., Моисеев Э. И., Крыжановская Н. В. и др., Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53 № 8 С. 1122-1127
Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10−30 мкм, работающие при комнатной температуре без
термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности — квантовых
ям−точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной
модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости
от диаметра микролазера. Обнаружено, что K-фактор составляет (0.8 ± 0.2) нс, что соответствует оптическим ...
Добавлено: 1 октября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Maximov M. и др., IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics 2015 Vol. 21 No. 6 P. 709-713
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Крыжановская Н. В., Жуков А. Е., Моисеев Э. И. и др., Journal of Physics D: Applied Physics 2021 Vol. 54 Article 453001
Добавлено: 3 сентября 2021 г.
Жуков А. Е., Applied Physics B: Lasers and Optics 2018 Vol. 124 No. 2 Article 21
Добавлено: 16 марта 2021 г.
Махов И. С., Бекман А. А., Кулагина М. М. и др., Письма в Журнал технической физики 2022 Т. 48 № 12 С. 40-43
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через ...
Добавлено: 5 июля 2022 г.
Жуков А. Е., СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Пособие включает в себя учебные материалы по физике и технологии полупроводниковых квантовых точек и лазеров на основе квантовых точек, включая микролазеры. Квантовые точки – это новая разновидность полупроводниковых квантоворазмерных структур (наноструктур), в которых движение носителей заряда ограничено во всех трех направлениях. Возникающая в результате размерного квантования модификация плотности состояний, а также большая энергия локализации носителей ...
Добавлено: 10 февраля 2020 г.
Крыжановская Н. В., Maximov M., Жуков А. Е. и др., Journal of Lightwave Technology 2015 Vol. 33 No. 1 P. 171-175
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
M. : Association of graduates and employees of AFEA named after prof. Zhukovsky, 2018
Добавлено: 24 мая 2018 г.
Добавлено: 30 сентября 2020 г.
Зубов Ф. И., Максимов М. В., Крыжановская Н. В. и др., Письма в Журнал технической физики 2021 Т. 47 № 20 С. 3-6
Исследована мощность излучения в непрерывном режиме микродисковых лазеров с квантовыми ямамиточками InGaAs/GaAs, гибридно интегрированных с подложкой кремния эпитаксиальной стороной вниз с помощью термокомпрессионного соединения. Вследствие уменьшения теплового сопротивления и подавления саморазогрева наблюдается рост значений токов, при которых происходит насыщение мощности и гашение лазерной генерации, а также увеличение предельной мощности. В микродисках диаметром 19 µm наибольшая ...
Добавлено: 14 октября 2021 г.
Крыжановская Н. В., Моисеев Э. И., Polubavkina Y. и др., Optics Letters 2017 Vol. 42 No. 17 P. 3319-3322
Добавлено: 29 сентября 2020 г.